颗粒物检测装置及颗粒物检测方法制造方法及图纸

技术编号:19173869 阅读:79 留言:0更新日期:2018-10-16 23:44
本发明专利技术涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种颗粒物检测装置及颗粒物检测方法。所述颗粒物检测装置,包括:颗粒物分析仪,用于分析气体中的颗粒物信息;采样管道,包括相对设置的第一端和第二端;所述第一端用于与半导体处理腔室的排气口连通,所述第二端用于与所述颗粒物分析仪连通;所述采样管道用于将所述半导体处理腔室中的气体传输至所述颗粒物分析仪。本发明专利技术实现了对半导体处理腔室内部颗粒物情况的实时检测,提高了颗粒物检测的效率和准确度,确保了半导体制程持续、稳定的进行。

Particle detection device and particulate matter detection method

The invention relates to the technical field of semiconductor manufacturing, in particular to a particle detection device and a particle detection method. The particulate matter detection device comprises a particulate matter analyzer for analyzing particulate matter information in a gas; a sampling pipe including a relatively set first and second ends; the first end for communicating with the exhaust port of a semiconductor processing chamber; and the second end for communicating with the particulate matter analyzer; and the sampling pipe. The pipeline is used to transmit gas in the semiconductor processing chamber to the particulate analyzer. The invention realizes the real-time detection of the particulate matter inside the semiconductor processing chamber, improves the efficiency and accuracy of the detection of the particulate matter, and ensures the continuous and stable progress of the semiconductor process.

【技术实现步骤摘要】
颗粒物检测装置及颗粒物检测方法
本专利技术涉及半导体制造
,尤其涉及一种颗粒物检测装置及颗粒物检测方法。
技术介绍
随着平面型闪存存储器的发展,半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是最近几年,平面型闪存的发展遇到了各种挑战:物理极限、现有显影技术极限以及存储电子密度极限等。在此背景下,为解决平面闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本,各种不同的三维(3D)闪存存储器结构应运而生,例如3DNOR(3D或非)闪存和3DNAND(3D与非)闪存。其中,3DNAND存储器以其小体积、大容量为出发点,将储存单元采用三维模式层层堆叠的高度集成为设计理念,生产出高单位面积存储密度、高效存储单元性能的存储器,已经成为新兴存储器设计和生产的主流工艺。在3DNAND存储器等半导体器件的制造过程中,经常需要对半导体处理设备内部的颗粒物(Particle,PA)情况进行检测,以确保半导体制程持续、稳定的进行。但是,现有的颗粒物检测方法,尤其是对于需要采用低压或真空环境进行处理工序的半导体设备而言,其内部环境颗粒物情况的检测方法操作都较为繁琐,检测效率也较低。从而导致在半导体制程进行过程中,本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种颗粒物检测装置,其特征在于,包括:颗粒物分析仪,用于分析气体中的颗粒物信息;采样管道,包括相对设置的第一端和第二端;所述第一端用于与半导体处理腔室的排气口连通,所述第二端用于与所述颗粒物分析仪连通;所述采样管道用于将所述半导体处理腔室中的气体传输至所述颗粒物分析仪。

【技术特征摘要】
1.一种颗粒物检测装置,其特征在于,包括:颗粒物分析仪,用于分析气体中的颗粒物信息;采样管道,包括相对设置的第一端和第二端;所述第一端用于与半导体处理腔室的排气口连通,所述第二端用于与所述颗粒物分析仪连通;所述采样管道用于将所述半导体处理腔室中的气体传输至所述颗粒物分析仪。2.根据权利要求1所述的颗粒物检测装置,其特征在于,所述半导体处理腔室的排气口包括标准排气口和备用排气口,所述标准排气口用于排除所述半导体处理腔室中的空气;所述采样管道的第一端用于与所述备用排气口连通。3.根据权利要求1所述的颗粒物检测装置,其特征在于,还包括排气管道;所述半导体处理腔室的排气口包括标准排气口和备用排气口,所述标准排气口用于排除所述半导体处理腔室中的空气;所述排气管道的一端用于与所述标准排气口连通、另一端用于连通真空泵;所述排气管道上具有一采样口,所述采样管道的第一端用于与所述采样口连通。4.根据权利要求1所述的颗粒物检测装置,其特征在于,还包括阀门;所述阀门,设置于所述采样管道中,用于控制所述半导体处理腔室与所述颗粒物分析仪是否导通。5.根据权利要求1所述的颗粒物检测装置,其特征在于,还包括上位机;所述颗粒物分析仪,包括分析腔和控制器;所述分析腔,用于对所述采样管道传输的气体中的颗粒物进行分析;所述控制器,连接所述分析腔,用于将所述分析腔分析得到颗粒物信息传输至所述上位机。6.根据权利要求1所述的颗粒物检测装置,其特征在于,所述颗粒物信息包括颗粒物粒径和颗粒物浓度。7.一种颗粒物检测方法,...

【专利技术属性】
技术研发人员:董凯颜元李冠男王孝进
申请(专利权)人:长江存储科技有限责任公司
类型:发明
国别省市:湖北,42

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