The invention discloses a reference level circuit for a DDR receiver, which comprises: a reference level unit for generating a reference level and converting the reference current from the reference level; a plurality of interface signal units connected to the reference level unit respectively; and a plurality of interface signal units placed in each interface signal unit group for converting the reference current A conversion circuit for reference level. The invention can effectively avoid the noise influence of the transverse line and save the chip area.
【技术实现步骤摘要】
DDR接收器用参考电平电路
本专利技术涉及DDR(双倍速率同步动态随机存储器)
，尤其涉及用于DDR接收器的参考电平电路。
技术介绍
在DDR接口电路中，接收器参考电平的电路需要单独的单元，用来外接参考电平的封装，静电防护或者内部产生参考电平，该参考电平横贯所有DDR接口信号单元，如图2所示，包括参考电平单元1’和各DDR接口信号单元2’。随着接口数量的增多以及工作速度的提高，参考电平横贯线噪声越来越大。另一个常用的方案是在每组接口信号单元里增加一个参考电平单元，如图3所示，包括参考电平单元1’和各DDR接口信号单元组200’导致芯片面积增大，成本增高。因此，如何避免横贯线的噪声影响和节省芯片面积，是本领域技术人员需要研究的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种DDR接收器用参考电平电路，能有效避免横贯线的噪声影响，并节省芯片面积。实现上述目的的技术方案是：一种DDR接收器用参考电平电路，包括：用于产生参考电平，并将参考电平转换参考电流的参考电平单元；分别连接所述参考电平单元的多个接口信号单元组；以及置于每个所述接口信号单元组中，用于将参考电流转换为...
【技术保护点】
1.一种DDR接收器用参考电平电路，其特征在于，包括：用于产生参考电平，并将参考电平转换参考电流的参考电平单元；分别连接所述参考电平单元的多个接口信号单元组；以及置于每个所述接口信号单元组中，用于将参考电流转换为参考电平的转换电路。
【技术特征摘要】
1.一种DDR接收器用参考电平电路，其特征在于，包括：用于产生参考电平，并将参考电平转换参考电流的参考电平单元；分别连接所述参考电平单元的多个接口信号单元组；以及置于每个所述接口信号单元组中，用于将参考电流转换为参考电平的转换电路。2.根据权利要求1所述的DDR接收器用参考电平电路，其特征在于，所述参考电平单元包括：运算放大器、第一电阻、第一至第四PMOS管以及第一至第二NMOS管，其中，所述运算放大器的同相输入端接收参考电平，反相输入端连接所述第一PMOS管的漏极；所述第一至第四PMOS管各自的源极接电源，各自的栅极连接所述运算放大器的输出端；所述第一NMOS管的漏极通过第一电阻连接所述第一PMOS管的漏极，栅极连接所述运算放大器的反相...
【专利技术属性】
技术研发人员：孔亮，
申请(专利权)人：灿芯半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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