下载一种单晶电池片的制绒方法的技术资料

文档序号:19182279

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本发明公开了一种单晶电池片的制绒方法,依次包括以下步骤:S1、单晶硅片的常规表面清洗、晒干;S2、将单晶硅片的正面和背面氧化;S3、将单晶硅片正面的光照区氧化层刻蚀;S4、用单晶添加剂和氢氧化钠的碱性混合溶液对处理后的单晶硅片进行腐蚀处理;...
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