The utility model discloses a low energy consumption silicon carbide semiconductor field effect transistor, which comprises a transistor body. The transistor body surface is provided with a transistor fixed hole near one end, and one side of the transistor body is provided with a multi-functional groove, the other end of the transistor fixed hole is located on the surface of the transistor body. A base groove is arranged on one side of the base groove, and a collector groove is arranged on the other side of the base groove. The emitter groove is arranged on the other side of the base groove, and the transistor motor is arranged in a rotatable connection mode. The electrode can be placed in the set groove when the transistor is installed and transported, and the electrode can be removed when the transistor is installed. To prevent the electrode from breaking due to bumping or bumping, a plurality of semicircular grooves are arranged on the side of the transistor. The transistor can be fixed through the grooves. When using the transistor, the heat dissipation effect of the transistor can be improved by increasing the surface, and the performance of the transistor can be improved.
【技术实现步骤摘要】
一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管
本技术属于电子元件
,具体涉及一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管。
技术介绍
晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能,晶体管作为一种可变开关,基于输入的电压,控制流出的电流,因此晶体管可做为电流的开关,和一般机械开关(如Relay、switch)不同处在于晶体管是利用电讯号来控制,而且开关速度可以非常之快,在实验室中的切换速度可达100GHz以上,严格意义上讲,晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件,包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等,晶体管有时多指晶体三极管,晶体管主要分为两大类:双极性晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)。现有的一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管,晶体管的电极硬度较低,在安装或者运输时若不注意碰到电机易将电极压弯或者碰断,造成不必要的损失,且晶体管在运输时不便于固定,在使用时晶体管的散热对使用也有影响的问题,为此我们提出一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管,以解决上述
技术介绍
中提出的现有的一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管,晶体管的电极硬度较低,在安装或者运输时若不注意碰到电机易将电极压弯或者碰断,造成不必要的损失,且晶体管在运输时不便于固定,在使用时晶体管的散热对使用也有影响的问题。为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管,包括晶体管主体,所述晶体管主体表面靠近一端设置有晶体管固定 ...
【技术保护点】
1.一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管,包括晶体管主体(1),其特征在于:所述晶体管主体(1)表面靠近一端设置有晶体管固定孔(2),所述晶体管主体(1)的一侧设置有多功能开槽(3),所述晶体管固定孔(2)的一端位于晶体管主体(1)的表面设置有基极凹槽(10),所述基极凹槽(10)的一侧设置有集电极凹槽(9),所述基极凹槽(10)的另一侧设置有发射极凹槽(4),所述晶体管主体(1)的表面靠近另一端连接设置有电极转轴(8),所述集电极凹槽(9)的一端通过电极转轴(8)连接设置有晶体管集电极(7),所述基极凹槽(10)的一端通过电极转轴(8)连接设置有晶体管基极(6),所述发射极凹槽(4)的一端通过电极转轴(8)连接设置有晶体管发射极(5),所述晶体管发射极(5)、晶体管基极(6)和晶体管集电极(7)固定连接在电极转轴(8)上。
【技术特征摘要】
1.一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管,包括晶体管主体(1),其特征在于:所述晶体管主体(1)表面靠近一端设置有晶体管固定孔(2),所述晶体管主体(1)的一侧设置有多功能开槽(3),所述晶体管固定孔(2)的一端位于晶体管主体(1)的表面设置有基极凹槽(10),所述基极凹槽(10)的一侧设置有集电极凹槽(9),所述基极凹槽(10)的另一侧设置有发射极凹槽(4),所述晶体管主体(1)的表面靠近另一端连接设置有电极转轴(8),所述集电极凹槽(9)的一端通过电极转轴(8)连接设置有晶体管集电极(7),所述基极凹槽(10)的一端通过电极转轴(8)连接设置有晶体管基极(6),所述发射极凹槽(4)的一端通过电极转轴(8)连接设置有晶体管发射极(5),所述晶体管发射极(5)、晶...
【专利技术属性】
技术研发人员:张翅,
申请(专利权)人:厦门芯光润泽科技有限公司,
类型:新型
国别省市:福建,35
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