一种提高GaN基LED发光效率的蓝宝石图形衬底结构制造技术

本发明专利技术公开了一种提高GaN基LED发光效率的蓝宝石图形衬底结构，它包括蓝宝石图形衬底以及沉积于所述蓝宝石图形衬底上的三明治反射结构，所述三明治反射结构包括沉积于所述蓝宝石图形衬底上的第一Al2O3多层结构、沉积于所述第一Al2O3多层结构上的布拉格反射器以及沉积于所述布拉格反射器上的第二Al2O3多层结构。本发明专利技术不仅可以提高GaN基LED材料质量，而且可以提高GaN基LED的发光效率，具有非常重要的商业价值。

【技术实现步骤摘要】
一种提高GaN基LED发光效率的蓝宝石图形衬底结构
本专利技术属于半导体
，具体涉及一种提高GaN基LED发光效率的蓝宝石图形衬底结构。
技术介绍
GaN基LED现在已经广泛用于通用照明、交通信号指示、显示屏和背光源等领域。相比于传统光源，GaN基LED具有光电转换效率高、寿命长、损耗低、无污染等显著优势。在GaN基LED的大规模生产中，提高光效和降低成本始终是永远追求的目标，随着生产规模的不断扩大，生产成本也在不断降低。在提高光效方面，很多关键技术已经大量应用于大规模生产中，如图形衬底技术、缓冲层技术、高光效量子阱技术、散热技术等，对GaN基LED的发展起到了至关重要的作用。GaN基LED的大规模生产主要有三种衬底材料，蓝宝石衬底、碳化硅衬底和硅衬底，而在这三种衬底材料中，蓝宝石衬底市场份额最大，在整个GaN基LED的大规模生产中具有引领和主导地位。大量的生产实践已经证明，蓝宝石衬底从平面衬底发展到图形衬底(PSS)，LED发光效率明显提高，对整个LED产业的发展起到了非常大的促进作用。为进一步提高LED发光效率，中国专利CN103022291A提出一种具有全方位反射镜的图形本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高GaN基LED发光效率的蓝宝石图形衬底结构，其特征在于，包括蓝宝石图形衬底(4)以及沉积于所述蓝宝石图形衬底(4)上的三明治反射结构，所述三明治反射结构包括沉积于所述蓝宝石图形衬底(4)上的第一Al2O3多层结构(3)、沉积于所述第一Al2O3多层结构(3)上的布拉格反射器(2)、以及沉积于所述布拉格反射器(2)上的第二Al2O3多层结构(1)。

【技术特征摘要】
1.一种提高GaN基LED发光效率的蓝宝石图形衬底结构，其特征在于，包括蓝宝石图形衬底(4)以及沉积于所述蓝宝石图形衬底(4)上的三明治反射结构，所述三明治反射结构包括沉积于所述蓝宝石图形衬底(4)上的第一Al2O3多层结构(3)、沉积于所述第一Al2O3多层结构(3)上的布拉格反射器(2)、以及沉积于所述布拉格反射器(2)上的第二Al2O3多层结构(1)。2.根据权利要求1所述的一种提高GaN基LED发光效率的蓝宝石图形衬底结构，其特征在于，第一Al2O3多层结构(3)由m层Al2O3薄膜构成，2≤m≤10。3.根据权利要求1所述的一种提高GaN基LED发光效率的蓝宝石图形衬底结构，其特征在于，所述布拉格反射器(2)的周期数为12-48，每层的光学厚度为反射中心波长的四分之一，反射中心波长为450nm。4.根据权利要求1所述的一种提高GaN基LED发光效率的蓝宝石图形衬底结构，其特征在于，第二Al2O3多层结构(1)由n层Al2O3薄膜构成,2≤n≤10。5.根据权利要求1所述的一种提高GaN基LED发光效率的蓝宝石图形衬底结构，其特征在于，它通过以下方法制备得到：(1)、在蓝宝石图形衬底(4)上沉积第一Al2O3多层结构(3)：将原子层沉积系统反应室抽真空，待压力小于3x10-5Torr后，把蓝宝石衬底从送样室转移至反应室，将反应室温度升高至200℃，以Ar为载气，以三甲基铝和水为反应源，待温度稳定后开始生长第一层A...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙一军，程志渊，周强，孙颖，孙家宝，刘艳华，王妹芳，盛况，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33