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本发明涉及薄膜晶体管技术领域，具体是一种以锌锡铝钾氧化物为沟道层的薄膜晶体管及其制备方法。本发明以锌锡铝钾氧化物材料作为沟道层，以有机聚四乙烯苯酚(PVP)材料作为绝缘层，以铝作为源、漏、栅电极，在普通玻璃基底上制备了顶栅共面结构的TFT。...
该专利属于贵州民族大学所有，仅供学习研究参考，未经过贵州民族大学授权不得商用。

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