一种GaN基黄光LED结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种GaN基黄光LED结构。其包括芯片组件和发光二极管组件；芯片组件包括碳化硅衬底、生长于碳化硅衬底的外延层以及设于外延层上的P电极和N电极；外延层包括依次层叠的InN缓冲层、AlGaN缓冲层、非故意掺杂GaN接触层、N型掺杂GaN接触层、InGaN准备层、黄光多量子阱层、电子阻挡层、P型掺杂GaN接触层以及透明导电层，N电极设于N型掺杂GaN接触层上，P电极设于透明导电层上，InGaN准备层和黄光多量子阱层包含有倒锥形结构，发光二极管组件包括用于固定芯片组件的支架、焊线和支架电极。本实用新型专利技术能够避免出现裂片、碎片现象，且提高均匀性。

A GaN based yellow LED structure

The utility model discloses a GaN based yellow light LED structure. The chip module includes a silicon carbide substrate, an epitaxial layer grown on a silicon carbide substrate, and P and N electrodes arranged on the epitaxial layer; the epitaxial layer includes an InN buffer layer, an AlGaN buffer layer, an unintentionally doped GaN contact layer, an N-type doped GaN contact layer, and an InGaN preparation layer. The N electrode is located on the N-type doped GaN contact layer, the P electrode is located on the transparent conductive layer, the InGaN preparation layer and the Yellow multi-quantum well layer contain inverted cone structure, and the light-emitting diode module includes the support and welding for the fixed chip module. Wire and bracket electrodes. The utility model can avoid lobule and debris phenomenon and improve uniformity.

【技术实现步骤摘要】
一种GaN基黄光LED结构
本技术涉及照明
，特别是涉及一种GaN基黄光LED结构。
技术介绍
近年来、氮化物基发光二极管芯片广泛应用于照明领域。随着发光二极管的大规模应用，市场对于发光二极管的生产效率，生产成本提出更高的要求，因此为了持续降低制造成本，采用碳化硅衬底的发光二极管替代蓝宝石衬底的发光二极管是未来开展趋势。目前，采用碳化硅衬底的发光二极管可以增大衬底尺寸，但是由于6英寸乃至更大尺寸的外延技术尚不成熟，导致碳化硅衬底的发光二极管尚未完全普及，主要原因就是大尺寸的外延片在生长过程中容易出现裂片、碎片现象，且外延片均匀性差，从而导致外延片的产品量率低，难以规模化生产。
技术实现思路
本技术主要解决的技术问题是提供一种GaN基黄光LED结构，能够避免出现裂片、碎片现象，且提高均匀性。为解决上述技术问题，本技术采用的一个技术方案是：提供一种GaN基黄光LED结构，包括芯片组件和发光二极管组件；所述芯片组件包括碳化硅衬底、生长于碳化硅衬底的外延层以及设于外延层上的P电极和N电极；所述外延层包括依次层叠的InN缓冲层、AlGaN缓冲层、非故意掺杂GaN接触层、N型掺杂GaN接触层、InGaN准备层、黄光多量子阱层、电子阻挡层、P型掺杂GaN接触层以及透明导电层，所述N电极设于所述N型掺杂GaN接触层上，所述P电极设于所述透明导电层上，所述InGaN准备层和黄光多量子阱层包含有倒锥形结构，所述发光二极管组件包括用于固定所述芯片组件的支架、焊线和支架电极。优选的，所述透明导电层为ITO层。优选的，所述InN缓冲层的厚度为10-200nm，所述AlGaN缓冲层的厚度为10-100nm。本技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本技术采用芯片组件和发光二极管组件的复合结构，且芯片组件包括碳化硅衬底和生长于碳化硅衬底的外延层，外延层包括依次层叠的InN缓冲层、AlGaN缓冲层、非故意掺杂GaN接触层、N型掺杂GaN接触层、InGaN准备层、黄光多量子阱层、电子阻挡层、P型掺杂GaN接触层以及透明导电层，由于外延层具有两层缓冲层，能够更好地释放碳化硅与GaN之间的应力，从而能够避免出现裂片、碎片现象，且提高均匀性，保证了稳定性和发光质量，提高了使用寿命。附图说明图1是本技术实施例提供的GaN基黄光LED结构的结构示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。参阅图1，是本技术实施例提供的GaN基黄光LED结构的结构示意图，本技术实施例的GaN基黄光LED结构包括芯片组件和发光二极管组件。芯片组件包括碳化硅衬底11、生长于碳化硅衬底11的外延层12以及设于外延层12上的P电极13和N电极14；外延层12包括依次层叠的InN缓冲层121、AlGaN缓冲层122、非故意掺杂GaN接触层123、N型掺杂GaN接触层124、InGaN准备层125、黄光多量子阱层126、电子阻挡层127、P型掺杂GaN接触层128以及透明导电层129，N电极14设于N型掺杂GaN接触层124上，P电极13设于透明导电层128上，InGaN准备层125和黄光多量子阱层126包含有倒锥形结构，发光二极管组件包括用于固定芯片组件的支架(图未示)、焊线(图未示)和支架电极23。在本实施例中，透明导电层128为ITO层。InN缓冲层121的厚度为10-200nm，AlGaN缓冲层122的厚度为10-100nm。由于外延层12具有InGaN准备层125，从而可以显著弛豫了黄光多量子阱层126所受的张应力，提高了黄光多量子阱层126的质量，同时，在InGaN准备层125和黄光多量子阱层126引入倒锥形结构，可以大幅度提升P型载流子的注入效率，进一步提升GaN基黄光LED结构的内量子效率。倒锥形结构可以倒圆锥形结构或到多面锥形结构。通过上述方式，本技术实施例的GaN基黄光LED结构采用芯片组件和发光二极管组件的复合结构，且芯片组件包括碳化硅衬底和生长于碳化硅衬底的外延层，外延层包括依次层叠的InN缓冲层、AlGaN缓冲层、非故意掺杂GaN接触层、N型掺杂GaN接触层、InGaN准备层、黄光多量子阱层、电子阻挡层、P型掺杂GaN接触层以及透明导电层，由于外延层具有两层缓冲层，能够更好地释放碳化硅与GaN之间的应力，从而能够避免出现裂片、碎片现象，且提高均匀性，保证了稳定性和发光质量，提高了使用寿命。以上所述仅为本技术的实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的
，均同理包括在本技术的专利保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种GaN基黄光LED结构，其特征在于，包括芯片组件和发光二极管组件；所述芯片组件包括碳化硅衬底、生长于碳化硅衬底的外延层以及设于外延层上的P电极和N电极；所述外延层包括依次层叠的InN缓冲层、AlGaN缓冲层、非故意掺杂GaN接触层、N型掺杂GaN接触层、InGaN准备层、黄光多量子阱层、电子阻挡层、P型掺杂GaN接触层以及透明导电层，所述N电极设于所述N型掺杂GaN接触层上，所述P电极设于所述透明导电层上，所述InGaN准备层和黄光多量子阱层包含有倒锥形结构，所述发光二极管组件包括用于固定所述芯片组件的支架、焊线和支架电极。

【技术特征摘要】
1.一种GaN基黄光LED结构，其特征在于，包括芯片组件和发光二极管组件；所述芯片组件包括碳化硅衬底、生长于碳化硅衬底的外延层以及设于外延层上的P电极和N电极；所述外延层包括依次层叠的InN缓冲层、AlGaN缓冲层、非故意掺杂GaN接触层、N型掺杂GaN接触层、InGaN准备层、黄光多量子阱层、电子阻挡层、P型掺杂GaN接触层以及透明导电层，所述N电极设于所述N型掺杂GaN接触层上，...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗艳，
申请(专利权)人：四川九鼎智远知识产权运营有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51