半导体晶片的处理方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体晶片的处理方法，利用一处理装置进行处理，该处理方法包括如下步骤：S1：将晶片背面朝上放入真空旋转盘上吸附，然后真空旋转盘先以第一速率开始旋转，喷管将光刻胶喷涂在晶片背面上，然后真空旋转盘以第二速率开始旋转，在旋转力的作用下，光刻胶均匀涂覆在晶片背面；S2：然后将晶片进行烘烤，待光刻胶固化粘附在晶片背面后停止烘烤；S3：晶片冷却后，然后将晶片固定在TP盘上，然后陶瓷盘开始旋转正常抛光晶片；S4：待抛光完成后，直接将晶片从TP盘上取出，放入一卡塞中，将承有晶片的卡塞放入显影液中，用显影液将光刻胶溶解掉，从而得到减薄的晶片。

【技术实现步骤摘要】
半导体晶片的处理方法
本专利技术涉及半导体晶片制备领域，尤其涉及适用于超薄晶片加工的一种半导体晶片的处理方法。
技术介绍
以砷化镓（GaAs）为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料由于其独特的电学性能，在卫星通讯、微波器件、激光器及发光二极管领域有着十分广泛的应用，因此也受到越来越广泛的关注。异质结双极晶体管、高电子迁移率晶体管、LED等器件的制作需要在高质量的衬底表面用分子束外延或者有机金属化合物气相外延技术生长外延结构。在外延后，后续工序将会对外延片进行减薄处理，因为对于应用来说使用的是外延层而非半导体晶片衬底，为降低成本，现在的趋势是晶片越来越薄。然而，晶片的强度与厚度成正比，当晶片减薄到一定程度，其强度也会相应的降低，晶片在加工过程中容易损坏和碎片，给薄晶片生产加工带来很大的难度；同时，在加工过程中容易造成各种细小的损伤，晶片的质量受到很大的影响。晶片的加工包括切片、磨边、研磨、抛光及清洗。晶棒从切片开始便会给后续工序留有加工余量，晶片减薄主要在研磨和抛光，因此在研磨后、抛光前对薄晶片的加工就必须要有相关的措施来防止因晶片的厚度低导致晶片强度低从而影响到晶片的加工质量。目前，现有的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体晶片的处理方法，其特征在于：利用一处理装置进行处理，所述处理装置包括可旋转的一真空旋转盘、一陶瓷盘以及固定于陶瓷盘上方的一TP盘，所述真空旋转盘正上方设置有一喷管，该处理方法包括如下步骤：S1：将晶片背面朝上放入真空旋转盘上吸附，然后真空旋转盘先以第一速率开始旋转，喷管将光刻胶喷涂在晶片背面上，然后真空旋转盘以第二速率开始旋转，在旋转力的作用下，光刻胶均匀涂覆在晶片背面；S2：然后将晶片进行烘烤，待光刻胶固化粘附在晶片背面后停止烘烤；S3：晶片冷却后，然后将晶片固定在TP盘上，然后陶瓷盘开始旋转正常抛光晶片；S4：待抛光完成后，直接将晶片从TP盘上取出，放入一卡塞中，将承有晶片的...

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶片的处理方法，其特征在于：利用一处理装置进行处理，所述处理装置包括可旋转的一真空旋转盘、一陶瓷盘以及固定于陶瓷盘上方的一TP盘，所述真空旋转盘正上方设置有一喷管，该处理方法包括如下步骤：S1：将晶片背面朝上放入真空旋转盘上吸附，然后真空旋转盘先以第一速率开始旋转，喷管将光刻胶喷涂在晶片背面上，然后真空旋转盘以第二速率开始旋转，在旋转力的作用下，光刻胶均匀涂覆在晶片背面；S2：然后将晶片进行烘烤，待光刻胶固化粘附在晶片背面后停止烘烤；S3：晶片冷却后，然后将晶片固定在TP盘上，然后陶瓷盘开始旋转正常抛光晶片；S4：待抛光完成后，直接将晶片从TP盘上取出，放入一卡塞中...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖彬，刘留，周铁军，王金灵，
申请(专利权)人：广东先导先进材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44