一种提升芯片分离率的切割方法技术

本发明专利技术公开了一种提升芯片分离率的切割方法，在使用激光切割的过程中，通过对激光参数的调整，达到不同的切割深度，保证余留未切深度在20‑40μm的情况下，使芯片背面切割后，激光所留下的痕迹呈明显的开口式造型，提升芯片经人工或机器裂片后的分离率，避免出现芯片连体未分开的现象以及二次机械损伤。

【技术实现步骤摘要】
一种提升芯片分离率的切割方法
本专利技术涉及工业加工
，具体涉及一种芯片的切割方法。
技术介绍
随着半导体行业的快速发展，激光切割与机械切割作为晶圆切割工艺被广泛应用，其中激光切割技术的高效率与非接触式无机械损伤的特点正逐渐受人推崇，但在加工过程中，不同类型的硅片在进行切割时，若对激光参数不做调整，则切出的晶圆在后续芯片分离过程(人工或机器裂片)中会出现芯片连体的问题，该问题只能通过机械压力将连体芯片分离，既影响生产效率，又会对芯片造成损伤。
技术实现思路
鉴于上述现有工艺方法中存在的问题，本专利技术提供了一种提升芯片分离率的切割方法。不同类型的芯片在使用激光切割的过程中，通过对激光参数的调整，达到不同的切割深度，保证余留未切深度在20-40μm的情况下，使晶圆背面切割后，激光所留下的痕迹呈明显的开口式造型，提升芯片经人工或机器裂片后的分离率，避免出现芯片连体未分开的现象以及二次机械损伤。一种提升芯片分离率的切割方法，包括如下步骤：(1)确定待切割芯片的切割深度，即：l切＝l总-l槽-l余，其中，l切为切割深度，l总为芯片整体厚度，l槽为沟槽深度，l余为余留未切深度，上述单位均为μ本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提升芯片分离率的切割方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)确定待切割芯片的切割深度，即：l切＝l总‑l槽‑l余，其中，l切为切割深度，l总为芯片整体厚度，l槽为沟槽深度，l余为余留未切深度，上述单位均为μm，l余的取值为20‑40；(2)初始切割：将待切割芯片无沟槽的一面朝上放置在切割平台上，使用激光切割机对沟槽正面中心的位置对齐，在无沟槽一面进行激光切割，切割功率为激光切割机额定功率的25‑40％，初始切割的深度为l切的30‑40％。(3)中段切割：将切割功率调整到激光切割机额定功率的45‑55％进行中段切割，中段切割的深度为l切的30‑40％；(4)末段切割：将切割功率调整到激光切...

【技术特征摘要】
1.一种提升芯片分离率的切割方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)确定待切割芯片的切割深度，即：l切＝l总-l槽-l余，其中，l切为切割深度，l总为芯片整体厚度，l槽为沟槽深度，l余为余留未切深度，上述单位均为μm，l余的取值为20-40；(2)初始切割：将待切割芯片无沟槽的一面朝上放置在切割平台上，使用激光切割机对沟槽正面中心的位置对齐，在无沟槽一面进行激光切割，切割功率为激光切割机额定功率的25-40％，初始切割的深度为l切的30-40％。(3)中段切割：将切割功率调整到激光切割机额定功率的45-55％进行中段切割，中段切割的深度为l切的30-40％；(4)末段切割：将切割功率调整到激光切割机额定功率的60-68％，末段切割剩余的深度。2.根据权利要求1所述的一种提升芯片分离率的切割方法，其特征在于：激光切割机额定功率...

【专利技术属性】
技术研发人员：王道强，陈春富，李燕，魏庆山，
申请(专利权)人：扬州虹扬科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32