The utility model discloses a GaN-based LED epitaxial structure with a double buffer layer. The epitaxial structure is composed of a sapphire substrate, an Al2O3 buffer layer, a low-temperature GaN buffer layer, an unintentionally doped high-temperature GaN layer, an n-type GaN layer, an InGaN/GaN multi-quantum well layer, a p-type AlGaN layer and a p-type GaN layer stacked in turn. The utility model has an Al2O3 buffer layer between the sapphire substrate and the low-temperature GaN buffer layer, and improves the crystal quality of GaN material through the double-layer buffer effect of the Al2O3 buffer layer and the low-temperature GaN buffer layer, thereby improving the luminous efficiency of the LED.
【技术实现步骤摘要】
一种具有双缓冲层的GaN基LED外延结构
本技术属于半导体
,具体涉及一种具有双缓冲层的GaN基LED外延结构。
技术介绍
GaN基LED由于具有光电转换效率高、寿命长、损耗低、无污染等显著优势,近些年来得到了突飞猛进的发展。在GaN基LED技术的发展过程中,整个产业链各个环节关键技术的应用为GaN基LED的产业化及其应用创造了条件。其中,外延技术对GaN基LED至关重要。外延技术的发展主要经历了三个突破,第一个突破是低温缓冲层技术的应用,使得GaN材料的晶体质量迅速提高,从此GaN材料的晶体质量实现了飞跃;第二个突破是p型GaN材料的成功制备,这为GaN基LED的大规模生产扫除了障碍;第三个突破是蓝宝石图形衬底的应用,使得GaN基LED的亮度大幅提高,为GaN基LED的大规模应用创造了条件。低温缓冲层技术的关键是制备低温GaN或AlN缓冲层,调节蓝宝石衬底与GaN的晶格失配,从而提高GaN材料的晶体质量,提高GaN基LED的发光效率。关于缓冲层结构,中国专利申请CN103296161A提出一种GaN基LED超晶格缓冲层结构,该超晶格缓冲层结构为由多个GaN层及多个Al1-xGaxN层相互交替的层叠结构,其中,0.01≤x≤1,且各Al1-xGaxN层中Ga组分x随层叠数的增加而递增。该专利仅采用GaN或AlN材料做缓冲层,缓冲效果有限。
技术实现思路
本技术针对现有缓冲层技术存在的不足,提出一种具有双缓冲层的GaN基LED外延结构。本技术的目的是通过以下技术方案来实现的:一种具有双缓冲层的GaN基LED外延结构,所述具有双缓冲层的GaN基LED外延结构 ...
【技术保护点】
1.一种具有双缓冲层的GaN基LED外延结构,其特征在于,所述具有双缓冲层的GaN基LED外延结构为由蓝宝石衬底、Al2O3缓冲层、低温GaN缓冲层、非故意掺杂高温GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层依次层叠的层叠结构。
【技术特征摘要】
1.一种具有双缓冲层的GaN基LED外延结构,其特征在于,所述具有双缓冲层的GaN基LED外延结构为由蓝宝石衬底、Al2O3缓冲层、低温GaN缓冲层、非故意掺杂高温GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层依次层叠的层叠结构。2.根据权利要求1所述的一种具有双缓冲层的GaN基LED外延结构,其特征在于,所述蓝宝石衬底为蓝宝石平面衬...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙一军,程志渊,周强,孙颖,孙家宝,刘艳华,王妹芳,盛况,
申请(专利权)人:浙江大学,
类型:新型
国别省市:浙江,33
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