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本发明要求保护一种THM炉及其生长碲化镉或碲锌镉单晶体的方法。本发明在THM炉内，设计了两个THM温度场进行了两次晶体生长，有利于提高晶体质量；一个原位退火温场避免了后退火的再次升温过程，节约能源，同时克服了后退火过程中碲或镉气氛扩散带来的...
该专利属于苏州西奇狄材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州西奇狄材料科技有限公司授权不得商用。

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