The invention discloses a method for purifying metallic silicon by oxidation treatment, and solves the problem that the impurity removal effect of the existing physical smelting method of metallic silicon is limited. The invention comprises vacuum smelting metal silicon and bottom blowing oxygen, heat preservation, removing slag melting liquid from upper and bottom layers, and further purifying high purity metal silicon through directional solidification, thus obtaining solar grade silicon close to 6N. The invention has the advantages of one-step melting, double purification and good purification effect.
【技术实现步骤摘要】
氧化处理提纯金属硅的方法
本专利技术涉及一种金属硅的提纯方法，具体涉及氧化处理提纯金属硅的方法。
技术介绍
随着全球性的能源危机、环境恶化、以及近年来联合国对各国温室气体排放量的限制，发展可再生能源技术已成为实现全球可持续发展的一项基本政策。太阳能光伏技术是可再生能源技术中的主要组成部分之一，近年来全球光伏产业得到飞速发展。目前绝大部分太阳能电池是晶体硅太阳能电池。用于制备太阳能电池的单晶硅片和多晶硅片均以太阳级多晶硅(硅含量高于99.9999％或6N级)或更高纯度的高纯多晶硅为原料，这些用于太阳能电池的较高纯度的多晶硅也常常被通称为多晶硅(Polysilicon)，由于光伏产业对多晶硅的巨大需求，全球多晶硅的价格一直居高不下，而且货源供应也较紧张。纯度较低的金属硅(纯度为98％～99.5％左右)是制备多晶硅的原材料，金属硅经过适当工艺提纯后可得到多晶硅。在高纯多晶硅提纯技术中，改良西门子法、硅烷法占据了几乎98％以上的份额。但是利用这些方法得到的硅原料纯度可达9N，但是成本难以降低。因此，这就催生了低成本的太阳能级多晶硅新工艺的大量研究和迅速发展，逐渐把生产低纯...
【技术保护点】
1.氧化处理提纯金属硅的方法，其特征在于，包括真空熔炼金属硅并底部吹氧，保温，去除上层和底层含渣熔融液而完成通氧除杂，再通过定向凝固进一步提纯高纯金属硅。
【技术特征摘要】
1.氧化处理提纯金属硅的方法，其特征在于，包括真空熔炼金属硅并底部吹氧，保温，去除上层和底层含渣熔融液而完成通氧除杂，再通过定向凝固进一步提纯高纯金属硅。2.根据权利要求1所述的氧化处理提纯金属硅的方法，其特征在于，所述熔炼金属硅的具体步骤为：在石英坩埚中加入金属硅，并将所述石英坩埚置于真空感应熔炼炉中，开启真空感应熔炼炉对石英坩埚中的金属硅加热，并同时抽真空，设定真空度为1-100Pa，设定熔炼温度为1450℃-1750℃。3.根据权利要求1或2所述的氧化处理提纯金属硅的方法，其特征在于，所述通氧除杂的具体步骤为：当真空熔炼炉的加热温度达到1500℃-1700℃时，向石英坩埚底部通入氧气，并在设定的熔炼温度下保温1-2小时，保温完成后，停止通氧，并继续保温2-4小时，最后并抽取石英坩埚顶部和底部的熔融液体。4.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：羊实，庹开正，
申请(专利权)人：江苏斯力康科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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