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避免急遽直流饱和衰减的磁芯及其制备方法技术
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文档序号:19025056
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一种避免急遽直流饱和衰减的磁芯及其制备方法,该磁芯是一体烧结形成,该磁芯具有一中柱、二侧柱及一底座,每一该侧柱分别与该中柱间隔一距离设置,每一该侧柱均平行于该中柱,该底座连接于该中柱及该二侧柱。其中,该中柱具有一第一导磁率,该二侧柱分别具有...
该专利属于一诺科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过一诺科技股份有限公司授权不得商用。
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