一种单晶电池片的制绒方法技术

本发明专利技术公开了一种单晶电池片的制绒方法，依次包括以下步骤：S1、单晶硅片的常规表面清洗、晒干；S2、将单晶硅片的正面和背面氧化；S3、将单晶硅片正面的光照区氧化层刻蚀；S4、用单晶添加剂和氢氧化钠的碱性混合溶液对处理后的单晶硅片进行腐蚀处理；S5、进行单晶硅片表面的丝网印刷；S6、用去离子水清洗处理完成的单晶硅片表面；S7、风干单晶硅片表面。此方案具有生产成本低、效率高、生产步骤少、速度快等优点。

Method for making single crystal cell sheet

The invention discloses a method for making single crystal battery sheet, which comprises the following steps in sequence: S1, conventional surface cleaning and drying of single crystal silicon sheet; S2, oxidation of the front and back of single crystal silicon sheet; S3, etching of the oxide layer in the front of single crystal silicon sheet; S4, using single crystal additive and sodium hydroxide alkaline mixed solution to pair. After treatment, the single crystal silicon wafer is corroded; S5, screen printing on the surface of single crystal silicon wafer; S6, cleaning the surface of single crystal silicon wafer with deionized water; S7, air-dried single crystal silicon wafer surface. This scheme has the advantages of low production cost, high efficiency, less production steps and high speed.

【技术实现步骤摘要】
一种单晶电池片的制绒方法
本专利技术涉及电池板
，具体为一种单晶电池片的制绒方法。
技术介绍
随着全球经济的发展，能源的消耗急剧增长，绝大多数能源是化石燃料，不仅资源日渐减少，而且大量二氧化碳等气体排放，使环境问题日益严重。冶金法提纯多晶硅的工艺因具有提纯技术产能大、生产工艺简单、提纯工艺不涉及化学过程、与环境友好等优点，被广泛使用。而现有技术中的单晶硅片制备技术成本较高且效率不高，在进行生产时企业的生产成本和效益不成正比，另外，随着低端市场的越发成熟，传统技术的高成本、低效益已无法在保证使用性能和技术路线的同时，迎合需求日益旺盛的低端单晶电池片市场。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种单晶电池片的制绒方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：1.一种单晶电池片的制绒方法，依次包括以下步骤：S1、单晶硅片的常规表面清洗、晒干；S2、将单晶硅片的正面和背面氧化；S3、将单晶硅片正面的光照区氧化层刻蚀；S4、用单晶添加剂和氢氧化钠的碱性混合溶液对处理后的单晶硅片进行腐蚀处理；S5、进行单晶硅片表面的丝网印刷；S6、用去离子水清洗处理完成的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单晶电池片的制绒方法，其特征在于，依次包括以下步骤：S1、单晶硅片的常规表面清洗、晒干；S2、将单晶硅片的正面和背面氧化；S3、将单晶硅片正面的光照区氧化层刻蚀；S4、用单晶添加剂和氢氧化钠的碱性混合溶液对处理后的单晶硅片进行腐蚀处理；S5、进行单晶硅片表面的丝网印刷；S6、用去离子水清洗处理完成的单晶硅片表面；S7、风干单晶硅片表面。

【技术特征摘要】
1.一种单晶电池片的制绒方法，其特征在于，依次包括以下步骤：S1、单晶硅片的常规表面清洗、晒干；S2、将单晶硅片的正面和背面氧化；S3、将单晶硅片正面的光照区氧化层刻蚀；S4、用单晶添加剂和氢氧化钠的碱性混合溶液对处理后的单晶硅片进行腐蚀处理；S5、进行单晶硅片表面的丝网印刷；S6、用去离子水清洗处理完成的单晶硅片表面；S7、风干单晶硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴文州，吴建新，
申请(专利权)人：永嘉利为新能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33