一种适用于聚集等离子体的环形挡板组装体制造技术

本发明专利技术公开了一种适用于聚集等离子体的环形挡板组装体，包括上部框架和下部框架，上部框架上端面固接有电源连接部，上部框架上端面环形阵列有若干气管，下部框架与上部框架通过框架连接部固接，下部框架的直径大于上部框架，并且，下部框架比上部框架大的区域上端面开设有若干贯通孔，贯通孔以放射状排列，下部框架内部开设有加热机构限位槽，加热机构限位槽内部固定设有加热机构，加热机构上方固接有加热机构固定罩。本发明专利技术中上部框架和下部框架由相同的材质形成，相互通过硬钎焊接合，构成坚固的结构，提供更易实现等离子封锁的环形隔板装配；本发明专利技术中贯通孔的大小可以根据蚀刻工艺所需要的大小进行装配垫圈进行调节，适应性强。

An annular baffle assembly suitable for aggregated plasma

The invention discloses an annular baffle assembly suitable for aggregated plasma, which comprises an upper frame and a lower frame. The upper end face of the upper frame is fixedly connected with a power connection part, the upper end face of the upper frame is annular array has a number of tracheas, the lower frame and the upper frame are fixedly connected through the frame connection part, and the diameter of the lower frame is larger than that of the upper frame. The upper frame is larger than the upper frame, and the upper end face of the lower frame is provided with a number of through holes arranged in a radial manner. The lower frame is provided with a limiting groove of a heating mechanism. The limiting groove of the heating mechanism is fixed with a heating mechanism, and a fixed cover of the heating mechanism is fixed above the heating mechanism. In the invention, the upper frame and the lower frame are formed by the same material, and are joined together by brazing to form a solid structure, providing an annular partition assembly which is easy to realize plasma blockade; the size of the through hole in the invention can be adjusted according to the size required by the etching process to assemble the gasket, and the adaptability is strong.

【技术实现步骤摘要】
一种适用于聚集等离子体的环形挡板组装体
本专利技术涉及一种挡板，尤其涉及一种适用于聚集等离子体的环形挡板组装体。
技术介绍
在高密度集成电路(LSI；largescaleintegratedcircuit)的制作中，半导体基板的等离子处理被应用在电介质蚀刻,金属蚀刻，化学气相沉积及其他工艺流程中。在半导体处理中，通过更小尺寸及通向线宽的趋势，想要以高精度提高半导体基板物质的遮蔽，蚀刻及沉积性能。蚀刻通过支撑构件支撑的基板的处理领域，由所供应的作业气体可实行无线电频率(RF)电力的许可，最终，电场作业气体因等离子被活性化以后，在处理领域打造反应区域。支撑构件面向在其上部支撑的基板，在等离子内部偏离以便吸引离子。离子面向邻近基板的等离子边界层移动，在边界层留下的时候会加速。加速的离子从基板表面开始去除物质或者创造蚀刻所需要的能量。因为加速的离子在处理腔室内部可以蚀刻其他构成因素，所以在基板的处理领域内封锁离子是有利的。一方面，未封锁的等离子腔室墙上的蚀刻-可引起副产物沉积，并且可能蚀刻腔室壁。腔室壁的蚀刻-副产物沉积可以使工艺漂移。从腔室壁开始被蚀刻的物质通过再次沉积，可能会污染基板。此外，未封锁的等离子在下层区域蚀刻-可能引起副产物沉积。积压的蚀刻-副产物可能剥落成薄片并导致粒子的产生。为了实施这样的工艺，在等离子腔室内部处理领域内部，要求对封锁等离子的隔板装配进行技术研究，在历来的隔板装配中，上部和下部分别由不同的物质组成。上部一般由碳化硅(SiC)，下部由铝(AL)组成，为了使上/下部接合，要求进行额外的焊接作业，也要求进行使物质相互接合的加工工艺，但是作业时间的增加和产品的稳定性存在问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决现有技术中离子封锁结果不理想的缺点，而提出的一种适用于聚集等离子体的环形挡板组装体。为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：设计一种适用于聚集等离子体的环形挡板组装体，包括上部框架和下部框架，上部框架为开口圆环形，上部框架上端面固定连接有电源连接部，上部框架上端面环形阵列有若干气管，下部框架与上部框架同轴设置，下部框架与上部框架通过框架连接部固定连接，下部框架的直径大于上部框架，并且，下部框架比上部框架大的区域上端面开设有若干贯通孔，贯通孔以放射状排列，下部框架内部开设有加热机构限位槽，加热机构限位槽内部固定设有加热机构，加热机构上方固定连接有加热机构固定罩，加热机构包括加热线圈、环形加热器和供应部，环形加热器为内部中空结构，加热线圈设置在环形加热器内部，供应部一端与电源连接部电性连接，供应部另一端与加热线圈固定连接。优选的，上部框架和下部框架均为相同材质制成。优选的，上部框架和下部框架的制作材料为铝合金。优选的，贯通孔内侧壁开设有若干第一卡槽，贯通孔内卡接有垫圈，垫圈外侧壁固定连接有若干卡块，卡块与第一卡槽匹配，垫圈内侧壁开设有若干第二卡槽。优选的，下部框架与上部框架通过框架连接部固定连接的方式为硬钎焊。本专利技术提出的一种适用于聚集等离子体的环形挡板组装体，有益效果在于：本专利技术中上部框架和下部框架由相同的材质形成，相互通过硬钎焊接合，构成坚固的结构，提供更易实现等离子封锁的环形隔板装配；本专利技术中贯通孔的大小可以根据蚀刻工艺所需要的大小进行装配垫圈进行调节，适应性强。附图说明图1为本专利技术的分解立体结构图。图2为本专利技术的正视示意图。图3为本专利技术的加热器结构示意图。图4为本专利技术的第一卡槽结构示意图。图中：1-上部框架，2-下部框架，3-加热机构，4-加热机构固定罩，5-框架连接部，6-加热机构限位槽，7-贯通孔，8-电源连接部，9-气管，10-第一卡槽，11-卡块，12-垫圈，13-第二卡槽，14-加热线圈，15-供应部，16-环形加热器。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。参照图1-4，一种适用于聚集等离子体的环形挡板组装体，包括上部框架1和下部框架2，上部框架1为开口圆环形，上部框架1上端面固定连接有电源连接部8，上部框架1上端面环形阵列有若干气管9，下部框架2与上部框架1同轴设置，下部框架2与上部框架1通过框架连接部5固定连接，下部框架2的直径大于上部框架1，并且，下部框架2比上部框架1大的区域上端面开设有若干贯通孔7，贯通孔7以放射状排列，下部框架2内部开设有加热机构限位槽6，加热机构限位槽6内部固定设有加热机构3，加热机构3上方固定连接有加热机构固定罩4，加热机构3包括加热线圈14、环形加热器16和供应部15，环形加热器16为内部中空结构，加热线圈14设置在环形加热器16内部，供应部15一端与电源连接部8电性连接，供应部15另一端与加热线圈14固定连接。上部框架1和下部框架2均为铝合金制成，下部框架2与上部框架1通过框架连接部5固定连接的方式为硬钎焊。贯通孔7内侧壁开设有若干第一卡槽10，贯通孔7内卡接有若干垫圈12，垫圈12外侧壁固定连接有若干卡块11，卡块11与第一卡槽10匹配，垫圈12内侧壁开设有若干第二卡槽13，垫圈12同心设置，且越向内部靠近的垫圈12越小。工作原理：根据所要蚀刻的工艺确定出所需贯通孔7的大小，进而确定贯通孔7内卡接的垫圈12的数量，将垫圈12外部的卡块11卡接在第一卡槽10内，然后将下一个垫圈12的卡块11卡在上一个垫圈12的第二卡槽13内，电源连接部8通电使加热机构3开始工作，为作业气体能激活等离子而供应热量，使等离子体在上部框架1和下部框架2所形成的空间内活动。以上所述，仅为本专利技术较佳的具体实施方式，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围内，根据本专利技术的技术方案及其专利技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适用于聚集等离子体的环形挡板组装体，包括上部框架（1）和下部框架（2），其特征在于:所述上部框架（1）为开口圆环形，所述上部框架（1）上端面固定连接有电源连接部（8），所述上部框架（1）上端面环形阵列有若干气管（9），所述下部框架（2）与上部框架（1）同轴设置，所述下部框架（2）与上部框架（1）通过框架连接部（5）固定连接，所述下部框架（2）的直径大于上部框架（1），并且，所述下部框架（2）比上部框架（1）大的区域上端面开设有若干贯通孔（7），所述贯通孔（7）以放射状排列，所述下部框架（2）内部开设有加热机构限位槽（6），所述加热机构限位槽（6）内部固定设有加热机构（3），所述加热机构（3）上方固定连接有加热机构固定罩（4），所述加热机构（3）包括加热线圈（14）、环形加热器（16）和供应部（15），所述环形加热器（16）为内部中空结构，所述加热线圈（14）设置在环形加热器（16）内部，所述供应部（15）一端与电源连接部（8）电性连接，所述供应部（15）另一端与加热线圈（14）固定连接。

【技术特征摘要】
1.一种适用于聚集等离子体的环形挡板组装体，包括上部框架（1）和下部框架（2），其特征在于:所述上部框架（1）为开口圆环形，所述上部框架（1）上端面固定连接有电源连接部（8），所述上部框架（1）上端面环形阵列有若干气管（9），所述下部框架（2）与上部框架（1）同轴设置，所述下部框架（2）与上部框架（1）通过框架连接部（5）固定连接，所述下部框架（2）的直径大于上部框架（1），并且，所述下部框架（2）比上部框架（1）大的区域上端面开设有若干贯通孔（7），所述贯通孔（7）以放射状排列，所述下部框架（2）内部开设有加热机构限位槽（6），所述加热机构限位槽（6）内部固定设有加热机构（3），所述加热机构（3）上方固定连接有加热机构固定罩（4），所述加热机构（3）包括加热线圈（14）、环形加热器（16）和供应部（15），所述环形加热器（16）为内部中空结构，所述加热线圈（14）设置在环形加热器（16）内部，所述供...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴兴植，韩相镇，
申请(专利权)人：合肥微睿光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34