一种二氧化钛纳米棒阵列薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种二氧化钛纳米棒阵列薄膜的制备方法。包括以下步骤：对基板材料进行化学清洗后用射频等离子体进行清洗，然后利用磁控溅射技术在基板上沉积钛薄膜层，经过热处理即可得到具有自清洁疏水特性的二氧化钛纳米棒阵列薄膜。相对现有技术，本发明专利技术极大的简化了具有疏水特性的二氧化钛纳米棒阵列薄膜的制备流程，且成本低廉，制备周期短，节能环保，扩大了二氧化钛薄膜的使用范围。

【技术实现步骤摘要】
一种二氧化钛纳米棒阵列薄膜的制备方法
本专利技术属于疏水表面制备领域，特别涉及一种二氧化钛纳米棒阵列薄膜的制备方法。
技术介绍
二氧化钛纳米材料具有化学稳定性高、光电性能优异、使用寿命长、折射系数高等优点，在生物材料、光敏传感器、太阳能电池等领域有巨大的应用前景。目前制备二氧化钛纳米材料的主要手段为液相化学法，包括水/溶剂热法、溶胶—凝胶法、超声化学法等。申请号为CN200810118107.0提供了一种将涂有晶种的基底浸没于含有无机盐的钛盐溶液中，于30～100℃下恒温在基底表面生长二氧化钛纳米棒阵列，然后将基底取出清洗干燥后得到与基底结合牢固的二氧化钛纳米棒阵列薄膜。申请号为CN201210040343.1公开了一种将钛基板经过酸洗液(氢氟酸、硝酸、去离子水)清洗后在双氧水、硝酸、三聚氰胺组成的反应液中于60～80℃反应60～72小时，然后在PH为1.3～4.0，温度为60～80℃的热水中反应20～72小时，再经去离子水清洗，干燥得到了二氧化钛纳米棒阵列薄膜。但上述这些方法均存在制备过程繁琐，且液相化学法、溶胶—凝胶法具有原料成本高、制备流程多而导致制备周期长、使用的溶剂污染大等本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二氧化钛纳米棒阵列薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，对待加工的基板材料表面进行化学清洗；步骤2，利用射频等离子体对基板材料表面进行清洗；步骤3，利用真空磁控溅射沉积技术在基板表面沉积一层钛薄膜层；步骤4，对镀好的钛薄膜层在真空管式高温烧结炉中进行热处理，完成具有自清洁疏水特性的二氧化钛纳米棒阵列薄膜的制备。

【技术特征摘要】
1.一种二氧化钛纳米棒阵列薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，对待加工的基板材料表面进行化学清洗；步骤2，利用射频等离子体对基板材料表面进行清洗；步骤3，利用真空磁控溅射沉积技术在基板表面沉积一层钛薄膜层；步骤4，对镀好的钛薄膜层在真空管式高温烧结炉中进行热处理，完成具有自清洁疏水特性的二氧化钛纳米棒阵列薄膜的制备。2.根据权利要求1所述的一种二氧化钛纳米棒阵列薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2中对基板材料表面进行射频等离子体清洗时，磁控溅射腔室的本底真空度为5×10-4Pa～7×10-4Pa，通入H2和Ar2的混合气体，混合气体中H2和Ar2的体积比为4比96；气流20sccm～40sccm，气压1Pa～3Pa，采用射频电源功率70W～90W，清洗30min。3.根据权利要求1所述的一种二氧化钛纳米棒阵列薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3中磁控溅射腔室的本底真空度为2×10-4Pa～3×10-4Pa，通入H2和Ar2的混合气体，混合气体中H2和Ar2的体积比为4比96，气流20sccm～40sccm，气压0.2Pa～0.5Pa，钛靶采用直流电源功率150W，先对高纯钛靶溅射20min，然后基...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋忠孝，张宏凯，李雁淮，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61