一种N型SnSe单晶及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种N型SnSe单晶的制备方法，采用垂直梯度多温区降温法合成N型SnSe单晶，具体为先将Sn、Se和SnBr2混合配料，得到混合物料；将所述混合物料放入石英管，进行抽真空处理；将装有混合物料的石英管置于双温区垂直管式炉中，进行合成反应，得到N型SnSe单晶。采用本发明专利技术的方法，SnSe制备简单、成本低、成分稳定、可以大批量生产。

【技术实现步骤摘要】
一种N型SnSe单晶及其制备方法
本专利技术涉及能源材料
，尤其涉及一种N型SnSe单晶及其制备方法。
技术介绍
SnSe是一种重要的半导体材料，其在热电、光电探测等领域有着潜在的应用价值；另外，其能带间隙能达到1.0-1.5eV，可适用于热电和光伏电池领域。SnSe是一种具有极强各向异性的层状材料，其沿着层内方向具有高的载流子迁移率，而垂直层方向具有低的热导率。这种特性导致其在光学、磁学、电学、热学和力学上的各向异性。可见，制备高质量的SnSe单晶对于SnSe材料的性能及研究至关重要。目前，研究者们采用多种方法制备不同结构的SnSe材料。例如，采用脉冲激光溅射Sn和Se粉末的混合靶制备SnSe薄膜[Ming-ZheXue,Sun-ChaoCheng,JiaYao,Zheng-WenFu.ElectrochemicalPropertiesofSnSeThinFilmElectrodeFabricatedbyPulsedLaserDeposition.ActaPhys.Chim.Sin.,2006,22(3):383～387]；利用传统固相反应制备SnSe粉末和Se粉末，然后利用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种N型SnSe单晶的制备方法，包括以下步骤：(1)将Sn、Se和SnBr2混合配料，得到混合物料；(2)将所述步骤(1)中混合物料放入石英管中，进行抽真空处理；(3)将所述步骤(2)中所得装有混合物料的石英管置于双温区垂直管式炉中，进行合成反应，得到N型SnSe单晶。

【技术特征摘要】
1.一种N型SnSe单晶的制备方法，包括以下步骤：(1)将Sn、Se和SnBr2混合配料，得到混合物料；(2)将所述步骤(1)中混合物料放入石英管中，进行抽真空处理；(3)将所述步骤(2)中所得装有混合物料的石英管置于双温区垂直管式炉中，进行合成反应，得到N型SnSe单晶。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中Sn、Se和SnBr2的原子比例为Sn:Se:Br＝1:1-x:x，0<x<0.04。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中Sn和Se的质量纯度独立地大于99.99％，所述SnBr2的质量纯度大于99％。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中石英管的尖端为尖锥形。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中抽真空处理是将装有混合物...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵立东，常诚，
申请(专利权)人：北京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：北京,11