改善晶圆边缘形貌的方法技术

本发明专利技术揭示了一种改善晶圆边缘形貌的方法。包括：提供待处理晶圆，所述待处理晶圆包括衬底和形成于衬底上的功能层；在所述功能层上形成掩膜层并对所述掩膜层进行图案化；采用一遮蔽覆盖所述待处理晶圆，暴露出所述待处理晶圆的边缘部分；对所述待处理晶圆进行边缘灰化处理；对所述待处理晶圆进行边缘刻蚀；移除所述遮蔽并清洗所述待处理晶圆。由此先通过边缘灰化处理，去除了晶圆边缘的有机物，再通过刻蚀，去除了基于硅的残余、金属残余和其他杂质微粒，而同时通过遮蔽的覆盖避免了灰化和刻蚀对晶圆整体的损伤。这样将能够确保晶圆边缘基本不存在杂质，也就避免了边缘剥离现象发生，提高了晶圆边缘形貌的平整度。

Methods to improve the edge morphology of wafers

The invention discloses a method for improving the edge morphology of wafers. Including: providing a wafer to be processed, the wafer to be processed includes a substrate and a functional layer formed on the substrate; forming a mask layer on the functional layer and patterning the mask layer; covering the wafer to be processed with a shield to expose the edge portion of the wafer to be processed; and advancing the wafer to be processed. An edge ashing process is performed; the edge of the wafer to be treated is etched; the shield is removed and the wafer to be treated is cleaned. The organic matter at the edge of the wafer is removed by edge ashing, and then silicon-based residue, metal residue and other impurity particles are removed by etching. At the same time, the damage to the whole wafer by ashing and etching is avoided by covering the wafer. This will ensure that the edge of the wafer is basically free of impurities, which will avoid the occurrence of edge peeling and improve the smoothness of the wafer edge morphology.

【技术实现步骤摘要】
改善晶圆边缘形貌的方法
本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种改善晶圆边缘形貌的方法。
技术介绍
随着半导体制程工艺的复杂程度越来越高，芯片的膜层数量也越来越多，各道制程工艺在晶圆边缘部分的表现也越来越难控制。因而，晶圆边缘异常成为良率的一大杀手。因此，如何改善这一状况，优化晶圆边缘的异常，成为目前业界的一个重大挑战。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种改善晶圆边缘形貌的方法，改善晶圆的边缘形貌，防止剥离现象发生。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种改善晶圆边缘形貌的方法，包括：提供待处理晶圆，所述待处理晶圆包括衬底和形成于衬底上的功能层；在所述功能层上形成掩膜层；采用一遮蔽覆盖所述待处理晶圆，暴露出所述待处理晶圆的边缘部分；对所述待处理晶圆进行边缘灰化处理；对所述待处理晶圆进行边缘刻蚀；移除所述遮蔽并清洗所述待处理晶圆。可选的，对于所述的改善晶圆边缘形貌的方法，暴露出的所述边缘部分的宽度为大于0小于等于10mm。可选的，对于所述的改善晶圆边缘形貌的方法，所述灰化处理采用包括O2等离子体和O3等离子体的至少一种。可选的，对于所述的改善晶圆边缘形貌的方法，对所述待处理晶圆进本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善晶圆边缘形貌的方法，包括：提供待处理晶圆，所述待处理晶圆包括衬底和形成于衬底上的功能层；在所述功能层上形成掩膜层；采用一遮蔽覆盖所述待处理晶圆，暴露出所述待处理晶圆的边缘部分；对所述待处理晶圆进行边缘灰化处理；对所述待处理晶圆进行边缘刻蚀；移除所述遮蔽并清洗所述待处理晶圆。

【技术特征摘要】
1.一种改善晶圆边缘形貌的方法，包括：提供待处理晶圆，所述待处理晶圆包括衬底和形成于衬底上的功能层；在所述功能层上形成掩膜层；采用一遮蔽覆盖所述待处理晶圆，暴露出所述待处理晶圆的边缘部分；对所述待处理晶圆进行边缘灰化处理；对所述待处理晶圆进行边缘刻蚀；移除所述遮蔽并清洗所述待处理晶圆。2.如权利要求1所述的改善晶圆边缘形貌的方法，其特征在于，暴露出的所述边缘部分的宽度为大于0小于等于10mm。3.如权利要求1所述的改善晶圆边缘形貌的方法，其特征在于，所述灰化处理采用包括O2等离子体和O3等离子体的至少一种。4.如权利要求1所述的改善晶圆边缘形貌的方法，其特征在于，对所述待处理晶圆进行刻蚀为采用非选择性刻蚀进行刻蚀。5.如权利要求4所述的改善晶圆边缘形貌的方法，其特征在于，所述非选择性刻蚀为采用干法刻蚀工艺。6.如权利要求5所述的改善晶圆边缘形貌的方法，其特征在于，所述非选择性刻蚀采用含氟气体和含氯气体的至少一种。7.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋兴华，孙林林，徐俊杰，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31