切割晶圆的方法及半导体芯片技术

各种实施例涉及切割晶圆的方法及半导体芯片。一种切割晶圆的方法可以包括：在晶圆中形成多个有源区，每个有源区包括至少一个电子部件，有源区通过一定高度从晶圆的第一表面延伸到晶圆中并且被分离区域分离，分离区域没有金属；在至少一个分离区域中通过从晶圆的第一表面进行等离子体刻蚀而在晶圆中形成至少一个沟槽。该至少一个沟槽比多个有源区更远地延伸到晶圆中。方法可以进一步包括处理在分离区域中的晶圆的剩余部分以将晶圆分离成单独的芯片。

【技术实现步骤摘要】
切割晶圆的方法及半导体芯片本申请是申请日为2015年12月15日、申请号为201510937887.1、专利技术名称为“切割晶圆的方法及半导体芯片”的中国专利技术专利申请的分案申请。
各种实施例总体上涉及一种切割晶圆的方法和一种半导体芯片。
技术介绍
特别是包括小型芯片(例如使用65nm技术(或甚至更小)形成的芯片)的晶圆可以包括具有小的介电常数的层，也就是所谓的低k层。低k层可能相当易碎，例如比二氧化硅或其他通常使用的电介质更易碎。这在锯切晶圆以将其切割成单独的芯片时可能引起问题。单独的芯片可能遭受所谓的破片(在芯片的新形成的边缘处断裂的材料的小芯片)。破片可能会非常严重以至于不得不将芯片丢弃。为了避免芯片的功能受破片影响，可以扩大在芯片的功能区域之间的可以进行切割的间隔。然而，这可能降低每个晶圆的芯片数并且因此增加制造成本。备选地，可以使用激光，例如通过激光烧蚀(也被称为激光开槽)将易碎层分离。然而，被烧蚀的材料(可能停留在芯片上)和/或由激光引入到晶圆中(例如到芯片的有源区中)的热量两者可能导致对芯片的损伤，这种芯片不得不被丢弃。这意味着生产工艺的产出可能下降，因此增加制造成本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种切割晶圆的方法，所述方法包括：在所述晶圆中形成多个有源区，每个有源区包括至少一个电子部件，所述有源区通过一定高度从所述晶圆的第一表面延伸到所述晶圆中并且被分离区域分离；在至少一个分离区域中通过从所述晶圆的所述第一表面进行等离子体刻蚀而在所述晶圆中形成至少一个沟槽，其中所述至少一个沟槽比所述多个有源区更远地延伸到所述晶圆中；以及处理在所述至少一个分离区域中的所述晶圆的剩余部分以将所述晶圆分离成单独的芯片，其中处理所述晶圆的所述剩余部分包括激光烧蚀、激光隐形切割和锯切中的至少一种。

【技术特征摘要】
2015.01.20 DE 102015100783.51.一种切割晶圆的方法，所述方法包括：在所述晶圆中形成多个有源区，每个有源区包括至少一个电子部件，所述有源区通过一定高度从所述晶圆的第一表面延伸到所述晶圆中并且被分离区域分离；在至少一个分离区域中通过从所述晶圆的所述第一表面进行等离子体刻蚀而在所述晶圆中形成至少一个沟槽，其中所述至少一个沟槽比所述多个有源区更远地延伸到所述晶圆中；以及处理在所述至少一个分离区域中的所述晶圆的剩余部分以将所述晶圆分离成单独的芯片，其中处理所述晶圆的所述剩余部分包括激光烧蚀、激光隐形切割和锯切中的至少一种。2.根据权利要求1所述的方法，其中用于所述激光烧蚀或者所述激光隐形切割的激光的波长大于750nm。3.根据权利要求1所述的方法，其中处理所述晶圆的所述剩余部分是从所述晶圆的第一侧被执行，其中所述晶圆的所述第一表面位于所述晶圆的所述第一侧上。4.根据权利要求1所述的方法，其中处理所述晶圆的所述剩余部分是在所述晶圆的所述多个有源区下方的预定义距离处被执行。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述预定义距离基于从激光烧蚀和激光隐形切割中的所述至少一种向所述晶圆的期望的热传递。6.根据权利要求1所述的方法，其中处理所述晶圆的所述剩余部分包括修改所述剩余部分的结构以形成至少一个缺陷区域。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述至少一个缺陷区域比所述至少一个沟槽的宽度窄。8.根据权利要求6所述的方法，还包括：施加扩张的横向力以折断所述至少一个缺陷区域，从而将所述晶圆分离为所述单独的芯片。9.根据权利要求1所述的方法，其中处理所述晶圆的所述剩余部分包括在所述剩余部分中形成至少一个拆卸区域，从而将所述晶圆分离成所述单独的芯片。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述至少一个拆卸区域比所述至少一个沟槽的宽度窄。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个有源区被形成在所述晶圆的半导体材料中。12.根据权利要求11所述的方法，其中所述分离区域包括所述半导体材料。13.一种切割晶圆的方法，所述方法包括：在所述晶圆中形成多个有源区，每个有源区包括至少一个电子部件，所述有源区通过一定高度从所述晶圆的第一表面延伸到所述晶圆中并且被分离区域分离；在至...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·布伦鲍尔，B·德鲁默，K·卡斯帕，G·马克，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE