栅极区域的OPC验证方法技术

本发明专利技术提供了一种栅极区域的OPC验证方法，所述方法包括：定义栅极区域的特征图形；计算所述特征图形的免检区域；以及依据所述免检区域进行栅极区域的OPC验证。本发明专利技术所提供的方法在多晶硅层的栅极区域专门设置针对栅极区域的免检区域，具体为通过设置栅极区域特征图形的免检区域来设置栅极区域的免检区域，该方法可以大量的减少由圆角现象导致的栅极区域的误报错数目，提高栅极区域的OPC验证效率。

【技术实现步骤摘要】
栅极区域的OPC验证方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其是涉及一种栅极区域的OPC验证方法。
技术介绍
在半导体制造掩膜板出版过程中，OPC(OpticalProximityCorrection,光学邻近效应修正)技术已经得到广泛的应用。目前应用最为广泛的OPC方法是基于模型的OPC修正方法，通过OPC模型的模拟计算得到微影工艺潜在的成像误差，从而对目标图形进行预先修正以补偿光学临近效应造成的图形失真或变形。随着技术节点的往前推进，半导体制造的特征尺寸不断缩小，对微影成像的精度要求也越来越高，这就要求OPC的修正精度必须达到工艺的需求。在基于模型的OPC方法中，OPC验证已经成为标准的一个步骤，其基本原理是通过对掩膜板图形(也即OPC修正后的图形)进行全局模拟并检查模拟结果是否符合标准，以此判断OPC修正是否合理。多晶硅层作为影响产品性能最为关键的层次，对最终硅片上尺寸的精度要求也相对较高，尤其对于栅极区域，线宽的控制也更为严格，为了确保OPC的精度达到要求，除了常规的OPC验证，比如图形桥接和图形变窄等，通常还需对栅极进行额外的OPC验证，确保在栅极区域的模拟尺寸与目标尺寸一致本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种栅极区域的OPC验证方法，其特征在于，包括，定义栅极区域的特征图形；计算所述特征图形的免检区域；以及依据所述免检区域进行栅极区域的OPC验证。

【技术特征摘要】
1.一种栅极区域的OPC验证方法，其特征在于，包括，定义栅极区域的特征图形；计算所述特征图形的免检区域；以及依据所述免检区域进行栅极区域的OPC验证。2.如权利要求1所述的栅极区域的OPC验证方法，其特征在于，所述定义栅极区域的特征图形包括定义所述特征图形的形状和尺寸。3.如权利要求2所述的栅极区域的OPC验证方法，其特征在于，所述特征图形的形状为T型或L型。4.如权利要求2所述的栅极区域的OPC验证方法，其特征在于，所述尺寸包括第一尺寸和第二尺寸。5.如权利要求4所述的栅极区域的OPC验证方法，其特征在于，所述栅极区域中栅极层的最小线宽为DR0。6.如权利要求5所述的栅极区域的OPC验证方法，其特征在于，所述第一尺寸为DR0/2。7.如权利要求4所述的栅极区域的OPC验证方法，其特征在于，所述第二尺寸的变化范围为DR0至N倍的DR0，其中，N为正整数。...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐雪蕊，江志兴，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31