发光器件制造技术

实施例的发光器件包括：衬底；发光结构，布置在衬底下方并且包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；基座，布置为面向衬底；第一金属焊盘和第二金属焊盘，彼此间隔开地布置在基座上；第一凸块，布置在第一金属焊盘上；多个第二凸块，彼此间隔开地布置在第二金属焊盘上；第一欧姆层，介于第一导电半导体层与第一凸块之间；第二欧姆层，介于第二导电半导体层与多个第二凸块之间；第一扩散层，介于第一欧姆层与第一凸块之间；第二扩散层，介于第二欧姆层与多个第二凸块之间；以及电流阻挡层，布置在第二欧姆层的在发光结构的厚度方向上与多个第二凸块之间的空间重叠的最大热量发射部中而不在与厚度方向相交的水平方向上割断第二欧姆层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光器件
专利技术涉及一种发光器件。
技术介绍
发光二极管(LED)是一种通过利用化合物半导体的特性，将电转换为红外光或用于接收或发送信号或用作光源的光的半导体。III-V族氮化物半导体由于其物理和化学特性而成为诸如LED或激光二极管(LD)之类的发光器件的重要材料而备受关注。由于LED不包含诸如白炽灯和荧光灯等常规照明设备中使用的汞(Hg)等对环境有害的物质，因此LED具有高度环境友好的特性，并且由于LED具有延长的寿命、低功耗特性等的优点，LED已经取代传统的光源。在上述发光器件和包括该发光器件的发光器件封装的情况下，由于供应载流子的路径和散热的路径相同，因此可能存在热恶化现象，其中热量难以散发到外部。特别是，在发光器件发射深紫外光的情况下，由于高驱动电压可能会进一步增加热损失率。
技术实现思路
[技术问题]本专利技术旨在提供一种具有改进的可靠性的发光器件。[技术方案]本专利技术的一个方面提供了一种发光器件，包括：衬底；发光结构，布置在所述衬底下方并且包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；基座，布置为面向所述衬底；第一金属焊盘和第二金属焊盘，彼此间隔开地布置在所述基座上；第一凸块，布置在所述第一金属焊盘上；多个第二凸块，彼此间隔开地布置在所述第二金属焊盘上；第一欧姆层，介于所述第一导电半导体层与所述第一凸块之间；第二欧姆层，介于所述第二导电半导体层与所述多个第二凸块之间；第一扩散层，介于所述第一欧姆层与所述第一凸块之间；第二扩散层，介于所述第二欧姆层与所述多个第二凸块之间；以及电流阻挡层，布置在所述第二欧姆层的最大受热区域中，使得所述电流阻挡层不在与所述厚度方向相交的水平方向上切断所述第二欧姆层，所述最大受热区域在发光结构的厚度方向上与多个第二凸块之间的空间重叠。所述第二欧姆层可以包括：第一区域，对应于所述最大受热区域；和第二区域，在与所述发光结构的厚度方向相交的所述水平方向上与所述第一区域相邻。所述电流阻挡层可以被布置为从所述第一区域延伸到所述第二区域。所述电流阻挡层可以包括布置在所述最大受热区域的所述第一区域中的第一段。所述电流阻挡层还可以包括从所述第一段延伸到所述第二区域并且在所述发光结构的所述厚度方向上与所述多个第二凸块重叠的第二段。所述电流阻挡层的宽度可以大于或等于所述最大受热区域的宽度。所述电流阻挡层可以包括：第一表面，与所述第二导电半导体层接触；和第二表面，在所述发光结构的所述厚度方向上面向所述第二扩散层并且布置为与所述第一表面相对。所述第二欧姆层可以包括透光导电材料；和从所述电流阻挡层的所述第二表面到所述第二扩散层的最短距离在1nm到10nm的范围内。或者，所述第二欧姆层可以包括金属材料；和从所述电流阻挡层的所述第二表面到所述第二扩散层的最短距离为200nm或更大。第一段的宽度可以在10μm至90μm的范围内，第二段的宽度可以在5μm至25μm的范围内。第二段的宽度可以是15μm。所述电流阻挡层可以包括与所述第二导电半导体层肖特基接触的空气或材料，或者可以由于等离子体损伤而形成。在电流阻挡层由于等离子体损伤而形成的情况下，电流阻挡层可包括氩、氟和氧原子中的至少一种。或者，所述电流阻挡层可以包括绝缘材料。所述有源层可以发射深紫外线波段的光。所述电流阻挡层可以包括形成在所述多个第二凸块之间并且沿所述水平方向布置的多个电流阻挡层。所述多个电流阻挡层可以被布置为彼此等距离地间隔开。所述多个电流阻挡层的水平宽度可以相等。本专利技术的另一个方面提供一种发光器件，包括：布置成彼此相对的衬底和基座；多个金属焊盘，彼此间隔开地布置在所述基座上；发光结构，介于所述衬底与所述基座之间；多个凸块，介于所述发光结构与所述多个金属焊盘之间；电极层，介于所述发光结构与所述多个凸块之间；和电流阻挡层，布置所述电极层的最大受热区域中，使得所述电流阻挡层不在与所述厚度方向相交的方向上切断所述电极层，所述最大受热区域在所述发光结构的厚度方向上与所述多个凸块之间的区域重叠。所述电极层可以包括：欧姆层，介于所述发光结构与所述多个凸块之间；和扩散层，介于所述欧姆层与所述多个凸块之间，其中所述电流阻挡层布置在所述欧姆层中。所述发光结构可以包括：第一导电半导体层，布置在所述衬底下方；有源层，布置在所述第一导电半导体层下方；和第二导电半导体层，布置在所述有源层下方。所述欧姆层可以包括第一欧姆层和第二欧姆层，所述扩散层包括第一扩散层和第二扩散层，并且所述多个金属焊盘包括第一金属焊盘和第二金属焊盘；所述多个凸块可以包括布置在所述第一扩散层与所述第一金属焊盘之间的第一凸块以及介于所述第二扩散层与所述第二金属焊盘之间的多个第二凸块；和电流阻挡层可以布置在位于所述第二欧姆层中的所述最大受热区域中。所述电流阻挡层可以被布置为从所述最大受热区域延伸到在所述厚度方向上与所述多个第二凸块重叠的区域。[有益效果]根据实施例的发光器件和包括该发光器件的发光器件封装具有改进的可靠性，其中通过布置在欧姆层中的电流阻挡层可以防止热恶化现象，通过改善热损耗率可以实现延长的寿命，即使在高驱动电压下也是如此，等等。附图说明图1是示出根据第一实施例的发光器件的截面图。图2是示出图1中所示的部分'A'的放大截面图。图3是示出图1所示的发光器件的示例的仰视图。图4是示出根据第二实施例的发光器件的截面图。图5是示出图4中所示部分'B'的放大的截面图。图6是示出根据第三实施例的发光器件的截面图。图7a和图7b是示出根据第一和第二比较示例的发光器件的截面图。图8是根据比较示例和实施例的发光器件中根据老化时间的正向电压的变化的曲线图。图9是示出根据第三比较示例的发光器件的截面图。图10a至图10c是示出根据比较示例和实施例的发光器件的电路图的视图。图11是示出根据第一实施例的发光器件封装的截面图。具体实施方式在下文中，将参照附图详细描述实施例以具体描述本专利技术，以促进对本专利技术的理解。然而，本专利技术的实施例可以被修改为各种形式，并且不应该被解释为本专利技术的范围不限于下面将描述的实施例。提供本专利技术的实施例是为了将本专利技术更全面地解释给本领域普通技术人员。在对本专利技术的实施例的描述中，当元件被称为在另一元件的“上面或下面”时，术语“在上面或者下面”是指两个元件之间的直接连接或者在两个元件之间形成一个或多个元件的两个元件之间的间接连接。另外，当使用术语“在上面或者下面”时，它可以指相对于元件向下的方向以及向上的方向。另外，可以使用诸如“第一”和“第二”、“上面/上方/之上”和“下面/下方/之下”等相对术语来区分任何一个对象或元件与另一个对象或元件，同时不需要或指示对象或元件之间的物理或逻辑关系或顺序。图1是示出根据第一实施例的发光器件100A的截面图，图2是示出图1中所示的部分'A'的放大截面图，图3是示出图1所示的发光器件100A的示例的仰视图。虽然图1对应于沿图3中所示的线I-I'截取的截面图，但是该实施例不限于此。也就是说，图1中所示的发光器件100A还可以具有除了图3所示的仰视图之外的各种仰视图。图1所示的发光器件100A可以包括衬底110、发光结构120、第一和第二欧姆层(或接触层或电极)132和134A、第一和第二扩散层142和144、至少一个第一凸块152、多个第二凸块154、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光器件，包括：衬底；发光结构，布置在所述衬底下方并且包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；基座，布置为面向所述衬底；第一金属焊盘和第二金属焊盘，彼此间隔开地布置在所述基座上；第一凸块，布置在所述第一金属焊盘上；多个第二凸块，彼此间隔开地布置在所述第二金属焊盘上；第一欧姆层，介于所述第一导电半导体层与所述第一凸块之间；第二欧姆层，介于所述第二导电半导体层与所述多个第二凸块之间；第一扩散层，介于所述第一欧姆层与所述第一凸块之间；第二扩散层，介于所述第二欧姆层与所述多个第二凸块之间；以及电流阻挡层，布置在所述第二欧姆层的最大受热区域中，使得所述电流阻挡层不在与所述厚度方向相交的水平方向上切断所述第二欧姆层，所述最大受热区域在所述发光结构的厚度方向上与所述多个第二凸块之间的区域重叠。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.01.07 KR 10-2016-00018331.一种发光器件，包括：衬底；发光结构，布置在所述衬底下方并且包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；基座，布置为面向所述衬底；第一金属焊盘和第二金属焊盘，彼此间隔开地布置在所述基座上；第一凸块，布置在所述第一金属焊盘上；多个第二凸块，彼此间隔开地布置在所述第二金属焊盘上；第一欧姆层，介于所述第一导电半导体层与所述第一凸块之间；第二欧姆层，介于所述第二导电半导体层与所述多个第二凸块之间；第一扩散层，介于所述第一欧姆层与所述第一凸块之间；第二扩散层，介于所述第二欧姆层与所述多个第二凸块之间；以及电流阻挡层，布置在所述第二欧姆层的最大受热区域中，使得所述电流阻挡层不在与所述厚度方向相交的水平方向上切断所述第二欧姆层，所述最大受热区域在所述发光结构的厚度方向上与所述多个第二凸块之间的区域重叠。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二欧姆层包括：第一区域，对应于所述最大受热区域；和第二区域，在与所述发光结构的厚度方向相交的所述水平方向上与所述第一区域相邻。3.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述电流阻挡层被布置为从所述第一区域延伸到所述第二区域。4.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述电流阻挡层包括布置在所述最大受热区域的所述第一区域中的第一段。5.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述电流阻挡层还包括从所述第一段延伸到所述第二区域并且在所述发光结构的所述厚度方向上与所述多个第二凸块重叠的第二段。6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述电流阻挡层的宽度大于或等于所述最大受热区域的宽度。7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述电流阻挡层包括：第一表面，与所述第二导电半导体层接触；和第二表面，在所述发光结构的所述厚度方向上面向所述第二扩散层并且布置为与所述第一表面相对。8.根据权利要求7所述的发光器件，其中：所述第二欧姆层包括透光导电材料；和从所述电流阻挡层的所述第二表面到所述第二扩散层的最短距离在1nm到10nm的范围内。9.根据权利要求7所述的发光器件，其中：所述第二欧姆层包括金属材料；和从所述电流阻挡层的所述第二表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋炫暾，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR