一种抗辐射VDMOS器件及其制备方法技术

本发明专利技术实施例涉及电子器件领域，公开了一种抗辐射VDMOS器件的制备方法，包括以下步骤：提供高掺杂衬底；在所述高掺杂衬底上外延第一低掺杂外延层；在所述第一低掺杂外延层远离所述高掺杂衬底的一侧注入N次氢离子，并在每次注入氢离子后退火激活，在所述第一低掺杂外延层内形成自靠近所述高掺杂衬底一侧向远离所述高掺杂衬底一侧递减的掺杂浓度分布，其中，N≧3；在所述第一低掺杂外延层上外延第二低掺杂外延层；在所述第二低掺杂外延层远离所述第一掺杂外延层一侧形成源极、漏极和栅极。本发明专利技术还提供了一种抗辐射VDMOS器件。本发明专利技术提供的抗辐射VDMOS器件及其制备方法，能够同时增大负阻转折临界电流和二次击穿电压，从而提高抗SEB能力。

【技术实现步骤摘要】
一种抗辐射VDMOS器件及其制备方法
本专利技术实施例涉及电子器件
，特别涉及一种抗辐射VDMOS器件及其制备方法。
技术介绍
双扩散场效应晶体管(VDMOSFET)作为电力电子技术中重要的开关器件，已被广泛应用于各类电力电子设备。功率VDMOS晶体管，具有开关速度快、输入阻抗高、频率特性好、跨导线性度高等特点，而且具有负温度系数，安全工作区大等优点。在各类电源、工业控制、便携式电器、汽车电子、消费电子等领域得到广泛的应用，在空间卫星电子系统中功率器件同样具有广泛的应用空间。在航天领域，通常采用高压VDMOS器件作为航天飞行器电源安全开关。由于航天飞行器在宇宙空间中运行，所以对于VDMOS器件的要求除了要具有正确的基本电学参数外，还要能够抵挡太空中各种高能粒子与宇宙射线等的辐射所带来的影响。当功率VDMOS应用于空间航天飞行器的电子系统时，要求一方面具有一定的抗总剂量辐照能力，对于低轨卫星，经过长时间的积累，会有超过10krad(Si)的总剂量水平，高轨卫星甚至可以累计超过1Mrad(Si)的总剂量。另一方面则需要具有一定的抗单粒子效应的能力。单粒子效应主要有单粒子栅穿效应(S本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抗辐射VDMOS器件的制备方法，其特征在于，包括：提供高掺杂衬底；在所述高掺杂衬底上外延第一低掺杂外延层；在所述第一低掺杂外延层远离所述高掺杂衬底的一侧注入N次氢离子，并在每次注入氢离子后退火激活，在所述第一低掺杂外延层内形成自靠近所述高掺杂衬底一侧向远离所述高掺杂衬底一侧递减的掺杂浓度分布，其中，N≧3；在所述第一低掺杂外延层上外延第二低掺杂外延层；在所述第二低掺杂外延层远离所述第一掺杂外延层一侧形成源极、漏极和栅极。

【技术特征摘要】
1.一种抗辐射VDMOS器件的制备方法，其特征在于，包括：提供高掺杂衬底；在所述高掺杂衬底上外延第一低掺杂外延层；在所述第一低掺杂外延层远离所述高掺杂衬底的一侧注入N次氢离子，并在每次注入氢离子后退火激活，在所述第一低掺杂外延层内形成自靠近所述高掺杂衬底一侧向远离所述高掺杂衬底一侧递减的掺杂浓度分布，其中，N≧3；在所述第一低掺杂外延层上外延第二低掺杂外延层；在所述第二低掺杂外延层远离所述第一掺杂外延层一侧形成源极、漏极和栅极。2.根据权利要求1所述的抗辐射VDMOS器件的制备方法，其特征在于，注入的所述氢离子能量为α，其中，0<α≦2MeV。3.根据权利要求1所述的抗辐射VDMOS器件的制备方法，其特征在于，N≦10。4.根据权利要求1所述的抗辐射VDMO...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄学龙，贾云鹏，刘广海，贾国，
申请(专利权)人：深圳吉华微特电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44