陶瓷板弯曲变形的矫正方法及陶瓷板技术

本发明专利技术公开了一种陶瓷板弯曲变形的矫正方法及陶瓷板，涉及陶瓷精加工技术领域。该矫正方法包括以下步骤：将变形陶瓷板的平面部分朝下自然放置于平面基片上，经复火和冷却后，得到矫正陶瓷板；其中，复火时，将温度在5～8h内由环境温度缓慢升至1000～1100℃。本发明专利技术方法缓解了对陶瓷板进行抛光时由于陶瓷板上下表面粗糙度不同导致两面应力不等，造成陶瓷板弯曲变形的技术问题，通过采用本发明专利技术的复火矫正工艺在升温过程中消除变形陶瓷板的内部应力，变形陶瓷板的内部应力释放后，弯曲变形的陶瓷板可以恢复原有状态，实现对陶瓷板变形后的矫正，矫正后的陶瓷板平整度好，在0.01～0.025mm以内。

Correction method of ceramic plate bending deformation and ceramic plate

The invention discloses a method for rectifying the bending deformation of a ceramic plate and a ceramic plate, which relates to the technical field of ceramic finishing. The rectification method comprises the following steps: placing the plane part of the deformed ceramic plate on the plane substrate naturally downward, and after tempering and cooling, the rectified ceramic plate is obtained; and when tempering, the temperature rises slowly from the ambient temperature to 1000-1100 (?) C within 5-8 hours. The method of the invention alleviates the technical problem of bending deformation of the ceramic plate caused by the different surface roughness of the upper and lower surfaces of the ceramic plate when polishing the ceramic plate. The internal stress of the deformed ceramic plate is eliminated and the internal stress of the deformed ceramic plate is released in the process of heating up by adopting the restoring rectification process of the invention. After placing, the bending deformation of the ceramic plate can be restored to its original state, and the rectification of the ceramic plate after deformation can be realized. The rectified ceramic plate has good flatness, ranging from 0.01 to 0.025mm.

【技术实现步骤摘要】
陶瓷板弯曲变形的矫正方法及陶瓷板
本专利技术涉及陶瓷精加工
，具体而言，涉及一种陶瓷板弯曲变形的矫正方法及陶瓷板。
技术介绍
陶瓷具有很好的耐磨性，硬度仅次于金刚石达到莫氏9级，同时陶瓷致密性使其具有比钢化玻璃更强的强度，陶瓷的上述两个特性十分适用于用来制作高端手表、手机及其他电子原件的外壳等配件。同时陶瓷的生产制作过程比传统的塑料和玻璃等的生产制造过程更加环保和节能，因此陶瓷材料取代传统的塑料、不锈钢材料等作为电子产品的外壳，是技术发展的必然趋势。在传统的陶瓷3D盖板抛光加工中，凸面与凹面因加工形状不一致，故抛光方法无法一致，导致凹面与凸面粗糙度不一致，而陶瓷是在抛光后增加应力的，产品在抛光后因凹面与凸面粗糙度不一致导致两面应力不等而变形，通常凸面在外面很容易抛光，而凹面因结构局限抛不到凸面的效果，产品就朝凸面弯曲变形，变形后的陶瓷盖板平整度在1～3mm左右，这样的平整度不能满足需要。有鉴于此，特提出本专利技术。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于提供一种陶瓷板弯曲变形的矫正方法，该方法通过将变形陶瓷板的平面部分朝下自然放置于平面基片上进行复火，以消除变形陶瓷板的内部应力，变形陶瓷板的内部应力释放后，弯曲变形的陶瓷板可以恢复原有状态，实现对陶瓷板变形后的矫正。本专利技术的目的之二在于提供一种所述方法矫正后的陶瓷板，矫正后的陶瓷板的平整度为0.01～0.025mm，低平整度能够满足陶瓷板的需求。为了实现本专利技术的上述目的，特采用以下技术方案：一种陶瓷板弯曲变形的矫正方法，包括以下步骤：将变形陶瓷板的平面部分朝下自然放置于平面基片上，经复火和冷却后，得到矫正陶瓷板；其中，复火时，将温度在5～8h内由环境温度缓慢升至1100℃。优选地，在本专利技术提供的技术方案的基础上，所述平面基片为氧化铝平面基片；平面基片的粗糙度为20～30nm，平面基片的平整度为0～0.25mm。进一步，在本专利技术提供的技术方案的基础上，复火和冷却过程在窑炉中进行，窑炉包括待温区、第一升温区、第二升温区、第三升温区、第四升温区、第五升温区和降温区；待温区的温度为环境温度，停留时间为2～3h；第一升温区的温度为320±20℃，停留时间为1～2h；第二升温区的温度为650±20℃，停留时间为1～2h；第三升温区的温度为910±20℃，停留时间为1～2h；第四升温区的温度为1075±20℃，停留时间为1～2h；第五升温区的温度为1040±20℃，停留时间为1～2h；降温区的温度为环境温度，冷却时间为5～7h。进一步，在本专利技术提供的技术方案的基础上，所述平面基片下方还设置有承烧板；所述承烧板的尺寸大于所述平面基片的尺寸。优选地，在本专利技术提供的技术方案的基础上，所述承烧板的材质为刚玉莫来石或氧化铝。优选地，在本专利技术提供的技术方案的基础上，所述承烧板设置为多层，每层所述承烧板之间设有支撑垫块；优选地，所述支撑垫块为氧化铝支撑垫块。进一步，在本专利技术提供的技术方案的基础上，所述方法还包括先将变形陶瓷板清洗干净，用薄膜包覆后再置于平面基片上进行复火和冷却的步骤。优选地，在本专利技术提供的技术方案的基础上，所述陶瓷板为2D陶瓷板、2.5D陶瓷板或3D陶瓷板。优选地，在本专利技术提供的技术方案的基础上，陶瓷板弯曲变形的矫正方法，包括以下步骤：(a)将变形陶瓷板用无尘布蘸取无水酒精或高纯度异丙醇擦拭干净后用薄膜包覆；(b)将多个刚玉莫来石承烧板平行设置，每个承烧板之间设有氧化铝支撑垫块，形成多层承烧板；在每层承烧板上由下至上依次放置平面基片和包覆好的变形陶瓷板，放置变形陶瓷板时，将包覆好的变形陶瓷板的平面部分朝下自然放置于平面基片上；(c)将放有平面基片和变形陶瓷板的多层承烧板置于窑炉的传送机构上，在窑炉中进行复火和冷却，得到矫正陶瓷板；窑炉包括待温区、第一升温区、第二升温区、第三升温区、第四升温区、第五升温区和降温区；待温区的温度为环境温度，停留时间为2.46h；第一升温区的温度为320℃，停留时间为1.23h；第二升温区的温度为650℃，停留时间为1.23h；第三升温区的温度为910℃，停留时间为1.23h；第四升温区的温度为1075℃，停留时间为1.23h；第五升温区的温度为1040℃，停留时间为1.23h；降温区的温度为环境温度，冷却时间为6.1h。一种上述的陶瓷板弯曲变形的矫正方法矫正的陶瓷板，所述陶瓷板的平整度为0.01～0.025mm。与已有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：(1)本专利技术的矫正方法将变形陶瓷板的平面部分朝下自然放置于平面基片上，变形陶瓷板与平面基片两者平面间的接触有助于矫正平整度，进行复火升温，升温过程可以消除变形陶瓷板的内部应力，使变形陶瓷板的内部应力得以释放，释放后弯曲变形的陶瓷板恢复原有状态，实现了对弯曲变形陶瓷板的矫正。(2)本专利技术的矫正方法简单、易于控制操作。(3)弯曲变形陶瓷板的平整度在1～3mm，采用此矫正方法矫正出来的陶瓷板平整度为0.01～0.025mm，矫正效果好，一次合格率为99％，满足使用需要。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为现有陶瓷板的纵向截面示意图，其中(a)为2D陶瓷板纵向截面示意图，(b)为2.5D陶瓷板纵向截面示意图，(c)为一种3D陶瓷板纵向截面示意图，(d)为另一种3D陶瓷板纵向截面示意图；图2为本专利技术提供的放有平面基片和变形陶瓷板的承烧板的结构示意图；图3为实施例一提供的放有平面基片和变形陶瓷板的承烧板的纵向剖面图；图4为实施例二提供的放有平面基片和变形陶瓷板的承烧板的纵向剖面图；图5为实施例三提供的放有平面基片和变形陶瓷板的承烧板的纵向剖面图；图6为实施例四提供的放有平面基片和变形陶瓷板的承烧板的纵向剖面图。图标：100-陶瓷板；200-平面基片；300-承烧板；400-支撑垫块；500-垫块。具体实施方式下面将结合实施例对本专利技术的实施方案进行详细描述，但是本领域技术人员将会理解，下列实施例仅用于说明本专利技术，而不应视为限制本专利技术的范围。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。根据本专利技术的一个方面，提供了一种陶瓷板弯曲变形的矫正方法，包括以下步骤：将变形陶瓷板的平面部分朝下自然放置于平面基片上，经复火和冷却后，得到矫正陶瓷板；其中，复火时，将温度在5～8h内由环境温度缓慢升至1000～1100℃。在升温过程中复火，将温度在5～8h内由环境温度缓慢升至1000～1100℃，例如1000℃、1040℃或1075℃，升温时间典型但非限制性的例如为5h、6h、7h或8h；环境温度指未复火时陶瓷板周围的自然环境温度。冷却指使热物体的温度降低而不发生相变化的过程，为了防止冷热交替太大而造成陶瓷板开裂，本专利技术的冷却采取自然冷却的方式，即通过周围的气流来带走热量，而不采用快速冷却的方式。复火和冷却过程可在窑炉内进行。升温时，可以在上述时间内进行均匀升温，也可以分阶段进行升温，例如在前两小时内温本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种陶瓷板弯曲变形的矫正方法，其特征在于，包括以下步骤：将变形陶瓷板的平面部分朝下自然放置于平面基片上，经复火和冷却后，得到矫正陶瓷板；其中，复火时，将温度在5～8h内由环境温度缓慢升至1000～1100℃。

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷板弯曲变形的矫正方法，其特征在于，包括以下步骤：将变形陶瓷板的平面部分朝下自然放置于平面基片上，经复火和冷却后，得到矫正陶瓷板；其中，复火时，将温度在5～8h内由环境温度缓慢升至1000～1100℃。2.按照权利要求1所述的陶瓷板弯曲变形的矫正方法，其特征在于，所述平面基片为氧化铝平面基片；平面基片的粗糙度为20～30nm，平面基片的平整度为0～0.25mm。3.按照权利要求1或2所述的陶瓷板弯曲变形的矫正方法，其特征在于，复火和冷却过程在窑炉中进行，窑炉包括待温区、第一升温区、第二升温区、第三升温区、第四升温区、第五升温区和降温区；待温区的温度为环境温度，停留时间为2～3h；第一升温区的温度为320±20℃，停留时间为1～2h；第二升温区的温度为650±20℃，停留时间为1～2h；第三升温区的温度为910±20℃，停留时间为1～2h；第四升温区的温度为1075±20℃，停留时间为1～2h；第五升温区的温度为1040±20℃，停留时间为1～2h；降温区的温度为环境温度，冷却时间为5～7h。4.按照权利要求1或2所述的陶瓷板弯曲变形的矫正方法，其特征在于，所述平面基片下方还设置有承烧板；所述承烧板的尺寸大于所述平面基片的尺寸。5.按照权利要求4所述的陶瓷板弯曲变形的矫正方法，其特征在于，所述承烧板的材质为刚玉莫来石或氧化铝。6.按照权利要求5所述的陶瓷板弯曲变形的矫正方法，其特征在于，所述承烧板设置为多层，每层所述承烧板之间设有支撑垫块；优选地，所述支撑垫块为氧化铝支撑垫块。7....

【专利技术属性】
技术研发人员：饶桥兵，聂小威，
申请(专利权)人：蓝思科技长沙有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南,43