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本发明提供了一种N型SnSe单晶的制备方法，采用垂直梯度多温区降温法合成N型SnSe单晶，具体为先将Sn、Se和SnBr2混合配料，得到混合物料；将所述混合物料放入石英管，进行抽真空处理；将装有混合物料的石英管置于双温区垂直管式炉中，进行合...
该专利属于北京航空航天大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京航空航天大学授权不得商用。

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