双信号通断控制电路及系统技术方案

本发明专利技术实施例公开了一种双信号通断控制电路。所述电路包括：通断控制器件、常闭型控制开关、以及第一电阻；所述第一电阻的第一端与第一控制信号输入端相连，所述第一电阻的第二端分别与所述常闭型控制开关的信号输入端和所述通断控制器件的控制端相连；所述常闭型控制开关的控制端与第二控制信号输入端相连，所述常闭型控制开关的信号输出端与所述通断控制器件的信号输出端相连；其中，所述第一控制信号以及所述第二控制信号用于共同配合控制所述通断控制器件的导通或者截止。本发明专利技术实施例优化了现有的通断控制电路，降低误触发通断控制器件的风险，提高通断控制电路的抗干扰性。

【技术实现步骤摘要】
双信号通断控制电路及系统
本专利技术实施例涉及通断控制器件保护技术，尤其涉及一种双信号通断控制电路及系统。
技术介绍
随着电力电子技术的发展，固态继电器、固态功率控制器或者开关类器件由于其小型化、易于普及等特点，广泛应用于控制电路中。通常来说，固态继电器、固态功率控制器或者开关类器件均采用两端控制方式或三端方式(偏置端、控制端、接地端)，并采用单一控制信号来实现开关的切换功能。但这类控制器件往往在使用时由于误触发控制信号而产生安全隐患，因此在应用中需要对该类控制器件进行抗干扰设计。目前，已广泛应用的抗干扰技术有控制端悬空，控制端短路和串、并联冗余设计等方式，可起到一定的防护作用，但是仍然存在一定的缺陷，主要表现在：1、控制端无论悬空还是短路，由于器件都是单一信号控制，如果存在空间干扰或强电磁脉冲干扰，仍有可能导致产品误触发；2、串、并联冗余设计的方式有较好的抗干扰性能，但是会造成增加设计复杂度，增加尺寸、重量以及成本，并且在强电磁脉冲情况下仍有的误触发风险。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种双信号通断控制电路及系统，以优化现有的通断控制电路，降低误触发通断控制器件的风险，提高通断控制电路的抗干扰性。第一方面，本专利技术实施例提供了一种双信号通断控制电路，包括：通断控制器件、常闭型控制开关、以及第一电阻；所述第一电阻的第一端与第一控制信号输入端相连，所述第一电阻的第二端分别与所述常闭型控制开关的信号输入端和所述通断控制器件的控制端相连；所述常闭型控制开关的控制端与第二控制信号输入端相连，所述常闭型控制开关的信号输出端与所述通断控制器件的信号输出端相连；其中，所述第一控制信号以及所述第二控制信号用于共同配合控制所述通断控制器件的导通或者截止；所述通断控制器件的信号输入端，用于作为所述双信号通断控制电路的输入端，所述通断控制器件的信号输出端，用于作为所述双信号通断控制电路的输出端。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种双信号通断控制系统，包括：至少两个串联连接的，如本专利技术实施例任一所述的双信号通断控制电路；其中，在相邻串联连接的两个所述双信号通断控制电路中，前一双信号通断控制电路中的通断控制器件的信号输出端，与后一双信号通断控制电路中的通断控制器件的信号输入端相连；首位串联的通断控制器件的信号输入端，用于作为所述双信号通断控制系统的输入端，末位串联的通断控制器件的信号输出端，用于作为所述双信号通断控制系统的输出端。本专利技术实施例通过设置两个控制信号输入端，并采用两个控制信号配合控制切换通断控制器件的通断，解决了现有技术中单一信号控制切换控制器件的通断导致误触发的问题，并通过不同电平信号、不同时序组合触发通断控制器件导通，实现加密控制通断控制器件，从而减少误触发的情况，提高通断控制电路的抗干扰能力，同时通过仅采用常闭型开关器件和电阻实现，简化电路的复杂度，降低成本。附图说明图1是本专利技术实施例一中的一种双信号通断控制电路的结构示意图；图2是本专利技术实施例一中的一种双信号通断控制电路的结构示意图；图3是本专利技术实施例二中的一种双信号通断控制系统的结构示意图；图4是本专利技术实施例二中的一种双信号通断控制系统的结构示意图；图5是本专利技术实施例二中的一种双信号通断控制系统的结构示意图；图6是本专利技术实施例二中的一种双信号通断控制系统的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。实施例一图1为本专利技术实施例一提供的一种双信号通断控制电路的结构示意图，本实施例可适用于使用通断控制器件切换负载通断的情况。如图1所示，本实施例中的双信号通断控制电路具体包括：通断控制器件V1、常闭型控制开关K1、以及第一电阻R1；其中，第一电阻R1的第一端与第一控制信号输入端Ic1相连，第一电阻R1的第二端分别与常闭型控制开关K1的信号输入端和通断控制器件V1的控制端相连；常闭型控制开关K1的控制端与第二控制信号输入端Ic2相连，常闭型控制开关K1的信号输出端与通断控制器件V1的信号输出端相连；其中，第一控制信号输入端Ic1用于接收第一控制信号，第二控制信号输入端Ic2用于接收第二控制信号，第一控制信号以及第二控制信号用于共同配合控制通断控制器件V1的导通或者截止；通断控制器件V1的信号输入端，用于作为双信号通断控制电路的输入端IN1，通断控制器件V1的信号输出端，用于作为双信号通断控制电路的输出端OUT1。具体的，通断控制器件V1可以是固态继电器、固态功率控制器或者开关类器件。更详细的是，开关类器件可以是增强型N型金属氧化物半导体场效应晶体管、NPN型三极管或者绝缘栅双极型晶体管。可选的，通断控制器件V1可以是增强型N型金属氧化物半导体场效应晶体管(MetalOxideSemiconductorFiledEffectTransistor，MOSFET)，通断控制器件V1的控制端即N沟道增强型MOSFET的栅极，通断控制器件V1的信号输入端即N沟道增强型MOSFET的漏极，通断控制器件V1的信号输出端即N沟道增强型MOSFET的源极。常闭型控制开关K1的信号输入端与通断控制器件V1的控制端相连，常闭型控制开关K1的信号输出端与通断控制器件V1的信号输出端相连，能够在通断控制器件V1的控制端被误触发时，避免通断控制器件V1进入导通状态，也即通断控制器件V1仅在单一控制信号被误触发时，不会导通，从而实现提高通断控制电路的抗干扰能力。具体的，常闭型控制开关K1可以是耗尽型N型金属氧化物半导体场效应晶体管，还可以是常闭型热敏电阻开关，甚至还可以是常闭型刀闸开关。可选的，常闭型控制开关K1是耗尽型N型金属氧化物半导体场效应晶体管，则常闭型控制开关K1的控制端即N沟道耗尽型MOSFET的栅极，常闭型控制开关K1的信号输入端即N沟道耗尽型MOSFET的漏极，常闭型控制开关K1的信号输出端即N沟道耗尽型MOSFET的源极。需要说明的是，通断控制器件和常闭型控制开关可以根据实际需要选择，本专利技术实施例不做具体限制。其中，控制信号可以是电信号，也可以是温度信号，或者可以是磁信号。具体的，控制信号的类型与接收该控制信号的控制端所连接的器件有关。如第一控制信号与通断控制器件V1匹配，当通断控制器件V1是N沟道增强型MOSFET时，第一控制信号是电压信号，更详细的是，当第一控制信号的电压值大于该N沟道增强型MOSFET的启动电压阈值时，该MOSFET才会导通，即通断控制器件V1导通。第二控制信号与常闭型控制开关K1匹配，若常闭型控制开关K1是N沟道耗尽型MOSFET，第二控制信号是电压信号，并当第二控制信号的电压值小于夹断电压时，该N沟道耗尽型MOSFET截止，即常闭型控制开关K1断开。第一电阻R1串联连接在第一控制信号接收端Ic1与常闭型控制开关K1之间，能够在第一控制信号接收端Ic1接收到误触发的第一控制信号时，限制流向常闭型控制开关K1的电流，防止由于第一控制信号过大(如第一控制信号的电压值大于常闭型控制开关K1的击穿电压)导致常闭型控制开关K1被击穿，甚至毁坏，从而实现对常闭型控制开关K1的保护本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双信号通断控制电路，其特征在于，包括：通断控制器件、常闭型控制开关、以及第一电阻；所述第一电阻的第一端与第一控制信号输入端相连，所述第一电阻的第二端分别与所述常闭型控制开关的信号输入端和所述通断控制器件的控制端相连；所述常闭型控制开关的控制端与第二控制信号输入端相连，所述常闭型控制开关的信号输出端与所述通断控制器件的信号输出端相连；其中，所述第一控制信号以及所述第二控制信号用于共同配合控制所述通断控制器件的导通或者截止；所述通断控制器件的信号输入端，用于作为所述双信号通断控制电路的输入端，所述通断控制器件的信号输出端，用于作为所述双信号通断控制电路的输出端。

【技术特征摘要】
1.一种双信号通断控制电路，其特征在于，包括：通断控制器件、常闭型控制开关、以及第一电阻；所述第一电阻的第一端与第一控制信号输入端相连，所述第一电阻的第二端分别与所述常闭型控制开关的信号输入端和所述通断控制器件的控制端相连；所述常闭型控制开关的控制端与第二控制信号输入端相连，所述常闭型控制开关的信号输出端与所述通断控制器件的信号输出端相连；其中，所述第一控制信号以及所述第二控制信号用于共同配合控制所述通断控制器件的导通或者截止；所述通断控制器件的信号输入端，用于作为所述双信号通断控制电路的输入端，所述通断控制器件的信号输出端，用于作为所述双信号通断控制电路的输出端。2.根据权利要求1所述的双信号通断控制电路，其特征在于，还包括：稳压电路；所述稳压电路的输入端与所述通断控制器件的信号输入端相连，所述稳压电路的输出端与所述通断控制器件的控制端相连；其中，所述稳压电路用于保持所述通断控制器件的信号输入端与所述通断控制器件的信号输出端之间的电压小于所述通断控制器件的击穿电压。3.根据权利要求2所述的双信号通断控制电路，其特征在于，稳压电路包括：第二电阻以及第一稳压管；所述第二电阻的第一端与所述通断控制器件的控制端相连，所述第二电阻的第二端与所述第一稳压管的正极端相连，所述第一稳压管的负极端与所述通断控制器件的信号输入端相连。4.根据权利要求1-3任一项所述的双信号通断控制电路，其特征在于，所述通断控制器件包括：固态继电器、固态功率控制器或者开关类器件。5.根据权利要求4所述的双信号通断控制电路，其特征在于，所述开关类器件包括：增强型N型金属氧化物半导体场效应晶体管、NPN型三极管或者绝缘栅双极型晶体管。6.根据权利要求5所述的双信号通断控制电路，其特征在于，所述常闭型控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫军政，
申请(专利权)人：北京市科通电子继电器总厂有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11