用于将CdTe-层沉积在基材上的方法技术

本发明专利技术涉及用于通过物理气相沉积在真空室（1）内将CdTe‑层沉积在基材（2）上的方法，其中将基材（2）在沉积过程之前加热至涂覆温度和然后沿着至少一个容器（3）传送，在该容器中将CdTe（4）转化为蒸气状态，其中通过至少一个入口（5）将气态组分以（相对于真空室中的真空）提高的压力流向基材（2）的待涂覆的表面，从而在将基材（2）沿着至少一个容器（3）传送之前，将所述气态组分吸附在基材（2）的待涂覆的表面上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于将CdTe-层沉积在基材上的方法本专利技术涉及一种用于将CdTe-层沉积在基材上的方法，利用该方法可以将至少一种另外的化学元素嵌入到沉积的层中。CdTe-层在半导体工业中越来越重要，尤其是在制造薄膜太阳能电池或照相机的图像接收器中。对于CdTe-层的沉积，广泛采用所谓的“近空间升华”（缩写CSS）的工艺技术。在该方法中，将CdTe-粒料在容器中加热，使其在容器中升华并且因此转化为蒸气状态。将待涂覆并加热至涂覆温度的基材通常贴近地移动通过容器上方，由此使得CdTe沉积在基材表面上。例如，在“CdTeDünnschichtsolarmoduleaufdemWegzurProduktion”，DieterBonnet博士，FVSThemen2000，第116-118页中描述了借助于CSS沉积CdTe-层用于薄膜太阳能电池。DE102014202961A1公开了一种制造p-掺杂的CdTe-层的方法，其中例如借助于CSS沉积两个CdTe-子层，以及在两个子层之间的包含掺杂元素的牺牲层。掺杂元素从牺牲层扩散到CdTe-子层的邻接区域中。或者，通过允许反应性气体（例如氧气）进入在升华的CdTe-本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.用于通过物理气相沉积在真空室（1）内将CdTe‑层沉积在基材（2）上的方法，其中将基材（2）在沉积过程之前加热至涂覆温度和然后沿着至少一个容器（3）传送，在该容器中将CdTe（4）转化为蒸气状态，其特征在于，通过至少一个入口（5）将气态组分以相对于真空室中的真空提高的压力流向基材（2）的待涂覆的表面，从而在将基材（2）沿着至少一个容器（3）传送之前，将所述气态组分吸附在基材（2）的待涂覆的表面上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.02.03 DE 102016101856.21.用于通过物理气相沉积在真空室（1）内将CdTe-层沉积在基材（2）上的方法，其中将基材（2）在沉积过程之前加热至涂覆温度和然后沿着至少一个容器（3）传送，在该容器中将CdTe（4）转化为蒸气状态，其特征在于，通过至少一个入口（5）将气态组分以相对于真空室中的真空提高的压力流向基材（2）的待涂覆的表面，从而在将基材（2）沿着至少一个容器（3）传送之前，将所述气态组分吸附在基材（2）的待涂覆的表面上。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，使用包含选自氧、氮、硫、氯、氟、磷、砷、锑、铋、碲的至少一种元素的气态组分。3.根据权利要求1或...

【专利技术属性】
技术研发人员：H莫格纳，C梅茨纳，D希尔施，O齐维茨基，L德克，T维尔纳，B西普兴，B施珀特，K韦拉潘，C克拉夫特，C德罗斯特，
申请(专利权)人：弗劳恩霍夫应用研究促进协会，CTF太阳能有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE