The embodiment of the invention provides a cutting method and a laser processing device capable of improving the measuring accuracy of the distance between a lens and a substrate for processing. The cutting method of the embodiment of the present invention includes the following steps: detecting the substrate information of the first part of the substrate and the second part different from the first part; calculating the distance information between the substrate and the lens for processing according to the substrate information of the first part and the second part; and calculating the distance information between the substrate and the lens for processing according to the distance. Information is used to irradiate laser light to the substrate from the processing lens.
【技术实现步骤摘要】
切割方法及激光加工装置[相关申请案]本申请案享有以日本专利申请案2017-57716号(申请日:2017年3月23日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及切割方法及激光加工装置。
技术介绍
作为将形成有半导体元件的衬底分割为各个芯片的切割方法,在日本专利公开公报2008-87027号公报等中为人所周知的是隐形加工,即,透过加工用透镜将激光光照射至衬底。在该隐形加工中,难以精度佳地测定加工用透镜与衬底间的距离。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供能够提高加工用透镜与衬底间的距离的测定精度的切割方法及激光加工装置。本专利技术的实施方式的切割方法包括如下步骤:检测衬底的第一部分及与所述第一部分不同的第二部分的衬底信息;根据所述第一部分及所述第二部分的所述衬底信息,算出所述衬底与加工用透镜间的距离信息;及根据所述距离信息,从所述加工用透镜将激光光照射至所述衬底。附图说明图1是表示本实施方式的切割方法的截面图。图2表示本实施方式的激光加工装置。图3是说明本实施方式的衬底的移动方向的图。图4是说明本实施方式的切割方法的图。图5是说明本实施方式的反射方式的图。图6是说明本实施方式的切割方法的图。图7是说明本实施方式的测定方法的概念图。图8是说明本实施方式的测定方法的概念图。图9是说明本实施方式的变化例的切割方法的图。具体实施方式以下,参照图式对本专利技术的实施方式进行说明。本实施方式并不限定本专利技术。图1表示本实施方式的切割方法的一例。对正面被未图示的保护带覆盖的衬底1照射激光光LA。保护带用来保护形 ...
【技术保护点】
1.一种切割方法,其特征在于包括如下步骤:检测衬底的第一部分及与所述第一部分不同的第二部分的衬底信息;根据所述第一部分及所述第二部分的所述衬底信息,算出所述衬底与加工用透镜间的距离信息;及根据所述距离信息,从所述加工用透镜将激光光照射至所述衬底。
【技术特征摘要】
2017.03.23 JP 2017-0577161.一种切割方法,其特征在于包括如下步骤:检测衬底的第一部分及与所述第一部分不同的第二部分的衬底信息;根据所述第一部分及所述第二部分的所述衬底信息,算出所述衬底与加工用透镜间的距离信息;及根据所述距离信息,从所述加工用透镜将激光光照射至所述衬底。2.根据权利要求1所述的切割方法,其特征在于:从透过所述加工用透镜的所述激光光到达所述衬底的位置至所述第一部分为止的距离,与从所述第一部分至所述第二部分为止的距离相等。3.根据权利要求1所述的切割方法,其特征在于:将检测所述衬底信息的步骤、算出所述距离信息的步骤及照射所述激光光的步骤重复多次。4.根据权利要求1所述的切割方法,其特征在于:在重复检测所述衬底信息的步骤及算出所述距离信息的步骤之后,进行照射所述激光光的步骤。5.根据权利要求1所述的切割方法,其特征在于:根据所述距离信息而调整所述加工用透镜位置。6.根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员:藤田努,大野天颂,
申请(专利权)人:东芝存储器株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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