发光二极管装置及其支架制造方法及图纸

一种发光二极管装置及其支架。发光二极管支架包含一导线架单体、至少一支撑结构以及一第一树脂部。支撑结构连接于导线架单体。第一树脂部包覆于对应的所述导线架单体以及与其连接的支撑结构，其中发光二极管支架经切割成单体后，支撑结构的外表面是内缩于第一树脂部的外表面，其中第一树脂部的一部分设置在导线架单体的表面上以形成一功能区。本案发光二极管支架的支撑结构内缩的设计，能解决金属材外露刮伤其他支架单体的问题，进而能提高发光二极管装置的整体生产合格率。

Light emitting diode device and bracket thereof

A light-emitting diode device and its bracket. The LED bracket comprises a lead frame monomer, at least one supporting structure and a first resin part. The supporting structure is connected to the lead frame monomer. The first resin part is coated with the corresponding wire rack monomer and the supporting structure connected therewith. After the light emitting diode support is cut into monomer, the outer surface of the supporting structure is retracted to the outer surface of the first resin part, wherein a part of the first resin part is arranged on the surface of the wire rack monomer to form a functional area. . The retraction design of the support structure of the light-emitting diode stent in this case can solve the problem of scratching other stent monomers by metal exposure, and then can improve the overall production rate of the light-emitting diode device.

【技术实现步骤摘要】
发光二极管装置及其支架
本专利技术是关于一种光电元件及其支架，特别是关于一种发光二极管装置及其支架。
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode,LED)是半导体材料制成的发光元件，可将电能转换成光，其具有体积小、能量转换效率高、寿命长、省电等优点，因此广泛应用于各式电子装置的光源。发光二极管是透过封装结构以提供发光二极管晶片电、光、热上的必要支持，并同时有效阻绝外界大气的影响(例如氧化、生锈)。发光二极管晶片封装的方式多样化，通常需要一支架借以将晶片固晶于其上，接着封胶。目前发光二极管封装用的支架包含导电的导线架与绝缘的树脂部，为了快速的量产降地成本，已知先将多个导线架单体先都形成于一大片金属板材上，再形成树脂部于其上，最后再切割成支架单体供发光二极管晶片封装使用。然而，切割后的支架单体可能因切割后金属导线架些许外露，而刮伤其他支架单体，进而降低生产合格率。
技术实现思路
本专利技术提出一种创新的发光二极管装置及其支架，解决先前技术的问题。于本专利技术的一实施例中，一种发光二极管支架包含一导线架单体、至少一支撑结构以及一第一树脂部。支撑结构连接于导线架单体。第一树脂部包覆于对应的所述导线架单体以及与其连接的支撑结构，其中发光二极管支架经切割成单体后，支撑结构的外表面是内缩于第一树脂部的外表面而形成一内缩区，其中第一树脂部的一部分设置在导线架单体的表面上以形成一功能区。于本专利技术的一实施例中，导线架单体与支撑结构的部分外表面不具有金属镀层。于本专利技术的一实施例中，支撑结构的外表面不具有金属镀层。于本专利技术的一实施例中，支撑结构的外表面不平行于第一树脂部的外表面。于本专利技术的一实施例中，支撑结构的外表面为凸曲面、凹曲面或锯齿面。于本专利技术的一实施例中，支撑结构的截面小于导线架单体的截面。于本专利技术的一实施例中，功能区内所裸露的导线架单体的上表面具有金属镀层。于本专利技术的一实施例中，第一树脂部内所埋设的该支撑结构的上表面具有金属镀层。于本专利技术的一实施例中，导线架单体的上表面与下表面具有金属镀层。于本专利技术的一实施例中，支撑结构的上表面与下表面具有金属镀层。于本专利技术的一实施例中，支撑结构具有至少一条降低强度的结构。于本专利技术的一实施例中，降低强度的结构为一预切线、钻孔或蚀刻区。于本专利技术的一实施例中，预切线与支撑结构的凹槽内表面具有一小于90度的夹角。于本专利技术的一实施例中，预切线为形成于支撑结构表面的凹槽。于本专利技术的一实施例中，形成于支撑结构表面的凹槽为V或U型。于本专利技术的一实施例中，发光二极管支架还包含一第二树脂部，使导线架单体夹设于第一树脂部与第二树脂部之间。于本专利技术的一实施例中，发光二极管支架还包含一第二树脂部，使支撑结构夹设于第一树脂部与第二树脂部之间。于本专利技术的一实施例中，第二树脂部更进一步填入内缩区。于本专利技术的一实施例中，一种发光二极管装置，包含前述任一实施例所述的该发光二极管支架以及至少一发光二极管晶片。发光二极管晶片固定于发光二极管支架的每一功能区内。于本专利技术的一实施例中，功能区上方覆盖保护胶。于本专利技术的一实施例中，保护胶参杂有波长转换体、荧光粉、量子点或散射粒子。综上所述，本专利技术的的发光二极管装置及其支架的支撑结构内缩的设计，能解决金属材外露刮伤其他支架单体的问题，进而能提高发光二极管装置的整体生产合格率。以下将以实施方式对上述的说明作详细的描述，并对本专利技术的技术方案提供更进一步的解释。附图说明为让本专利技术的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说明如下：图1是绘示依照本专利技术一实施例的一种发光二极管装置的立体图；图2是绘示沿图1的2-2剖面线的一种发光二极管装置的剖面图；图3是绘示依照本专利技术另一实施例的一种发光二极管装置的剖面图；图4是绘示依照本专利技术一实施例的一种发光二极管支架的切割方式示意图；图5是绘示沿图4的5-5剖面线的发光二极管支架剖面示意图；图6是绘示依照本专利技术另一实施例的一种发光二极管支架剖面示意图；图7是绘示依照本专利技术又一实施例的一种发光二极管支架剖面示意图；图8是绘示依照本专利技术又一实施例的一种发光二极管装置的剖面图；图9是绘示依照本专利技术再一实施例的一种发光二极管装置的剖面图；图10是绘示依照本专利技术再一实施例的一种发光二极管装置的剖面图；图11是绘示依照本专利技术再一实施例的一种发光二极管装置的立体图；图12是绘示沿图11的12-12剖面线的一种发光二极管装置的剖面图；图13是绘示依照本专利技术再一实施例的一种发光二极管装置的立体图；以及图14是绘示沿图13的14-14剖面线的一种发光二极管装置的剖面图。具体实施方式为了使本专利技术的叙述更加详尽与完备，可参照所附的附图及以下所述各种实施例，附图中相同的号码代表相同或相似的元件。另一方面，众所周知的元件与步骤并未描述于实施例中，以避免对本专利技术造成不必要的限制。于实施方式与权利要求书中，涉及“电性连接”的描述，其可泛指一元件透过其他元件而间接电气耦合至另一元件，或是一元件无须透过其他元件而直接电连结至另一元件。于实施方式与权利要求书中，除非内文中对于冠词有所特别限定，否则“一”与“该”可泛指单一个或多个。本文中所使用的“约”、“大约”或“大致”是用以修饰任何可些微变化的数量，但这种些微变化并不会改变其本质。于实施方式中若无特别说明，则代表以“约”、“大约”或“大致”所修饰的数值的误差范围一般是容许在百分之二十以内，较佳地是于百分之十以内，而更佳地则是于百分之五以内。本专利技术的技术态样是一种发光二极管装置及其支架。以下将搭配附图来说明本专利技术的发光二极管装置及其支架的具体实施方式。请参照图1、图2，图1是绘示依照本专利技术一实施例的一种发光二极管装置的立体图；图2是绘示依照本专利技术一实施例的一种发光二极管装置的剖面图。发光二极管装置的支架包含一导线架单体120、至少一支撑结构122以及一第一树脂部104。支撑结构122是连接于导线架单体120的侧边。第一树脂部104包覆于对应的导线架单体120以及与其连接的支撑结构122。第一树脂部104的一部分设置在导线架单体120的表面上以形成一凹陷的功能区102。发光二极管支架经切割成单体后，支撑结构120的外表面(即断面122或断面122b)是内缩于第一树脂部104的外表面104a(例如形成内缩区104b)。发光二极管晶片110固晶于上述的支架并封上后保护胶102a后即成为发光二极管装置。具体而言，发光二极管晶片110是固晶于功能区102内的导线架单体120上表面，并以保护胶102a填入凹陷的功能区102，以覆盖发光二极管晶片110，借以完全密封晶片阻绝外界的水气。在此实施例中，发光二极管晶片110的其中一电极是直接连接于导线架单体120上，而另一电极是以打线方式连接于另一导线架单体120(请参照图2)。在本专利技术一实施例中，保护胶102a内可参杂有波长转换体130、荧光粉、量子点或散射粒子，借以将发光二极管晶片110的至少部分出光转换为不同波长出光或产生需求的发射光型。上述支撑结构120的断面122a与断面122b内缩于第一树脂部104的外表面104a，能够避免切割后支撑结构120外露，而产生刮伤其他支架单体的问题，进而能提高发光二极管装置支架整体的生产合格率。于已知的制程中，当支撑结构的断面为不规本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管支架，其特征在于，包含：一导线架单体；至少一支撑结构，连接于该导线架单体；以及一第一树脂部，该第一树脂部包覆于对应的所述导线架单体以及与其连接的支撑结构，其中该发光二极管支架经切割成单体后，该支撑结构的外表面是内缩于该第一树脂部的外表面而形成一内缩区，其中该第一树脂部的一部分设置在该导线架单体的表面上以形成一功能区。

【技术特征摘要】
2017.03.27 TW 1061101861.一种发光二极管支架，其特征在于，包含：一导线架单体；至少一支撑结构，连接于该导线架单体；以及一第一树脂部，该第一树脂部包覆于对应的所述导线架单体以及与其连接的支撑结构，其中该发光二极管支架经切割成单体后，该支撑结构的外表面是内缩于该第一树脂部的外表面而形成一内缩区，其中该第一树脂部的一部分设置在该导线架单体的表面上以形成一功能区。2.根据权利要求1所述的发光二极管支架，其特征在于，该导线架单体与该支撑结构的部分外表面不具有金属镀层。3.根据权利要求1所述的发光二极管支架，其特征在于，该支撑结构的外表面不具有金属镀层。4.根据权利要求1所述的发光二极管支架，其特征在于，该支撑结构的外表面不平行于该第一树脂部的外表面。5.根据权利要求4所述的发光二极管支架，其特征在于，该支撑结构的外表面为凸曲面、凹曲面或锯齿面。6.根据权利要求1所述的发光二极管支架，其特征在于，该支撑结构的截面小于该导线架单体的截面。7.根据权利要求1所述的发光二极管支架，其特征在于，该功能区内所裸露的该导线架单体的上表面具有金属镀层。8.根据权利要求7所述的发光二极管支架，其特征在于，该第一树脂部内所埋设的该支撑结构的上表面具有金属镀层。9.根据权利要求1所述的发光二极管支架，其特征在于，该导线架单体的上表面与下表面具有金属镀层。10.根据权利要求1所述的发光二...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭政达，林志翰，游惠乔，张玮容，
申请(专利权)人：隆达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71