COB高密度LED倒装光源制造技术

本实用新型专利技术涉及COB光源的技术领域，公开了COB高密度LED倒装光源，包括氮化铝陶瓷基板，氮化铝陶瓷基板上设置有凹坑，凹坑包括第一凹坑以及位于第一凹坑上方的第二凹坑，第二凹坑的直径较第一凹坑的直径稍大，第一凹坑内倒装有LED芯片，第二凹坑内设置有透明荧光胶，氮化铝陶瓷基板上设置有电路结构，电路结构与LED芯片电性连接，电路结构以及LED芯片一体封装成型；氮化铝陶瓷基板具有良好导热性以及耐热性能，便于LED芯片的散热，第一凹坑内设置有LED芯片，第一凹坑上方设置有第二凹坑，第二凹坑内涂覆有荧光胶，这样，荧光胶不会溢出第二凹坑，同时荧光胶起到保护LED芯片的作用，LED芯片固定稳固，提高了LED芯片的耐候性，提高了LED光源的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
COB高密度LED倒装光源
本技术涉及COB光源的
，尤其是COB高密度LED倒装光源。
技术介绍
COB光源是将LED芯片直接贴在高反光率的镜面金属基板上的高光效集成面光源技术，此技术剔除了支架概念，无电镀、无回流焊、无贴片工序，因此工序减少近三分之一，成本也节约了三分之一。COB光源可以简单理解为高功率集成面光源，可以根据产品外形结构设计光源的出光面积和外形尺寸。COB光源具有高显色、发光均匀、无光斑、健康环保、安装简单，使用方便等一系列优点，正因如此，COB光源在LED光源领域占据了举足轻重的地位，被广泛应用于各行各业。现有技术中，LED芯片的使用寿命对LED光源的使用寿命起着至关重要的作用，而往往现实情况是LED芯片较为脆弱，已损坏，不良率高，LED芯片的发光工作必然会产生大量热量，所以LED芯片的散热问题也非常重要。
技术实现思路
本技术的目的在于提供COB高密度LED倒装光源，旨在解决现有技术中COB光源寿命短的问题。本技术是这样实现的，COB高密度LED倒装光源，包括氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板上设置有凹坑，所述凹坑包括第一凹坑以及位于所述第一凹坑上方的第二凹坑，所述第二凹坑的的直径较所述第一凹坑的直径稍大，所述第一凹坑内倒装有LED芯片，所述第二凹坑内设置有透明荧光胶，氮化铝陶瓷基板上设置有电路结构，所述电路结构与所述LED芯片电性连接，所述电路结构以及所述LED芯片一体封装成型。进一步地，所述LED芯片的背面为发光面，所述LED芯片的正面抵接所述氮化铝陶瓷基板。进一步地，所述第一凹坑与所述LED芯片之间镀设有一层银层。进一步地，所述氮化铝陶瓷基板上设有用于连接外接电源的正极和负极；所述正极与所述负极分别通过所述电路结构与所述LED芯片电性连接。进一步地，所述LED芯片可以替换为由多个串联连接的LED芯片构成的LED芯片组。进一步地，所述LED芯片可以替换为由多个并联连接的LED芯片构成的LED芯片组。进一步地，所述透明荧光胶由荧光粉与透明胶混合形成。进一步地，所述透明荧光胶由离心设备采用离心沉淀工艺制成。与现有技术相比，本技术提供的COB高密度LED倒装光源，通过设置氮化铝陶瓷基板，氮化铝陶瓷基板具有良好导热性以及耐热性能，便于LED芯片的散热，提高了LED芯片的工作时间，第一凹坑内设置有LED芯片，第一凹坑上方设置有第二凹坑，第二凹坑内涂覆有荧光胶，这样，荧光胶不会溢出第二凹坑，同时荧光胶起到保护LED芯片的作用，LED芯片固定稳固，提高了LED芯片的耐候性，提高了LED光源的使用寿命，为用户提供了较大便利。附图说明图1是本技术实施例提供的COB高密度LED倒装光源的主视图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。本实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件；在本技术的描述中，需要理解的是，若有术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。以下结合具体实施例对本技术的实现进行详细的描述。参照图1所示，为本技术提供较佳实施例。COB高密度LED倒装光源，包括氮化铝陶瓷基板1，氮化铝陶瓷基板1上设置有凹坑，凹坑包括第一凹坑以及位于第一凹坑上方的第二凹坑，第二凹坑的的直径较第一凹坑的直径稍大，第一凹坑内倒装有LED芯片2，第二凹坑内设置有透明荧光胶3，氮化铝陶瓷基板1上设置有电路结构，电路结构与LED芯片2电性连接，电路结构以及LED芯片2一体封装成型。氮化铝陶瓷是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷。AIN晶体以〔AIN4〕四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属六方晶系。化学组成AI65.81％，N34.19％，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。AIN晶体为一种高温耐热材料，热膨胀系数为(4.0-6.0)×10-6/℃。多晶AIN热导率达260W/(m.k)，比氧化铝高5-8倍，所以耐热冲击好，能耐2200℃的极热。此外，氮化铝具有不受铝液和其它熔融金属及砷化镓侵蚀的特性，特别是对熔融铝液具有极好的耐侵蚀性。上述提供的COB高密度LED倒装光源，通过设置氮化铝陶瓷基板1，氮化铝陶瓷基板1具有良好导热性以及耐热性能，便于LED芯片2的散热，提高了LED芯片2的工作时间，第一凹坑内设置有LED芯片2，第一凹坑上方设置有第二凹坑，第二凹坑内涂覆有荧光胶，这样，荧光胶不会溢出第二凹坑，同时荧光胶起到保护LED芯片2的作用，LED芯片2固定稳固，提高了LED芯片2的耐候性，提高了LED光源的使用寿命，为用户提供了较大便利。具体地，LED芯片2的背面为发光面，LED芯片2的正面抵接氮化铝陶瓷基板1；也就是说LED芯片2采用倒装的方式固定在氮化铝陶瓷基板1上，这样，固晶厚度薄，散热好，可通大电流使用；尺寸也可以做到更小，节约成本，散热性能的提升也可以提升LED灯的使用寿命，LED芯片2倒装固定不需要金线键合进行绑定，节约了生产成本。再者，第一凹坑与LED芯片2之间镀设有一层银层；银层具有良好的反光性能，LED芯片2发出的光照射到银层时，银层的反光性能可以将光反射出来，提高出光量，提升LED灯的光效。氮化铝陶瓷基板1上设有用于连接外接电源的正极和负极；正极与负极分别通过电路结构与LED芯片2电性连接；这样，当外接电源电性连接氮化铝陶瓷基板1上的正极和负极，形成了闭合回路，实现了外接电源对LED芯片2组的供电，LED芯片2组进行照明工作，发出光线。本实施例中，LED芯片2可以替换为由多个串联连接的LED芯片2构成的LED芯片2组；这样多个LED芯片2同时进行发光工作，提高了光通量，提升了LED光源的发光效果。或者，作为其他实施例，LED芯片2可以替换为由多个并联连接的LED芯片2构成的LED芯片2组；这样当某个LED芯片2发生故障时，其他LED芯片2也可以正常工作，提高了LED光源的使用寿命。本实施例中，透明荧光胶3由荧光粉与透明胶混合形成；荧光粉对LED发出的光进行作用，发出特定颜色的光，满足使用需求。具体地，透明荧光胶3由离心设备采用离心沉淀工艺制成；使用离心设备沉淀荧光胶中的荧光粉，使得COB光源发光均匀，光斑效果良好，同时使得荧光胶的散热效果良好。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.COB高密度LED倒装光源，其特征在于，包括氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板上设置有凹坑，所述凹坑包括第一凹坑以及位于所述第一凹坑上方的第二凹坑，所述第二凹坑的的直径较所述第一凹坑的直径稍大，所述第一凹坑内倒装有LED芯片，所述第二凹坑内设置有透明荧光胶，氮化铝陶瓷基板上设置有电路结构，所述电路结构与所述LED芯片电性连接，所述电路结构以及所述LED芯片一体封装成型。

【技术特征摘要】
1.COB高密度LED倒装光源，其特征在于，包括氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板上设置有凹坑，所述凹坑包括第一凹坑以及位于所述第一凹坑上方的第二凹坑，所述第二凹坑的的直径较所述第一凹坑的直径稍大，所述第一凹坑内倒装有LED芯片，所述第二凹坑内设置有透明荧光胶，氮化铝陶瓷基板上设置有电路结构，所述电路结构与所述LED芯片电性连接，所述电路结构以及所述LED芯片一体封装成型。2.如权利要求1所述的COB高密度LED倒装光源，其特征在于，所述LED芯片的背面为发光面，所述LED芯片的正面抵接所述氮化铝陶瓷基板。3.如权利要求1所述的COB高密度LED倒装光源，其特征在于，所述第一凹坑与所述LED芯片之间镀设有一层银层。4.如权利要求1所述的COB高...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗顺安，
申请(专利权)人：新月光电深圳股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44