一种以锌锡铝钾氧化物为沟道层的薄膜晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术涉及薄膜晶体管技术领域，具体是一种以锌锡铝钾氧化物为沟道层的薄膜晶体管及其制备方法。本发明专利技术以锌锡铝钾氧化物材料作为沟道层，以有机聚四乙烯苯酚(PVP)材料作为绝缘层，以铝作为源、漏、栅电极，在普通玻璃基底上制备了顶栅共面结构的TFT。本发明专利技术中，沟道层及介质层均采用溶胶凝胶法的浸渍提拉工艺来制备，源、漏、栅电极采用真空热蒸发的方法制备。最终得到了一种具有较高饱和迁移率62.3cm2/Vs，较低亚阈值摆幅0.09V/decade，接近于零的阈值电压0.23V，较低的关态电流(

【技术实现步骤摘要】
一种以锌锡铝钾氧化物为沟道层的薄膜晶体管及其制备方法
本专利技术涉及薄膜晶体管
，具体是一种以锌锡铝钾氧化物为沟道层的薄膜晶体管及其制备方法。
技术介绍
薄膜晶体管(TFT)作为有源矩阵有机发光二极管显示(ActiveMatrixOriganicLight-EmittingDiode，AMOLED)技术中的核心元件，其包括基底、沟道层、绝缘层、栅极、源极和漏极等几个重要组成部分。目前，基于透明非晶氧化物半导体(TAOS)薄膜作为沟道层的氧化物TFT，凭借其迁移率高、可见光透明性好以及均匀性优良等特点成为最具潜力应用于AMOLED的新一代TFT技术。在氧化物TFT中，基于铟嫁锌氧化物(In-Ga-Zn-O,IGZO)材料的沟道层TFT的研究已取得了一些实质性的进展，但考虑到In、Ga的消耗与日聚增，价格持续上涨，开发不含In、Ga的新型TAOS沟道层材料是本领域的重点研究方向。锌锡氧化物(Zn-Sn-O,ZTO)具备良好的环境稳定性、高的可见光透过率、易形成平整的非晶薄膜以及组成元素丰富等优点，有潜力用于制备不含In、Ga的高迁移率氧化物沟道层材料。然而，ZTO中天然存在着氧空位本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种以锌锡铝钾氧化物为沟道层的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将Zn(C2H3O2)2·5H2O、SnCl2·2H2O、AlCl3·6H2O和KCl·3H2O溶于乙二醇中，以乙醇胺作为稳定剂，50‑80℃下搅拌24‑48小时形成透明的前驱体溶液；(2)将所得的前驱体溶液静置老化后，在玻璃基底上浸渍提拉镀膜，将提拉结束后的湿膜放入烘箱内，在200‑250℃温度下预处理20‑60分钟，然后经350‑500℃退火1‑5小时，得到锌锡铝钾氧化物沟道层；(3)结合掩膜，利用真空热蒸发的方法在步骤(2)所得锌锡铝钾氧化物沟道层上制备源电极和漏电极；(4)采用浸渍提拉工艺，在包含源...

【技术特征摘要】
1.一种以锌锡铝钾氧化物为沟道层的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将Zn(C2H3O2)2·5H2O、SnCl2·2H2O、AlCl3·6H2O和KCl·3H2O溶于乙二醇中，以乙醇胺作为稳定剂，50-80℃下搅拌24-48小时形成透明的前驱体溶液；(2)将所得的前驱体溶液静置老化后，在玻璃基底上浸渍提拉镀膜，将提拉结束后的湿膜放入烘箱内，在200-250℃温度下预处理20-60分钟，然后经350-500℃退火1-5小时，得到锌锡铝钾氧化物沟道层；(3)结合掩膜，利用真空热蒸发的方法在步骤(2)所得锌锡铝钾氧化物沟道层上制备源电极和漏电极；(4)采用浸渍提拉工艺，在包含源电极和漏电极的锌锡铝钾氧化物沟道层上用溶有聚四乙烯苯酚的有机溶液制备PVP绝缘层；(5)结合掩膜，利用真空热蒸发的方法在PVP绝缘层上面制备栅电极，即得以锌锡铝钾氧化物为沟道层的薄膜晶体管。2.根据权利要求1所述的以锌锡铝钾氧化物为沟道层的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)，其中乙醇胺与乙二醇体积之比为(0.1:100-1:100)。3.根据权利要求1所述的以锌锡铝钾氧化物为沟道层的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)，其中前驱体溶液浓度为0.2-0.6M，Zn(C2H3O2)2·5H2O、SnCl22H2O、AlCl3·6H2O、KCl·3H2O中锌离子、锡离子、铝离子、钾离子的摩尔比为1:2:0.07:0.1。4.根据权利要求1所述的以锌锡铝钾氧化物为沟道层的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，在玻璃基底上浸渍提拉镀膜，其提拉速度为...

【专利技术属性】
技术研发人员：岳兰，孟繁新，任达森，
申请(专利权)人：贵州民族大学，
类型：发明
国别省市：贵州,52