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本发明提供了一种栅极区域的OPC验证方法，所述方法包括：定义栅极区域的特征图形；计算所述特征图形的免检区域；以及依据所述免检区域进行栅极区域的OPC验证。本发明所提供的方法在多晶硅层的栅极区域专门设置针对栅极区域的免检区域，具体为通过设置栅...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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