磁盘装置和写入方法制造方法及图纸

根据一个实施例，磁盘装置包括磁盘和控制器，该控制器基于磁盘的第一偏心率计算第一校正值，并且基于第一校正值写入第一磁道，其中当控制器中断用于写入第二磁道的处理以便在第一位置重叠第一磁道时，控制器测量磁盘的第二偏心率，并比较第一偏心率与第二偏心率，以及当第一偏心率与第二偏心率不同时，控制器重新开始用于从在径向方向远离第一位置的第二位置写入第二磁道的处理。

【技术实现步骤摘要】
磁盘装置和写入方法相关申请的交叉引用本申请基于2017年3月7日提交的日本专利申请No.2017-43013，并要求其的优先权，其全部内容通过引用结合于此。
在此描述的实施例一般涉及磁盘装置和写入方法。
技术介绍
近年来，已经开发了各种用于提高磁盘装置的存储容量的技术。在其中一种技术中，磁盘装置使用叠瓦式磁记录(SMR)来写入数据。在叠瓦式磁记录中，磁盘装置将数据写入磁盘，使得当前磁道与先前写入的相邻磁道(以下简称为相邻磁道)的一部分重叠。与正常记录相比，当磁盘装置通过叠瓦式磁记录来写入数据时，磁盘的磁道密度(每英寸磁道数：TPI)可被提高。在磁盘装置中，通常由于例如磁盘和主轴电机的附着误差而产生磁盘偏心率。当磁盘偏心率产生时，会发生动态偏移(DO)。具体地，当磁盘进行一个回转时，读取/写入偏移值在单个磁道内改变。因此，在磁盘装置中，在写入处理中执行调节R/W偏移值的写入动态偏移控制(WDOC)以控制动态偏移。当磁盘装置执行WDOC时，装置测量偏心率，基于测量的偏心率计算校正值，并且基于计算的校正值执行WDOC。磁盘的偏心率状态可以通过外部冲击等而改变。当磁盘的偏心率的状态已被改变，磁盘装置再次测量偏心率，基于测量的偏心率计算校正值，并且基于计算的校正值执行WDOC。在利用叠瓦式磁记录的磁盘装置中，当校正值在磁盘的偏心率的状态改变之前和之后不同时，写入相邻磁道的数据可能被擦除。
技术实现思路
通常，根据一种实施例，磁盘装置包括：磁盘；磁头，其将数据写入磁盘并从磁盘读取数据；以及控制器，其基于磁盘的第一偏心率计算第一校正值，基于第一校正值将第一磁道写入第一目标位置，以及基于第一校正值将第二磁道写入第二目标位置以便重叠第一磁道，该第二目标位置在根据径向方向的第一方向中与第一目标位置相距第一距离，其中当控制器中断用于写入第二磁道以便在第二磁道的第一位置重叠第一磁道的处理并重新开始从第一位置写入第二磁道的处理时，控制器测量磁盘的第二偏心率并比较第一偏心率与第二偏心率，以及当第一偏心率与第二偏心率不同时，控制器重新开始用于从与第一方向中的第一位置相距第二距离的第二位置写入第二磁道的处理。根据本专利技术，可以提供具有改进的可靠性的磁盘装置。附图说明图1是示出根据一个实施例的磁盘装置的配置的框图。图2是示出用于写入数据的叠瓦式磁记录区域的示例的示意图。图3A是示出当不发生R/W偏移时磁头的状态的示例的示意图。图3B是示出当发生R/W偏移时磁头的状态的示例的示意图。图4是示出用于写入数据的处理的控制的示例的示意图。图5示出从带区中的磁道的中间位置重新开始的写入处理的示例。图6示出根据实施例的从带区中的磁道的中间位置重新开始的写入处理的示例。图7是示出根据实施例的用于测量磁盘装置中的偏心率的处理的示例的流程图。图8是示出根据实施例的磁盘装置的写入操作的示例的流程图。图9是示出根据实施例的用于确认写入数据的路径的处理的示例的流程图。具体实施方式以下将参考附图描述实施例。附图仅仅是示例，并且不以任何方式限制本专利技术的范围。(实施例)图1是示出根据实施例的磁盘装置1的配置的框图。磁盘装置1包括如后所述的磁头-磁盘组件(HDA)、驱动器IC20、磁头放大器集成电路(IC)30、易失性存储器70、非易失性存储器80、缓冲存储器(缓冲器)90以及作为单片集成电路的系统控制器130。磁盘装置1连接到主机系统(主机)100。HDA包括磁盘(盘)10、主轴电机(SPM)12、包括磁头15的臂13和音圈电机(VCM)14。磁盘10可旋转地附接到SPM12。臂13和VCM14形成致动器。磁盘10的数量和磁头15的数量可以是两个或更多。在磁盘10中，叠瓦式磁记录(SMR)区域10s和媒体缓存区域10m被分配给数据区域。例如，作为来自主机100的写入请求的用户数据被记录在叠瓦式磁记录区域10s中。媒体缓存区域10m可以用作叠瓦式磁记录区域10s的缓存。叠瓦式磁记录区域10s是每一个磁道被写入其中的记录区域以便部分地重叠先前磁道。由于多个磁道以该方式彼此重叠，因此叠瓦式磁记录区域10s的磁道密度(每英寸磁道：TPI)高于其中磁道彼此不重叠的正常记录区域的磁道密度。在叠瓦式磁记录区域10s中，一组重叠的磁道被称为带区。叠瓦式磁记录区域10s可以包括多个带区。每一个带区包括与相邻磁道的一部分重叠的至少一个磁道(叠瓦式磁记录磁道)，以及最后写入的磁道(最终磁道)。没有磁道被写入来重叠最终磁道。因此，最终磁道的磁道宽度大于每一个叠瓦式磁记录磁道的磁道宽度。在每一个带区中，被写入磁盘10的每一个磁道被称为写入磁道。在每一个带区中，除重叠区域之外的每一个写入磁道的区域被称为读取磁道。术语“磁道”可以用作包括写入磁道和读取磁道的术语。写入磁道的磁道宽度可以被称为写入磁道宽度。读取磁道的磁道宽度可以被称为读取磁道宽度。叠瓦式磁记录区域10s包括测试区域TR。在图1中所示的示例中，叠瓦式磁记录区域10s包括内侧的测试区域TR。叠瓦式磁记录区域10s也可以包括在除内侧之外的区域中的测试区域TR。图2是示出以便数据被写入的叠瓦式磁记录区域10s的示例的示意图。在图2中，横轴是磁盘10的圆周方向。纵轴是与圆周方向垂直的磁盘10的径向方向(半径方向)。圆周方向是与磁盘10的旋转方向平行的方向。圆周方向包括右方向和与右方向相反的左方向。在圆周方向中，写入数据的方向被称为行进方向。例如，行进方向与旋转方向相反。在图2中，行进方向与右方向相同。行进方向也可以与左方向相同。径向方向包括从磁盘10的内圆周到外圆周的向外方向(外侧)OD和与向外方向OD相反的向内方向(内侧)ID。在径向方向中，数据被写入的方向被称为向前方向。在图2中，向前方向与向外方向OD相同。向前方向也可以与向内方向ID相同。图2示出被写入叠瓦式磁记录区域10s的带区BAk和BAk-1。为了方便起见，图2通过以圆周方向延伸的具有磁道宽度的直线示出了每一个磁道。然而，实际的磁道由以圆周方向的曲线形成。在带区BAk和BAk-1中，每一个磁道沿磁盘10的整个圆周设置，使得在圆周方向中左端与右端重合。在图2中，例如，调节由干扰或其它结构效应产生的磁道的未对准。图2示出两个带区，具体地两个带区是带区BAk和BAk-1。带区BAk在径向方向中与带区BAk-1相邻。间隙(或保护区域；GAP)被定义在带区BAk和BAk-1之间，以防止重写等。带区BAk的磁道结构基本上与带区BAk-1的磁道结构相同。在下面的描述中，解释了带区BAk的磁道结构。然而，带区BAk的磁道结构的解释同样适用于带区BAk-1的磁道结构。在图2所示的示例中，写入磁道Wt1、Wt2和Wt3被串行写入，以便在带区BAk中在径向方向中彼此重叠。尽管未在图2中示出，写入磁道Wt1、Wt2和Wt3中的每一者包括多个扇区。在示例中，带区BAk包括三个磁道。然而，带区BAk应该包括至少一个磁道。写入磁道Wt1包括磁道边缘Tg11和Tg12。在图2所示的示例中，磁道边缘Tg11是在与向前方向相反的方向(内侧ID)中的写入磁道Wt1的一端。磁道边缘Tg12是向前方向(外侧OD)中的写入磁道Wt1的一端。写入磁道Wt2包括磁道边缘Tg21和Tg22。在图2所示的示例中，磁道边本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁盘装置，包括：磁盘；磁头，其将数据写入所述磁盘并从所述磁盘读取数据；以及控制器，其基于所述磁盘的第一偏心率计算第一校正值，基于所述第一校正值将第一磁道写入第一目标位置，以及基于所述第一校正值将第二磁道写入第二目标位置以便重叠所述第一磁道，所述第二目标位置在根据径向方向的第一方向中与所述第一目标位置相距第一距离，其中当所述控制器中断用于写入第二磁道的处理以便在所述第二磁道的第一位置重叠第一磁道并且重新开始用于从所述第一位置写入所述第二磁道的处理时，所述控制器测量所述磁盘的第二偏心率并比较所述第一偏心率与所述第二偏心率，以及当所述第一偏心率与所述第二偏心率不同时，所述控制器重新开始用于从第二位置写入所述第二磁道的处理，所述第二位置在所述第一方向中与所述第一位置相距第二距离。

【技术特征摘要】
2017.03.07 JP 2017-0430131.一种磁盘装置，包括：磁盘；磁头，其将数据写入所述磁盘并从所述磁盘读取数据；以及控制器，其基于所述磁盘的第一偏心率计算第一校正值，基于所述第一校正值将第一磁道写入第一目标位置，以及基于所述第一校正值将第二磁道写入第二目标位置以便重叠所述第一磁道，所述第二目标位置在根据径向方向的第一方向中与所述第一目标位置相距第一距离，其中当所述控制器中断用于写入第二磁道的处理以便在所述第二磁道的第一位置重叠第一磁道并且重新开始用于从所述第一位置写入所述第二磁道的处理时，所述控制器测量所述磁盘的第二偏心率并比较所述第一偏心率与所述第二偏心率，以及当所述第一偏心率与所述第二偏心率不同时，所述控制器重新开始用于从第二位置写入所述第二磁道的处理，所述第二位置在所述第一方向中与所述第一位置相距第二距离。2.根据权利要求1所述的磁盘装置，其中，当所述控制器重新开始用于写入所述第二磁道的处理时，所述控制器基于所述第二偏心率计算第二校正值，并且基于所述第二校正值重新开始用于从所述第二位置写入所述第二磁道的处理。3.根据权利要求2所述的磁盘装置，其中，当所述控制器确认所述第一偏心率与所述第二偏心率不同时，所述控制器设置指示所述第一校正值被改变为所述第二校正值的第一标志。4.根据权利要求3所述的磁盘装置，其中，当所述控制器确认所述第一偏心率与所述第二偏心率不同时，所述控制器基于所述第二校正值设置指示被写入第三目标位置的第三磁道的路径未被确认的第二标志。5.根据权利要求4所述的磁盘装置，其中，当所述控制器检测到所述第一标志和所述第二标志被设置时，所述控制器重新开始用于从所述第二位置写入所述第二磁道的处理。6.根据权利要求5所述的磁盘装置，其中，当所述控制器检测到所述第一标志和所述第二标志被设置时，所述控制器基于所述第一校正值将第四磁道写入第四目标位置，基于所述第二校正值将所述第三磁道写入第三目标位置以便重叠所述第四磁道，并且通过读取与重叠所述第三磁道的所述第四磁道的第一区域不同的第二区域来确认所述第三磁道的路径，所述第三目标位置在所述第一方向中与所述第四目标位置相距所述第一距离。7.根据权利要求6所述的磁盘装置，其中，当所述控制器成功读取所述第二区域时，所述控制器清除所述第一标志和所述第二标志。8.根据权利要求7所述的磁盘装置，其中，当所述控制器清除所述第一标记和所述第二标记时，所述控制器基于所述第二校正值重新开始用于从所述第一位置写入所述第二磁道的处理。9.根据权利要求1所述的磁盘装置，其中，所述第二距离等于所述第一距离。10.根据权利要求1所述的磁盘装置，其中，当所述第一偏心率等于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：冢原济，高原真一郎，阿部隆夫，
申请(专利权)人：株式会社东芝，东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP