一种砷化镓红外镀膜结构制造技术

本实用新型专利技术所涉及一种砷化镓红外镀膜结构，其包括基材层，设置于基材层上面的复数层的减反膜层。因所述的基材层与减反膜层之间设置有用于粘贴作用的中间层；所述的中间层为由YF3氟化钇材料制成的。使用时，所述中间层将所述复数层减反膜层固定粘贴在基材层上面，从而避免因被镀减反膜层的牢固性差而影响被粘贴的减反膜层被脱落，缺块，被损坏，寿命短的技术问题发生。

A GaAs infrared coating structure

The utility model relates to a gallium arsenide infrared coating structure, which comprises a substrate layer and a plurality of anti-reflection coating layers arranged on the top of the substrate layer. An intermediate layer for adhesion is arranged between the substrate layer and the antireflection film layer, and the intermediate layer is made of YF3 yttrium fluoride material. When in use, the intermediate layer fixes and pastes the plural anti-reflective film layer on the substrate layer, thereby avoiding the technical problems that affect the anti-reflective film layer to be pasted due to the poor firmness of the anti-reflective film layer being plated, such as falling off, missing blocks, being damaged and short service life.

【技术实现步骤摘要】
一种砷化镓红外镀膜结构
本技术涉及一种用于光电元件和高频通信元件领域的砷化镓红外镀膜结构。
技术介绍
由于所述砷化镓本身具有频率高、低功率消耗、低杂讯等特性，正好为现有技术传送讯号的视频元件所需要性能，所以砷化镓被广泛使用在光电元件和高频通讯用元件上，应用在WLAN、WLL、光纤通讯、卫星通讯、LMDS、VSAT等微波通讯上等方面。砷化镓远红外滤波片需要对10.6微米波段的CO2激光器激光镀减反膜，减少信号的损耗。同时对氦氖激光器0.63微米激光进行反射。反射的0.63微米激光用作调光(0.63微米激光在可见光范围)。但由于砷化镓GaAs对于很多镀膜材料吸附性不好，导致被镀减反膜层的牢固度差造成被粘贴的减反膜层容易脱落、缺块、被损坏以及寿命短等技术问题。
技术实现思路
有鉴于此，本技术所要解决的技术问题是提供一种可以避免因被镀减反膜层的牢固性差而影响被粘贴的减反膜层被脱落，缺块，被损坏，寿命短的技术问题发生的砷化镓红外镀膜结构为此解决上述技术问题，本技术中的技术方案所采用一种砷化镓红外镀膜结构，其包括基材层，设置于基材层上面的复数层的减反膜层；所述的基材层与减反膜层之间设置有用于粘贴作用的中间层；所述的中间层为由YF3氟化钇材料制成的。依据上述主要技术特征所述，所述基材层是由砷化镓材料制成成的。依据上述主要技术特征所述，所述减反膜层与减反膜层相互层叠形成层状体。本技术的有益技术效果：因所述的基材层与减反膜层之间设置有用于粘贴作用的中间层；所述的中间层为由YF3氟化钇材料制成的。使用时，所述中间层将所述复数层减反膜层固定粘贴在基材层上面，从而避免因被镀减反膜层的牢固性差而影响被粘贴的减反膜层被脱落，缺块，被损坏，寿命短的技术问题发生。下面结合附图和实施例，对本技术的技术方案做进一步的详细描述。【附图说明】图1为本技术中砷化镓红外镀膜结构的示意图。【具体实施方式】为了使本技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚、明白，以下结合附图和实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。请参考图1所示，下面结合实施例说明一种砷化镓红外镀膜结构，其包括基材层1，设置于基材层1上面的复数层的减反膜层2，以及设置于基材层1与减反膜层2之间的中间层3。所述的中间层3为由YF3氟化钇材料制成的。所述基材层1是由砷化镓材料制成成的。所述减反膜层2与减反膜层2相互层叠形成层状体。所述减反膜层2的层数为3至8层。在本实施例中，基材层1上安装有3-8层减反膜层2，在底部的减反膜层2与基材层1之间增加一层YF3氟化钇材料制成的中间层3，把3-8层的减反膜层2固定定在砷化镓(GaAs)材料制成的基材层1上面，能够解决减反膜层2不牢固的问题。在基材层1与减反膜层2之间增加由YF3氟化钇材料制成的中间层3，该中间层3解决减反膜层2与基材层1之间不好造成减反膜层2脱落、缺块等，通过美军标光通讯元件可靠性试验《美军标MIL-C-48497A》及高温85℃高湿85RH老化试验1000小时无脱落。使用时，所述中间层3将所述复数层减反膜层2固定粘贴在基材层1上面，从而达到避免因被镀减反膜层2的牢固性差而影响被粘贴的减反膜层被脱落，缺块，被损坏，寿命短的技术问题发生。综上所述，因所述的基材层1与减反膜层2之间设置有用于粘贴作用的中间层3；所述的中间层3为由YF3氟化钇材料制成的。使用时，所述中间层3将所述复数层减反膜层2固定粘贴在基材层1上面，从而避免因被镀减反膜层2的牢固性差而影响被粘贴的减反膜层2被脱落，缺块，被损坏，寿命短的技术问题发生。以上参照附图说明了本技术的优选实施例，并非因此局限本技术的权利范围。本领域技术人员不脱离本技术的范围和实质内所作的任何修改、等同替换和改进，均应在本技术的权利范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种砷化镓红外镀膜结构，其包括基材层，设置于基材层上面的复数层的减反膜层；其特征在于：所述的基材层与减反膜层之间设置有用于粘贴作用的中间层；所述的中间层为由YF3氟化钇材料制成的；所述基材层是由砷化镓材料制成的；所述减反膜层与减反膜层相互层叠形成层状体。

【技术特征摘要】
1.一种砷化镓红外镀膜结构，其包括基材层，设置于基材层上面的复数层的减反膜层；其特征在于：所述的基材层与减反膜层之间设置有用于粘...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧杰辉，
申请(专利权)人：深圳市飞莱特科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44