避免急遽直流饱和衰减的磁芯及其制备方法技术

一种避免急遽直流饱和衰减的磁芯及其制备方法，该磁芯是一体烧结形成，该磁芯具有一中柱、二侧柱及一底座，每一该侧柱分别与该中柱间隔一距离设置，每一该侧柱均平行于该中柱，该底座连接于该中柱及该二侧柱。其中，该中柱具有一第一导磁率，该二侧柱分别具有一第二导磁率，该第一导磁率小于该第二导磁率，该底座具有一连接该中柱的第一连接部，二分别对应其中一该侧柱的第二连接部，及二分别自该第一连接部延伸而与其中一该第二连接部相连的第一翼部，该第一连接部与每一该第一翼部均具有该第一导磁率，该第二连接部则具有该第二导磁率。

【技术实现步骤摘要】
避免急遽直流饱和衰减的磁芯及其制备方法
本专利技术涉及一种避免急遽直流饱和衰减的磁芯及其制备方法，尤指一种经一体烧结后中柱部分具较低导磁率的磁芯及其制备方法。
技术介绍
电感器于诸多实施情况下是需要接受相对高的直流电流，如10安培的电流，再者，除高直流电流之外，电感器亦会在高工作频率下实施。然，电感器是由一为至少一匝的绕组以及一磁芯(又称铁芯)所组构而成，该磁芯普遍仅具单一导磁率，而当电感器实施于高直流电流时，该磁芯一但进入饱和状态，将使电感器整体性能衰减，而不利于实施。对此，遂有专利技术人提出一种具降低的直流电流饱和度的电力电感器，如中国台湾公告第I333220号专利所揭露，该专利揭露一种电力电感器，该电力电感器于一实施例中，具有一第一磁芯以及一第二磁芯，该第二磁芯具有比该第一磁芯低的磁导率，藉此以达到降低直流电流饱和度的目的。但，由该专利说明书第14页第3段及第4段所揭可知，该第一磁芯与该第二磁芯并非以一体烧结方式形成，而是分开制作再进行连接作业，且以连接方式实施将会影响整体的结构强度及其特性，而有不妥。
技术实现思路
本专利技术的主要目的，在于解决现有技术磁芯烧结后整体仅具单一导磁率，而会于电流饱和时产生急遽衰减的问题。为达上述目的，本专利技术提供一种避免急遽直流饱和衰减的磁芯，该磁芯一体烧结成形有一中柱、二侧柱以及一底座，每一该侧柱分别与该中柱间隔一距离设置，每一该侧柱均平行于该中柱，该底座连接于该中柱及该二侧柱。进一步地，该中柱具有一第一导磁率，该二侧柱分别具有一第二导磁率，该第一导磁率小于该第二导磁率，该底座具有一连接该中柱的第一连接部，二分别对应其中一该侧柱的第二连接部，以及二分别自该第一连接部延伸而与其中一该第二连接部相连的第一翼部，该第一连接部与每一该第一翼部均具有该第一导磁率，该第二连接部则具有该第二导磁率。于一实施例中，该底座具有二分别自其中一该侧柱延伸而与其中一该第一翼部连接的第二翼部，每一该第二翼部具有该第二导磁率。除此之外，本专利技术亦提供一种避免急遽直流饱和衰减的磁芯的制备方法，该制备方法包含以下步骤：初始步骤：提供设有一模穴的一模具，对该模穴中一中柱形成部设置一第一注料口，对该模穴中的二侧柱形成部分别设置一第二注料口；注料步骤：通过该第一注料口与该第二注料口分别对该模穴进行注料，令该第一注料口对该中柱形成部注入一第一导磁材料，每一该第二注料口分别对其中一该侧柱形成部注入一第二导磁材料，且被注入的该第一导磁材料于该模穴中与该第二导磁材料接触，该第一导磁材料与该第二导磁材料为相同材质，但该第一导磁材料的导磁率小于该第二导磁材料；以及烧结步骤：对该模具实施烧结，令注入该模穴内的该第一导磁材料与该第二导磁材料一体烧结为一磁芯，该磁芯具有一由该第一导磁材料形成的中柱、二分别由该第二导磁材料形成的侧柱及一底座，该底座连接于该中柱及二该侧柱，该中柱具有一第一导磁率，该二侧柱分别具有一第二导磁率，该第一导磁率小于该第二导磁率，该底座具有一连接该中柱的第一连接部，二分别对应其中一该侧柱的第二连接部，以及二分别自该第一连接部延伸而与其中一该第二连接部相连的第一翼部，该第一连接部与每一该第一翼部均具有该第一导磁率，该第二连接部则具有该第二导磁率。于一实施例中，于该烧结步骤，该底座具有二分别自其中一该侧柱延伸而与其中一该第一翼部连接的第二翼部，每一该第二翼部具有该第二导磁率。于一实施例中，该第一导磁材料与该第二导磁材料分别为铁氧体(Ferrite)。通过本专利技术前述所揭实施方式，相较于现有技术具有以下特点：本专利技术是以一体烧结的方式制备该磁芯，该磁芯具有该第一导磁率及该第二导磁率，而相较于现有技术，能避免直流饱和产生的急遽衰减。再者，本专利技术除以该第一导磁材料制成该磁芯的该中柱之外，更以该第一导磁材料制成该底座的该第一连接部及二该第一翼部，避免该磁芯的该中柱于烧结后产生断裂的情事发生。附图说明图1为本专利技术一实施例的磁芯立体结构示意图。图2为本专利技术一实施例的磁芯剖面示意图。图3为本专利技术另一实施例的磁芯剖面示意图。图4为本专利技术另一实施例的磁芯立体结构示意图。图5为本专利技术另一实施例的磁芯剖面示意图。图6为本专利技术一实施例的制备方法流程示意图。图7为本专利技术一实施例的模具示意图。图8为本专利技术一实施例的模具未注料示意图。图9为本专利技术一实施例的模具注料示意图。图10为本专利技术另一实施例的模具注料示意图。图11为本专利技术一实验例的特性变化对照示意图。具体实施方式本专利技术详细说明及
技术实现思路
，现就配合图式说明如下：请参阅图1及图2，本专利技术提供一种避免急遽直流饱和衰减的磁芯10，该磁芯10是经由一次性地烧结形成，也就是说，该磁芯10是一体烧结形成。该磁芯10具有一中柱11、二侧柱12以及一底座13，每一该侧柱12分别与该中柱11间隔一距离设置，每一该侧柱12均平行于该中柱11，该底座13则连接该中柱11及该二侧柱12。进一步地，本专利技术该中柱11具有一第一导磁率，该二侧柱12分别具有一小于该第一导磁率的第二导磁率。又，该底座13具有一连接该中柱11的第一连接部131，二分别对应其中一该侧柱12的第二连接部132，以及二分别自该第一连接部131延伸而与其中一该第二连接部132相连的第一翼部133，而该第一连接部131与每一该第一翼部133均具有该第一导磁率，该第二连接部132则具有该第二导磁率。并请参阅图3，一实施例，该底座13具有二分别自其中一该侧柱12延伸而与其中一该第一翼部133连接的第二翼部134，每一该第二翼部134具有该第二导磁率。具体说明，本专利技术该第一翼部133与该第二翼部134的长度比例是可以根据实施需求而有改变，并不以本案图面所绘等比例为限。又，本专利技术该磁芯10除可以E型磁芯实施之外，亦可以PQ型磁芯实施，就如图4至图5所揭。再者，请参阅图6至图9，本专利技术亦提供一种避免急遽直流饱和衰减的磁芯的制备方法，该制备方法搭配一模具20实施，该制备方法包含步骤：初始步骤30：提供该模具20，该模具20设有一模穴201，对该模穴201中的一中柱形成部202设置一第一注料口21，对该模穴202中的二侧柱形成部203分别设置一第二注料口22；注料步骤31：通过该第一注料口21与该第二注料口22分别对该模穴201进行注料，令该第一注料口21对该中柱形成部202注入一第一导磁材料40，每一该第二注料口22分别对其中一该侧柱形成部203注入一第二导磁材料41，且被注入的该第一导磁材料40于该模穴201中与该第二导磁材料41接触，该第一导磁材料40与该第二导磁材料41为相同材质，但该第一导磁材料40的导磁率小于该第二导磁材料41；以及烧结步骤32：对该模具20实施烧结，令注入该模穴201内的该第一导磁材料40与该第二导磁材料41一体烧结为该磁芯10，该磁芯10具有由该第一导磁材料40形成的该中柱11、分别由该第二导磁材料41形成的二该侧柱12及该底座13，该底座13连接于该中柱11及二该侧柱12，该中柱11具有该第一导磁率，二该侧柱12分别具有该第二导磁率，该第一导磁率小于该第二导磁率，该底座13具有连接该中柱11的该第一连接部131，分别对应其中一该侧柱12的二该第二连接部132，以及分别自该第一连接部131一侧延伸而与其中一该第二连接部132相本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种避免急遽直流饱和衰减的磁芯，该磁芯一体烧结成形有一中柱、二侧柱以及一底座，每一该侧柱分别与该中柱间隔一距离设置，每一该侧柱均平行于该中柱，该底座连接于该中柱及该二侧柱，其特征在于：该中柱具有一第一导磁率，该二侧柱分别具有一第二导磁率，该第一导磁率小于该第二导磁率，该底座具有一连接该中柱的第一连接部，二分别对应其中一该侧柱的第二连接部，以及二分别自该第一连接部延伸而与其中一该第二连接部相连的第一翼部，该第一连接部与每一该第一翼部均具有该第一导磁率，该第二连接部则具有该第二导磁率。

【技术特征摘要】
1.一种避免急遽直流饱和衰减的磁芯，该磁芯一体烧结成形有一中柱、二侧柱以及一底座，每一该侧柱分别与该中柱间隔一距离设置，每一该侧柱均平行于该中柱，该底座连接于该中柱及该二侧柱，其特征在于：该中柱具有一第一导磁率，该二侧柱分别具有一第二导磁率，该第一导磁率小于该第二导磁率，该底座具有一连接该中柱的第一连接部，二分别对应其中一该侧柱的第二连接部，以及二分别自该第一连接部延伸而与其中一该第二连接部相连的第一翼部，该第一连接部与每一该第一翼部均具有该第一导磁率，该第二连接部则具有该第二导磁率。2.如权利要求1所述避免急遽直流饱和衰减的磁芯，其特征在于，该底座具有二分别自其中一该侧柱延伸而与其中一该第一翼部连接的第二翼部，每一该第二翼部具有该第二导磁率。3.一种避免急遽直流饱和衰减的磁芯的制备方法，其特征在于，包含步骤：初始步骤：提供设有一模穴的一模具，对该模穴中一中柱形成部设置一第一注料口，对该模穴中的二侧柱形成部分别设置一第二注料口；注料步骤：通过该第一注料口与该第二注料口分别对该模穴进行注料，令该第一注料口对该中柱形成部注入一第一导磁材料，每一该第二注料口分别对其中一该侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：周宗汉，
申请(专利权)人：一诺科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71