【技术实现步骤摘要】
双垂直窗三埋层SOI高压器件结构
本专利技术涉及高压器件领域,尤其涉及多埋层SOI高压器件结构。
技术介绍
SOI独特的结构带来隔离性能好、漏电流小、速度快、抗辐照和功耗低等优点,充分发挥了硅集成电路技术的潜力,特别是SOI高压集成电路在未来空天抗辐照领域具有特殊作用,因而得以广泛发展和应用。SOI横向高压器件作为高压集成电路的基石,由于介质层阻止了其耗尽区向衬底层扩展,使得习用的器件纵向耐压仅由顶层硅和介质层承担。而因隔离和散热的限制,顶层硅和介质层都不能太厚,同时由界面处无电荷高斯定理,使得器件击穿时的介质层电场仅为硅临界场的3倍即100V/μm左右,远未达到实际常用介质材料如SiO2的临界场600V/μm,所以SOI横向高压器件纵向耐压较低,限制了高压集成电路的应用和发展,目前投入应用的还没有突破600V的瓶颈。对此,国内外众多学者进行了深入研究,当前工作主要集中在使用新器件结构提高纵向电压。业界通常改变各个区域的掺杂浓度或者改变埋氧层结构来增加埋氧层的电场强度和使电场线更均匀分布,来提高纵向击穿电压。下面以单窗口双埋层SOI高压器件阐述现有的SOI高压器件结构。图1是现有技术中SOI高压器件的结构示意图,该结构的埋层包含两层氧化层,第一埋氧层有单一窗口,两氧化层之间填充多晶硅。第一层埋氧阻挡了横向电场对第二埋氧层与多晶硅界面反型层电荷的抽取,该反型电荷将大大增强第二层埋氧层的电场;同时第一埋氧层的硅窗口可以调制漂移区电场,因而可获得较高的击穿电压。不过相对于实际应用要求,该SOI高压器件结构的击穿电压仍然需要进一步提高。
技术实现思路
本专利技术提供双 ...
【技术保护点】
1.一种双窗双埋层SOI高压器件结构,包括三层埋氧层以及埋氧层之间的多晶硅层,其特征在于所开的两个窗(第一埋层两端分别与第二埋层两端的连线)不与埋层平行或者第一埋层与第二埋层不在同一平面上,一二层与第三层埋层之间的填充多晶硅。
【技术特征摘要】
1.一种双窗双埋层SOI高压器件结构,包括三层埋氧层以及埋氧层之间的多晶硅层,其特征在于所开的两个窗(第一埋层两端分别与第二埋层两端的连线)不与埋层平行或者第一埋层与第二埋层不在同一平面上,一二层与第三层埋层之间的填充多晶硅。2.如权利要求1所述的双窗双埋层SOI高压器件结构,其特征在于,所述窗口与埋层所成的角度为大于0°小于180°的角。3.如权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:沈立,
申请(专利权)人:上海卓弘微系统科技有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。