一种半导体器件的清洗装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种半导体器件的清洗装置，包括内槽4和溢流外槽5，与内槽4相连通的溢流外槽5的上端边高于内槽4的上端边，内槽4下部设置有网孔支撑板3，内槽4上端边呈波浪状，内槽4底端设置有与内槽4连通的进水口2，溢流外槽5上设置有排水口6，排水口6设置有用于检测排水口液体水阻率参数的仪表；内槽4和溢流外槽5的材质为316L抛光不锈钢板，内槽4的底端设置有至少一个超声波/兆声波振板1，超声/兆声振板1上均匀分布若干超声/兆声振子，根据待清洗零部件尺寸工艺要求，选择安装双频或多频振子；本实用新型专利技术具有提高半导体清洗的颗粒细小程度，进一步提高清洗的效率，易于检测清洗效果，大大提高该清洗步骤的成品率。

A cleaning device for semiconductor devices

The utility model discloses a semiconductor device cleaning device, which comprises an inner groove 4 and an overflow groove 5. The upper end of the overflow groove 5 connected with the inner groove 4 is higher than the upper end of the inner groove 4. A mesh support plate 3 is arranged at the lower part of the inner groove 4, the upper end of the inner groove 4 is wavy, and a water inlet 2 connected with the inner groove 4 is arranged at the bottom of the inner groove 4. A drain port 6 is arranged on the outflow trough 5, and an instrument is arranged on the drain port 6 for detecting the liquid water resistance parameters of the drain port; the material of the inner trough 4 and the overflow outflow trough 5 is 316L polished stainless steel plate, and the bottom of the inner trough 4 is provided with at least one ultrasonic/mega-acoustic oscillator plate, and a number of ultrasonic/mega-acoustic oscillators are evenly distributed on the ultrasonic/mega-acoustic oscillator plate. According to the dimension and technological requirements of the parts to be cleaned, the dual-frequency or multi-frequency oscillator is selected and installed; the utility model has the advantages of improving the fineness of the particles in the semiconductor cleaning, further improving the cleaning efficiency, easily detecting the cleaning effect, and greatly improving the product rate of the cleaning step.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的清洗装置
本技术属于半导体清洗
，尤其涉及半导体器件的清洗装置。
技术介绍
半导体器件清洗是电子产业重要的一个工艺步骤，很多器件的加工过程中都会被环境中的杂质所污染,因此一般在各工艺结束后均需要对器件进行清洗。随着电子器件的小型化和高集成度的特征，半导体器件允许残留的杂质颗粒的数量和直径越来越小，这也导致了非常微小的颗粒也变得足以影响半导体器件的制造和性能。对于这些微小的颗粒，传统的流体清洗方法并不能够非常有效地去除它们。这是由于在半导体硅片表面和清洗液体之间存在着一个相对静止的边界层。当附着在硅片表面的颗粒直径小于边界层厚度时，清洗液体的流动就无法对颗粒产生作用。为了改善这个问题，超声波和兆声波被引入了半导体清洗工艺。超声波能量可以在水中产生微小的气泡，当气泡爆开时所产生的震动将有助于剥离那些附着在硅片上的微小颗粒，从而洗净硅片。但是现有的安装有超声波或兆声波的半导体器件清洗装置，在一次清洗过程中，污染物颗粒虽与半导体器件分离，但是悬浮于清洗液内的污染物还会重新附着半导体表面，从而产生二次污染问题，导致清洗效果差，只能重复多次清洗，大大降低工作效率，若在短时间本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的清洗装置，其特征在于，包括内槽和溢流外槽，所述与内槽相连通的溢流外槽的上端边高于内槽的上端边，所述内槽下部设置有网孔支撑板，所述内槽的底端设置有至少一个超声/兆声振板，所述内槽底端设置有与内槽连通的进水口，所述溢流外槽上设置有排水口。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的清洗装置，其特征在于，包括内槽和溢流外槽，所述与内槽相连通的溢流外槽的上端边高于内槽的上端边，所述内槽下部设置有网孔支撑板，所述内槽的底端设置有至少一个超声/兆声振板，所述内槽底端设置有与内槽连通的进水口，所述溢流外槽上设置有排水口。2.根据权利要求1所述的一种半导体器件的清洗装置，其特征在于，所述排水口设...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡永晔，唐飞，
申请(专利权)人：上海思恩装备科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31