存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种存储装置包括存储电路及熔丝保护电路。所述存储电路包括存储单元及编程线。所述存储单元包括熔丝。所述编程线被配置成接收用于对所述熔丝进行编程的编程电压。所述熔丝保护电路耦合至所述存储电路并被配置成防止对所述熔丝进行意外的编程。

【技术实现步骤摘要】
存储装置
本专利技术的实施例涉及一种存储装置，且特别是有关于一种具有熔丝保护电路的存储装置。
技术介绍
存储装置包括可运作以在其中存储数据的位(即，‘0’或‘1’)的存储单元。存储单元包括熔丝。当熔丝被熔断或编程时，在存储单元中存储例如是‘1’的位。否则，即当熔丝保持原样或未被编程时，存储例如是‘0’的位。
技术实现思路
根据本专利技术的实施例，提供一种存储装置包括存储电路及熔丝保护电路。存储电路包括电源线、存储单元及编程线。电源线被配置成接收电源电压，存储单元包括熔丝，编程线被配置成接收用于对所述熔丝进行编程的编程电压。熔丝保护电路耦合至所述存储电路并被配置成防止对所述熔丝进行意外的编程，所述熔丝保护电路包括检测器及开关。检测器被配置成检测流经所述电源线与所述编程线中的一个的静电放电(ESD)电流。开关被配置成当所述检测器检测到所述静电放电电流时将所述电源线与所述编程线中的另一个耦合至地。附图说明结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本专利技术的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。图1是说明根据某些实施例的第一示例性存储装置的示意图。图2是说明根据某些实施例的示例性存储电路、示例性静电放电(electro-staticdischarge，ESD)保护电路、及示例性熔丝保护电路的示意图。图3是说明根据某些实施例的存储装置的示例性操作方法的流程图。图4是说明根据某些实施例的示例性编程使能电路的示意图。图5是说明根据某些实施例的示例性检测器的示意图。图6是说明根据某些实施例的第二示例性存储装置的示意图。图7是说明根据某些实施例的存储装置的示例性操作方法的流程图。图8是说明根据某些实施例的第三示例性存储装置的示意图。图9是说明根据某些实施例的存储装置的示例性操作方法的流程图。图10是说明根据某些实施例的示例性开关的示意图。图11是说明根据某些实施例的示例性开关的示意图。图12是说明根据某些实施例的第四示例性存储装置的示意图。图13是说明根据某些实施例的存储装置的示例性操作方法的流程图。图14是说明根据某些实施例的示例性检测器及示例性开关的示意图。图15是说明根据某些实施例的第五示例性存储装置的示意图。图16是说明根据某些实施例的存储装置的示例性操作方法的流程图。图17是说明根据某些实施例的示例性检测器的示意图。附图标号说明100、600、800、1200、1500：存储装置；110：存储电路；120：静电放电(ESD)保护电路；130：熔丝保护电路；140、150：线；210：存储单元；220：字线驱动器；230：编程使能电路；230a、1220a、1520a：第一输入端子；230b、1220b、1520b：第二输入端子；230c、1220c：输出端子；240：位线选择器；250、260：箝位电路；270、620、820、1220：检测器；270a、410c、420c、520c、530c、620a、820a、1440：输入端子；270b、410d、420d、520d、530d、620b、820b、1450、1520c：输出端子；300、700、900、1300、1600：方法；310、312、314、316、318、320、322、324、326、328、330、332、334、336、338、340、710、712、714、716、718、720、722、724、726、728、730、732、734、736、738、740、910、912、914、916、918、920、922、924、926、928、930、932、934、936、938、940、942、944、946、948、950、952、1310、1312、1314、1316、1318、1320、1322、1324、1326、1328、1330、1332、1334、1336、1338、1340、1342、1344、1346、1348、1350、1352、1354、1356、1358、1360、1610、1612、1614、1616、1618、1620、1622、1624、1626、1628、1630、1632、1634、1636、1638、1640：操作；410、520：第一反相器；410a、420a：第一反相器端子；410b、420b、520b、530b、1430：第二反相器端子；420、530：第二反相器；510：延时电路；510a：第一电容器端子；510b、Cb：第二电容器端子；510c、1410、1710：节点520a、1420：第一反相器端子；530a：端子；1220、1520：检测器；BL：位线；C、C1、C2：电容器；C1a、C2a、Ca：第一电容器端子；C1b、C2b：第二电容器端子；CTRL：控制信号；EN：使能信号；F：熔丝；Iesd：降低的ESD电流；Iprogram：编程电流；M1：旁通栅极晶体管；M1a：第一源极/漏极端子；M1b、M3b、M4b：第二源极/漏极端子；M1c、M2c：栅极端子；M2：存取晶体管；M2a、M3a、M4a：第一源极/漏极端子；M2b：第二源极/漏极端子；M3、M4：FET；M3c、M4c：栅极端子；N：节点信号；PL1：第一编程线；PL2：第二编程线；R：电阻器；Ra：第一电阻器端子；Rb：第二电阻器端子；SL：电源线；SW1、SW2、SW3、SW4、SW5、SW6、SW7、SW8、SW9、SW10：开关；SW1a、SW2a、SW3a、SW4a、SW5a、SW6a、SW7a、SW8a、SW9a、SW10a：第一开关端子；SW1b、SW2b、SW3b、SW4b、SW5b、SW6b、SW7b、SW8b、SW9b、SW10b第二开关端子；SW1c、SW2c、SW3c、SW4c、SW5c、SW6c、SW7c、SW8c、SW9c、SW10c：第三开关端子；SW7d、SW8d：第四开关端子；SW7e：第五开关端子；TRG：触发信号；VDD：电源电压；Vesd：降低的ESD电压；Vprogram：编程电压；WL：字线。具体实施方式以下公开内容提供用于实作所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下阐述组件及排列的具体实例以简化本公开内容。当然，这些仅为实例且不旨在进行限制。举例来说，以下说明中将第一特征形成在第二特征“之上”或第二特征“上”可包括其中第一特征及第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成有附加特征、进而使得所述第一特征与所述第二特征可能不直接接触的实施例。另外，本公开内容可能在各种实例中重复使用参考编号及/或字母。这种重复使用是出于简洁及清晰的目的，而不是自身表示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。只读存储器(read-onlymemory，ROM)装置是一种非易失性存储器，与易失性存储器相反，非易失性存储器不需要电源电压来保持存储于其中的数据。图1是说明根据某些实施例的第一示例性存储装置100的示意图。示例性存储装置100为ROM装置且包括存储电路110、静电放电(ESD)保护电路120、及熔丝保护电路130。存储电路110包括多个存储单元，所述存储单元分别被配置本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储装置，其特征在于，包括：存储电路，包括：电源线，被配置成接收电源电压，存储单元，包括熔丝，以及编程线，被配置成接收用于对所述熔丝进行编程的编程电压；以及熔丝保护电路，耦合至所述存储电路并被配置成防止对所述熔丝进行意外的编程，所述熔丝保护电路包括：检测器，被配置成检测流经所述电源线与所述编程线中的一个的静电放电电流，以及开关，被配置成当所述检测器检测到所述静电放电电流时将所述电源线与所述编程线中的另一个耦合至地。

【技术特征摘要】
2016.12.13 US 62/433,279;2017.04.21 US 15/493,9641.一种存储装置，其特征在于，包括：存储电路，包括：电源线，被配置成接收电源电压，存储单元，包括熔丝，以及编程线，...

【专利技术属性】
技术研发人员：池育德，洪哲民，曾仁洲，李介文，宋明相，李淑娟，周绍禹，苏郁迪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71