集成电路设计的仿真方法、设备及计算机可读存储介质技术

一种集成电路设计的仿真方法、设备及计算机可读存储介质。该方法包括：创建单位长度下的第一寄生电容数据表和第二寄生电容数据表；获取第一金属线的输入参数；根据输入参数从第一寄生电容数据表中匹配第一样本参数，以获取与第一样本参数相对应的第一电容值，并根据第一电容值计算出第一寄生电容；根据输入参数从第二寄生电容数据表中匹配第二样本参数，以获取与第二样本参数相对应的第二电容值，并根据第二电容值计算出第二寄生电容；计算第一金属线的电阻；根据第一寄生电容、第二寄生电容和第一金属线的电阻创建第一金属线的模拟电路单元；以及仿真该模拟电路单元。本发明专利技术可以缩减集成电路设计的开发周期，降低设计成本。

【技术实现步骤摘要】
集成电路设计的仿真方法、设备及计算机可读存储介质
本专利技术涉及集成电路设计领域，尤其涉及一种集成电路设计的仿真方法、设备及计算机可读存储介质。
技术介绍
在集成电路设计中，我们都要进行(版图设计)前仿真和(版图设计)后仿真的流程。通常在电路开发阶段(版图设计前)，不考虑金属线走线产生的寄生电容电阻的影响，只考虑电路功能上的设计，等到版图初步完成后，再提取寄生电容电阻，并将提取的寄生电容电阻添加到电路中进行后仿真和电路设计验证优化，如果验证失败，就要调整版图设计，直到验证通过，如图1所示。这种方法需要多次反复验证，增加了设计开发周期和成本。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种集成电路设计的仿真方法、设备及计算机可读存储介质，以至少解决现有技术中的以上技术问题。第一方面，本专利技术实施例提供了一种集成电路设计的仿真方法，包括：创建单位长度下的第一寄生电容数据表和第二寄生电容数据表，其中，所述第一寄生电容数据表包括多组第一样本参数以及多个与所述第一样本参数相对应的第一电容值，所述第二寄生电容数据表包括多组第二样本参数以及多个与所述第二样本参数相对应的第二电容值；获取第一金属线的输入参数，其中，所述输入参数包括所述第一金属线的长度、宽度、第一间距、以及第二金属线对所述第一金属线的覆盖度，其中，所述第二金属线与所述第一金属线布置在相邻层中，所述第一间距是所述第一金属线与所述第一金属线相邻的第三金属线之间的间距；根据所述输入参数从所述第一寄生电容数据表中匹配第一样本参数，以获取与所述第一样本参数相对应的第一电容值；并根据所述第一电容值、所述第一金属线的长度以及所述单位长度计算出第一寄生电容，其中，所述第一寄生电容是所述第一金属线与所述第三金属线之间的耦合电容；根据所述输入参数从所述第二寄生电容数据表中匹配第二样本参数，以获取与所述第二样本参数相对应的第二电容值；并根据所述第二电容值、所述第一金属线的长度以及所述单位长度计算出第二寄生电容，其中，所述第二寄生电容是所述第一金属线与所述第二金属线之间的耦合电容；根据所述第一金属线的金属方块电阻以及所述第一金属线的长度和宽度计算所述第一金属线的电阻；根据所述第一寄生电容、所述第二寄生电容和所述第一金属线的电阻创建所述第一金属线的模拟电路单元；以及仿真所述模拟电路单元。进一步地，所述创建单位长度下的第一寄生电容数据表和第二寄生电容数据表的步骤包括：创建包括第一样本金属线、多条第二样本金属线和第三样本金属线的版图，其中，所述第二样本金属线与所述第一样本金属线布置在相邻层中，所述第三样本金属线与所述第一样本金属线相邻，所述第一样本金属线的长度是所述单位长度，所述版图包括第一样本参数和第二样本参数，所述第一样本参数包括所述第一样本金属线的宽度和第一样本间距，所述第二样本参数包括所述第一样本金属线的宽度和所述第二样本金属线对所述第一样本金属线的覆盖度，所述第一样本间距是所述第一样本金属线与所述第三样本金属线的间距；改变所述第一样本参数，从所述版图中分别提取所述第一样本金属线与所述第三样本金属线在每组第一样本参数下所对应的耦合电容值，以获得所述第一电容值，将多组第一样本参数与多个第一电容值一一映射，生成所述第一寄生电容数据表；改变所述第二样本参数，从所述版图中分别提取所述第一样本金属线与所述第二样本金属线在每组第二样本参数下所对应的耦合电容值，以获得所述第二电容值，将多组第二样本参数与多个第二电容值一一映射，生成所述第二寄生电容数据表。进一步地，所述改变所述第一样本参数的步骤包括：在第一样本金属线的宽度限值和第一样本间距限值的范围内，以预设宽度变化幅度和预设第一样本间距变化幅度，改变所述第一样本金属线的宽度和所述第一样本间距；以及所述改变所述第二样本参数的步骤包括：在所述第一样本金属线的宽度限值的范围内，以所述预设宽度变化幅度改变所述第一样本金属线的宽度。进一步地，计算所述第一寄生电容的步骤包括：当所述第一金属线的宽度超过所述宽度限值时，从所述第一寄生电容数据表中获取所述宽度限值和所述第一间距所对应的第一电容值，根据所述第一金属线的宽度与所述宽度限值的比例，按线性关系换算所述第一电容值，以获得所述第一寄生电容；以及当所述第一间距超过所述第一样本间距限值时，从所述第一寄生电容数据表中获取所述第一样本间距限值和所述第一金属线的宽度所对应的第一电容值，根据所第一间距与所述第一样本间距限值的比例，按线性关系换算所述第一电容值，以获得所述第一寄生电容。进一步地，计算所述第二寄生电容的步骤，包括：当所述第一金属线的宽度超过所述宽度限值时，从所述第二寄生电容数据表中获取所述宽度限值和所述第二金属线对所述第一金属线的覆盖度所对应的第二电容值，根据所述第一金属线的宽度与所述宽度限值的比例，按线性关系换算所述第二电容值，以获得所述第二寄生电容。进一步地，计算所述第一寄生电容的步骤包括：根据所述输入参数从所述第一寄生电容数据表中匹配最接近的第一样本参数，并获取与所述最接近的第一样本参数所对应的第一电容值，根据所述输入参数与所述最接近的第一样本参数的比例，按线性关系换算得到所述第一电容值，以获得所述第一寄生电容。进一步地，计算所述第二寄生电容的步骤包括：根据所述输入参数从所述第二寄生电容数据表中匹配最接近的第二样本参数，并获取与所述最接近的第二样本参数所对应的第二电容值，根据所述输入参数与所述最接近的第二样本参数的比例，按线性关系换算得到所述第二电容值，以获得所述第二寄生电容。进一步地，所述根据所述第一电容值、所述第一金属线的长度以及所述单位长度计算第一寄生电容的步骤包括：根据所述第一金属线的长度与所述单位长度的比例，按线性关系换算所述第一电容值，以获得所述第一寄生电容；以及所述根据所述第二电容值、所述第一金属线的长度以及所述单位长度计算第二寄生电容的步骤包括：根据所述第一金属线的长度与所述单位长度的比例，按线性关系换算所述第二电容值，以获得所述第二寄生电容。进一步地，所述第二金属线对所述第一金属线的覆盖度根据以下公式计算：第二金属线的宽度÷(第二金属线的宽度+第二间距)，其中，所述第二间距是相邻两根第二金属线之间的间距。进一步地所述第一金属线的电阻根据以下公式计算：第一金属线的电阻＝金属方块电阻×(第一金属线的长度÷第一金属线的宽度)。进一步地所述第二样本金属线对所述第一样本金属线的覆盖度根据以下公式计算：第二样本金属线的宽度÷(第二样本金属线的宽度+第二样本间距)，其中，所述第二样本间距是相邻两根第二样本金属线之间的间距。第二方面，本专利技术实施例提供一种集成电路设计的仿真设备，包括：一个或多个处理器；存储装置，用于存储一个或多个程序；当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行时，使得所述一个或多个处理器实现如上所述的仿真方法。第三方面，本专利技术实施例提供了一种计算机可读存储介质，用于存储计算机程序，其包括上述第一方面中的仿真方法被处理器执行时所涉及的计算机程序。上述技术方案中具有如下优点：缩减集成电路设计的开发周期，降低设计成本。上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本专利技术进一步的方面、实施方式和特征本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路设计的仿真方法，其特征在于，包括：创建单位长度下的第一寄生电容数据表和第二寄生电容数据表，其中，所述第一寄生电容数据表包括多组第一样本参数以及多个与所述第一样本参数相对应的第一电容值，所述第二寄生电容数据表包括多组第二样本参数以及多个与所述第二样本参数相对应的第二电容值；获取第一金属线的输入参数，其中，所述输入参数包括所述第一金属线的长度、宽度、第一间距、以及第二金属线对所述第一金属线的覆盖度，其中，所述第二金属线与所述第一金属线布置在相邻层中，所述第一间距是所述第一金属线与所述第一金属线相邻的第三金属线之间的间距；根据所述输入参数从所述第一寄生电容数据表中匹配第一样本参数，以获取与所述第一样本参数相对应的第一电容值；并根据所述第一电容值、所述第一金属线的长度以及所述单位长度计算出第一寄生电容，其中，所述第一寄生电容是所述第一金属线与所述第三金属线之间的耦合电容；根据所述输入参数从所述第二寄生电容数据表中匹配第二样本参数，以获取与所述第二样本参数相对应的第二电容值；并根据所述第二电容值、所述第一金属线的长度以及所述单位长度计算出第二寄生电容，其中，所述第二寄生电容是所述第一金属线与所述第二金属线之间的耦合电容；根据所述第一金属线的金属方块电阻以及所述第一金属线的长度和宽度计算所述第一金属线的电阻；根据所述第一寄生电容、所述第二寄生电容和所述第一金属线的电阻创建所述第一金属线的模拟电路单元；以及仿真所述模拟电路单元。...

【技术特征摘要】
1.一种集成电路设计的仿真方法，其特征在于，包括：创建单位长度下的第一寄生电容数据表和第二寄生电容数据表，其中，所述第一寄生电容数据表包括多组第一样本参数以及多个与所述第一样本参数相对应的第一电容值，所述第二寄生电容数据表包括多组第二样本参数以及多个与所述第二样本参数相对应的第二电容值；获取第一金属线的输入参数，其中，所述输入参数包括所述第一金属线的长度、宽度、第一间距、以及第二金属线对所述第一金属线的覆盖度，其中，所述第二金属线与所述第一金属线布置在相邻层中，所述第一间距是所述第一金属线与所述第一金属线相邻的第三金属线之间的间距；根据所述输入参数从所述第一寄生电容数据表中匹配第一样本参数，以获取与所述第一样本参数相对应的第一电容值；并根据所述第一电容值、所述第一金属线的长度以及所述单位长度计算出第一寄生电容，其中，所述第一寄生电容是所述第一金属线与所述第三金属线之间的耦合电容；根据所述输入参数从所述第二寄生电容数据表中匹配第二样本参数，以获取与所述第二样本参数相对应的第二电容值；并根据所述第二电容值、所述第一金属线的长度以及所述单位长度计算出第二寄生电容，其中，所述第二寄生电容是所述第一金属线与所述第二金属线之间的耦合电容；根据所述第一金属线的金属方块电阻以及所述第一金属线的长度和宽度计算所述第一金属线的电阻；根据所述第一寄生电容、所述第二寄生电容和所述第一金属线的电阻创建所述第一金属线的模拟电路单元；以及仿真所述模拟电路单元。2.根据权利要求1所述的仿真方法，其特征在于，所述创建单位长度下的第一寄生电容数据表和第二寄生电容数据表的步骤包括：创建包括第一样本金属线、多条第二样本金属线和第三样本金属线的版图，其中，所述第二样本金属线与所述第一样本金属线布置在相邻层中，所述第三样本金属线与所述第一样本金属线相邻，所述第一样本金属线的长度是所述单位长度，所述第一样本参数包括所述第一样本金属线的宽度和第一样本间距，所述第二样本参数包括所述第一样本金属线的宽度和所述第二样本金属线对所述第一样本金属线的覆盖度，所述第一样本间距是所述第一样本金属线与所述第三样本金属线的间距；改变所述第一样本参数，从所述版图中分别提取所述第一样本金属线与所述第三样本金属线在每组第一样本参数下所对应的耦合电容值，以获得所述第一电容值，将多组第一样本参数与多个第一电容值一一映射，生成所述第一寄生电容数据表；改变所述第二样本参数，从所述版图中分别提取所述第一样本金属线与所述第二样本金属线在每组第二样本参数下所对应的耦合电容值，以获得所述第二电容值，将多组第二样本参数与多个第二电容值一一映射，生成所述第二寄生电容数据表。3.根据权利要求2所述的仿真方法，其特征在于，所述改变所述第一样本参数的步骤包括：在第一样本金属线的宽度限值和第一样本间距限值的范围内，以预设宽度变化幅度和预设第一样本间距变化幅度，改变所述第一样本金属线的宽度和所述第一样本间距；以及所述改变所述第二样本参数的步骤包括：在所述第一样本金属线的宽度限值的范围内，以所述预设宽度变化幅度改变所述第一样本金属线的宽度。4.根据权利要求3所述的仿真方法，其特征在于，计算所述第一寄生电容的步骤包括：当所述第一金属线的宽度超过所述宽度限值时，从所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：睿力集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34