The invention relates to an ultrasonic scanning method and an ultrasonic scanning device. The ultrasonic scanning method includes: providing a wafer to be scanned, the wafer to be scanned is placed on a base station; starting from the initial scanning position of the edge of the base station, the ultrasonic wave is used to scan progressively, and the reflected wave waveform of the ultrasonic wave is obtained. The reflected waveform includes at least a first waveform, which corresponds to the reflected waveform that the scanning position enters the base area from the wafer region; when the first waveform is obtained, it moves to the next line for scanning, and the scanning direction is opposite to the scanning direction of the previous line.
【技术实现步骤摘要】
超声波扫描方法和超声波扫描装置
本专利技术涉及半导体设备领域,尤其涉及一种超声波扫描方法和超声波扫描装置。
技术介绍
超声波在介质中传播时,若遇到不同密度或弹性系数的物质,会产生反射回波,而此种反射回波强度会因材料密度不同而有所差异,超声波扫描(C-SAM)机台正是利用超声波的这一特性来检出材料内部的缺陷并依所接收的信号变化将之形成图像。超声波扫描(C-SAM)主要是针对半导体器件、芯片、材料内部的失效分析,可以在不需破坏器件结构的情况下检查到材料内部的晶格结构、杂质颗粒、夹杂物、沉淀物、内部裂纹、分层缺陷以及各种缺陷等。目前的C-SAM机台在对晶圆进行缺陷检验的过程中,会对放置晶圆的基台整体范围进行扫描,以完整覆盖整个晶圆区域。由于放置晶圆的基台面积通常大于晶圆的范围,这就导致C-SAM机台的扫描区域大于有效扫描区域,从而降低了机台的产出。如何提高C-SAM机台的产出是目前亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是,提供一种超声波扫描方法和超声波扫描装置,提高超声波扫描的效率。为了解决上述问题,本专利技术提供了一种超声波扫描方法,包括:提供一待扫 ...
【技术保护点】
1.一种超声波扫描方法,其特征在于,包括:提供一待扫描晶圆,所述待扫描晶圆置于一基台上;自所述基台边缘初始扫描位置开始,采用超声波进行逐行扫描,并获取超声波的反射波波形,所述反射波波形至少包括第一波形,所述第一波形对应于扫描位置自晶圆区域进入基台区域的反射波形;当获取到所述第一波形时,移动至下一行进行扫描,且扫描方向与上一行的扫描方向相反。
【技术特征摘要】
1.一种超声波扫描方法,其特征在于,包括:提供一待扫描晶圆,所述待扫描晶圆置于一基台上;自所述基台边缘初始扫描位置开始,采用超声波进行逐行扫描,并获取超声波的反射波波形,所述反射波波形至少包括第一波形,所述第一波形对应于扫描位置自晶圆区域进入基台区域的反射波形;当获取到所述第一波形时,移动至下一行进行扫描,且扫描方向与上一行的扫描方向相反。2.根据权利要求1所述的超声波扫描方法,其特征在于,移动至下一行后,还包括沿待扫描行移动一差值距离至晶圆边缘后再进行扫描。3.根据权利要求2所述的超声波扫描方法,其特征在于,当获取到所述第一波形时,根据扫描速度和扫描时间,获得当前扫描位置;根据所述当前扫描位置以及晶圆尺寸,获得所述差值距离。4.根据权利要求3所述的超声波扫描方法,其特征在于,所述待扫描晶圆包括由一直径分割的上半圆和下半圆,超声波扫描方向与所述直径平行,自所述上半圆向下半圆逐行进行扫描;当所述当前扫描位置位于晶圆上半圆时,移动至下一行后,沿待扫描行向晶圆外方向移动一差值距离;当所述当前扫描位置位于晶圆下半圆时,移动至下一行后,沿待扫描行向晶圆内方向移动一差值距离。5.根据权利要求1所述的超声波扫描方法,其特征在于,在进行逐行扫描的过程中,不同行的扫描速率相同。6.一种超声波扫描装置,其特征在于,包括:基台,用于放置待扫描晶圆;超声波扫描头,位于所...
【专利技术属性】
技术研发人员:许平康,刘命江,方桂芹,黄仁德,
申请(专利权)人:德淮半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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