The invention provides a multi-arc ion etching coating composite device, which comprises a vacuum chamber, which is a closed space, and the vacuum chamber is provided with an air inlet and an exhaust port. The vacuum chamber is provided with a cylindrical arc mechanism, an arc mechanism, a workpiece carrier and a heating element. The cylindrical arc mechanism includes a cylindrical arc target and a heater. An arc-striking needle, which uses the contact between the cylindrical arc target and the first arc-striking needle to generate a large number of electrons through the first arc power source to ionize Ar gas in the vacuum chamber, generates a large number of Ar positive ions to etch the workpiece on the workpiece carrier in an all-round and uniform way, solves the technical problem that the workpiece can not be etched in an all-round and uniform way, and realizes the etched The arc mechanism and the circular arc mechanism are also capable of vacuum coating, and the functions are perfect.
【技术实现步骤摘要】
一种多弧离子刻蚀镀膜复合装置
本专利技术涉及真空镀膜
，具体为一种多弧离子刻蚀镀膜复合装置。
技术介绍
在真空腔室内对工件进行真空镀膜之前，需要去除工件表面的杂气、水气以及氧化的杂质等，该过程称之为刻蚀，而常规的真空镀膜设备通常是利用加热元件对真空腔室进行加热，之后往真空腔室内输入2～6bar的Ar气，再通过对真空腔室加载600～1000V的偏置电压，使真空腔室内的Ar电离形成Ar正离子与电子，利用Ar正离子对工件的表面进行撞击，去除工件表面的杂质，但是上述方式，由于加载的偏置电压过高，容易造成真空腔室内产生打火的现象，伤害工件，且由于输入的Ar气量过大，而Ar离化率不高，无法去除工件表面的氧化杂质，更无法对工件中存在的沟壑进行刻蚀，只能对工件表面的杂气与水气进行清洗。还有一种方式是利用类似离子抢一类的离子源，对真空腔室内发射电子，电子在行进的过程中对真空腔室内的Ar气进行撞击，使Ar气产生Ar正离子形成等离子束，利用Ar正离子形成的等离子束对工件的表面进行轰击，但是该方式无法使Ar气大量离化，必须通过设置辅助阳极，利用辅助阳极对电子进行加速，增加Ar气的离...
【技术保护点】
1.一种多弧离子刻蚀镀膜复合装置，包括真空腔室(1)，该真空腔室(1)为密闭空间，且该真空腔室(1)上开设有进气口(11)与排气口(12)，其特征在于，还包括：柱弧机构(2)，所述柱弧机构(2)设置于所述真空腔室(1)横向上的任一一侧，其包括设置于所述真空腔室(1)内的柱形靶材(20)，设置于所述真空腔室(1)外带动柱形靶材(20)旋转的旋转件(21)，设置于所述柱形靶材(20)一侧可与该柱形靶材(20)旋转触碰的第一引弧针(23)，环形罩设于所述柱形靶材(20)与第一引弧针(23)外的防护罩(24)，该防护罩(24)开设有缺口(241)，所述柱形靶材(20)与所述第一引弧...
【技术特征摘要】
1.一种多弧离子刻蚀镀膜复合装置，包括真空腔室(1)，该真空腔室(1)为密闭空间，且该真空腔室(1)上开设有进气口(11)与排气口(12)，其特征在于，还包括：柱弧机构(2)，所述柱弧机构(2)设置于所述真空腔室(1)横向上的任一一侧，其包括设置于所述真空腔室(1)内的柱形靶材(20)，设置于所述真空腔室(1)外带动柱形靶材(20)旋转的旋转件(21)，设置于所述柱形靶材(20)一侧可与该柱形靶材(20)旋转触碰的第一引弧针(23)，环形罩设于所述柱形靶材(20)与第一引弧针(23)外的防护罩(24)，该防护罩(24)开设有缺口(241)，所述柱形靶材(20)与所述第一引弧针(23)之间设置有第一弧电源(25)，该第一弧电源(25)的负极与所述柱形靶材连接，其正极连接所述第一引弧针(23)与所述真空腔室(1)的外侧壁；圆弧机构(3)，所述圆弧机构(3)至少为一个，其设置于所述柱弧机构(2)对侧的所述真空腔室(1)的内壁上，其与所述柱形靶材(20)之间设置有阳极电源(30)，该阳极电源(30)的负极与所述柱形靶材(20)连接，其正极与所述圆弧机构(3)连接；工件载体(4)，所述工件载体(4)设置于所述柱弧机构(2)与所述圆弧机构(3)之间，其旋转设置于所述真空腔室(1)内，且其与所述真空腔室(1)的外壁之间连接设置有偏置电源(40)，该偏置电源(40)的负极与所述工件载体(4)连接，其正极与所述真空腔室(1)的外壁连接；以及加热件(5)，至少一个所述加热件(5)设置于所述真空腔室(1)内，其设置于所述真空腔室(1)纵向上的的任一一侧的侧壁上。2.根据权利要求1所述的一种多弧离子刻蚀镀膜复合装置，其特征在于，所述柱弧机构(2)还包括：循环冷却接头(26)，所述循环冷却接头(26)设置于所述柱形靶材(20)的顶部，其上并排设置有进液口(261)与出液口(262)；以及电阻件(27)，所述电阻件(27)设置于所述第一引弧针(23)与第一弧电源(25)连接的线路...
【专利技术属性】
技术研发人员：王叔晖，沈平，孟庆学，
申请(专利权)人：法德浙江机械科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33
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