一种THM炉及其生产碲化镉或碲锌镉单晶体的方法技术

本发明专利技术要求保护一种THM炉及其生长碲化镉或碲锌镉单晶体的方法。本发明专利技术在THM炉内，设计了两个THM温度场进行了两次晶体生长，有利于提高晶体质量；一个原位退火温场避免了后退火的再次升温过程，节约能源，同时克服了后退火过程中碲或镉气氛扩散带来的成分不均匀，有利于晶体整体性能的提高。

【技术实现步骤摘要】
一种THM炉及其生产碲化镉或碲锌镉单晶体的方法
本专利技术属于光电
，具体涉及一种THM炉及其生长碲化镉或碲锌镉单晶体的方法。
技术介绍
近年来国际研究发展趋势表明，新一代化合物半导体碲锌镉(CZT)是X射线和低能γ射线探测器的首选材料。CZT探测器能将x射线或γ射线直接转变成电信号，没有传统闪烁体探测器中光的散射，它是直接转化，其优点是没有间接转化过程中的光的散射，所以空间分辨率高，且结构简单。目前，CZT探测器的应用主要受到CZT晶体性能、产率和成本等几方面的限制，所以价格奇贵。因此发展新一代实用的辐射探测器的关键在于CZT晶体生长和器件制备技术的突破。近年来研究发现，采用Te熔剂的移动加热器法(Travelingheatermethod，THM)能够解决晶体生长中的多晶化、电学性能(ρ和μτ值)低、成分分布均匀性差、结构缺陷严重等问题，是极具潜力的CZT晶体生长方法。THM法晶体生长过程中，由于采用了Te熔剂，晶体的生长温度可以从原来的1150℃下降到700～800℃，低温生长能有效减少晶体中的Cd空位缺陷、降低热应力、阻止高温下的固态相变，富Te溶液还可富集、吸收杂质，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种THM炉，其包括设置在炉架内的生长炉体，所述生长炉体竖直安装，在所述生长炉体内部中间加热段设有加热装置，其特征在于，所述的加热装置包括三个加热器,形成生长炉体中间加热段的保温区，三个加热器依次从上到下为:第一加热器,第二加热器,第三加热器,所述三个加热器之间分别间隔一段距离,且第一加热器和第二加热器之间设有一导热装置,第二加热器和第三加热器之间设有一导热装置。

【技术特征摘要】
1.一种THM炉，其包括设置在炉架内的生长炉体，所述生长炉体竖直安装，在所述生长炉体内部中间加热段设有加热装置，其特征在于，所述的加热装置包括三个加热器,形成生长炉体中间加热段的保温区，三个加热器依次从上到下为:第一加热器,第二加热器,第三加热器,所述三个加热器之间分别间隔一段距离,且第一加热器和第二加热器之间设有一导热装置,第二加热器和第三加热器之间设有一导热装置。2.根据权利要求1所述的THM炉，其特征在于，第一加热器形成包括THM晶体生长区域A，第二加热器形成微区范围的THM晶体生长区域B，第三加热器形成晶体生长完成后的原位退火区域C的整体温度场。3.根据权利要求1所述的THM炉，其特征在于，导热装置为304不锈钢板或碳化硅板。4.根据权利要求1所述的THM炉，其特征在于，导热装置分别紧贴第一加热器或第二加热器下部设置。5.权利要求1-4任一项所述的THM炉生产碲化镉或碲锌镉单晶体的方法，包括如下步骤：(1)打开THM炉控制系统，将各个加热器分别加热到设定温度，形成包括第一THM晶体生长区域A，微区THM晶体生长区域B和晶体生长完成后的原位退火区域C的整体温度场；(2)将装有富碲材料和碲化镉或碲锌镉多晶材料的坩埚从第一THM晶体生长区域A在700℃-900℃加热器的温场中通过，保温一段时间后，开始生长成晶体,且以每天2-1...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴召平，郑伟，胡耀文，
申请(专利权)人：苏州西奇狄材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32