The utility model discloses a light-emitting diode lighting device. The chip module includes a silicon carbide substrate, an epitaxial layer grown on a silicon carbide substrate, and P and N electrodes arranged on the epitaxial layer; the epitaxial layer includes an InN buffer layer, an AlGaN buffer layer, an unintentionally doped GaN contact layer, an N-type doped GaN contact layer, and an InGaN/GaN multicomponent. Subwell luminescence layer, electron barrier layer, P-type doped GaN contact layer and transparent conductive layer, N electrode on N-type doped GaN contact layer, P electrode on transparent conductive layer, light-emitting diode module includes support, welding wire and support electrode for fixing chip module. The utility model can avoid lobule and debris phenomenon and improve uniformity.
【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管照明器件
本技术涉及照明
,特别是涉及一种发光二极管照明器件。
技术介绍
近年来、氮化物基发光二极管芯片广泛应用于照明领域。随着发光二极管的大规模应用,市场对于发光二极管的生产效率,生产成本提出更高的要求,因此为了持续降低制造成本,采用碳化硅衬底的发光二极管替代蓝宝石衬底的发光二极管是未来开展趋势。目前,采用碳化硅衬底的发光二极管可以增大衬底尺寸,但是由于6英寸乃至更大尺寸的外延技术尚不成熟,导致碳化硅衬底的发光二极管尚未完全普及,主要原因就是大尺寸的外延片在生长过程中容易出现裂片、碎片现象,且外延片均匀性差,从而导致外延片的产品量率低,难以规模化生产。
技术实现思路
本技术主要解决的技术问题是提供一种发光二极管照明器件,能够避免出现裂片、碎片现象,且提高均匀性。为解决上述技术问题,本技术采用的一个技术方案是:提供一种发光二极管照明器件,包括芯片组件和发光二极管组件;所述芯片组件包括碳化硅衬底、生长于碳化硅衬底的外延层以及设于外延层上的P电极和N电极;所述外延层包括依次层叠的InN缓冲层、AlGaN缓冲层、非故意掺杂GaN接触层、N型掺杂GaN接触层、InGaN/GaN多量子阱发光层、电子阻挡层、P型掺杂GaN接触层以及透明导电层,所述N电极设于所述N型掺杂GaN接触层上,所述P电极设于所述透明导电层上,所述发光二极管组件包括用于固定所述芯片组件的支架、焊线和支架电极。优选的,所述透明导电层为ITO层。优选的,所述InN缓冲层的厚度为10-200nm,所述AlGaN缓冲层的厚度为10-100nm。本技术的有益效果是:区别于现有技术的情况,本技术 ...
【技术保护点】
1.一种发光二极管照明器件,其特征在于,包括芯片组件和发光二极管组件;所述芯片组件包括碳化硅衬底、生长于碳化硅衬底的外延层以及设于外延层上的P电极和N电极;所述外延层包括依次层叠的InN缓冲层、AlGaN缓冲层、非故意掺杂GaN接触层、N型掺杂GaN接触层、InGaN/GaN多量子阱发光层、电子阻挡层、P型掺杂GaN接触层以及透明导电层,所述N电极设于所述N型掺杂GaN接触层上,所述P电极设于所述透明导电层上,所述发光二极管组件包括用于固定所述芯片组件的支架、焊线和支架电极。
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管照明器件,其特征在于,包括芯片组件和发光二极管组件;所述芯片组件包括碳化硅衬底、生长于碳化硅衬底的外延层以及设于外延层上的P电极和N电极;所述外延层包括依次层叠的InN缓冲层、AlGaN缓冲层、非故意掺杂GaN接触层、N型掺杂GaN接触层、InGaN/GaN多量子阱发光层、电子阻挡层、P型掺杂GaN接触层以及透明导电层,所述N电极设...
【专利技术属性】
技术研发人员:罗艳,
申请(专利权)人:四川九鼎智远知识产权运营有限公司,
类型:新型
国别省市:四川,51
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