【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种适用于在EUV光刻技术中使用的掺杂二氧化钛的石英玻璃,及其制备方法。
技术介绍
在用于制造半导体器件的先进光刻处理中,较短波长的光源用于曝光。随后采用超紫外线(EUV)的光刻被认为是有前途的。由于EUV光刻技术采用反射光学系统,所以即使由引入其中的热所导致的光刻光学系统中每一个部件(例如基材)的轻微热膨胀,都将对光刻精度产生不利影响。因此,例如反射镜、掩模、工作台等部件都必须由低膨胀材料制成。已知掺杂二氧化钛的石英玻璃是典型的低膨胀材料。添加一定量的二氧化钛可使石英玻璃的热膨胀最小化。EUV光刻部件还必须具有均匀的低热膨胀分布。为了获得均匀的低热膨胀分布,首要的是,使石英玻璃以均匀浓度掺杂二氧化钛。例如,JP-A 2004-315351公开了掺杂二氧化钛的石英玻璃,其中在30mmX 30mm范围内的最大和最小的TiO2浓度差为小于或等于O. 06 重量%,并且在30mmX 30mm范围内随着石英玻璃中TiO2浓度变化的折射率变化(An)小于或等于2X10'还已知在掺杂二氧化钛的石英玻璃中的OH基团浓度是对掺杂二氧化钛的石英玻璃的低热膨胀具有影响 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:毎田繁,大塚久利,关泽修,柳泽直树,
申请(专利权)人:信越化学工业株式会社,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。