存储装置、控制器电路以及记录再现方法制造方法及图纸

一个实施方式提供能够提高信息的记录密度的存储装置。根据一个实施方式，提供具有控制器电路和记录介质的存储装置。控制器电路具有第1变换电路和第2变换电路。第1变换电路在将M设为3以上的整数时，将数据变换成M值的符号。第2变换电路在将n设为2以上的整数时，将变换出的n个M值的符号的每一个变换成M级脉冲宽度的信号。记录介质记录变换出的n个M级脉冲宽度的信号。控制器电路还具有均衡电路。均衡电路将从记录介质读出的信号均衡成n个M值的符号。

Storage device, controller circuit and recording and reproducing method

An implementation method provides a storage device capable of improving recording density of information. According to one embodiment, a storage device with a controller circuit and a recording medium is provided. The controller circuit has first conversion circuit and second conversion circuit. The first transform circuit transforms the data into a symbol of M value when the integer M is set to more than 3. In the second transform circuit, when the n is set to an integer of more than 2, each transformation of the n M value of the transform is transformed into a M level pulse width signal. The recording medium records the signals of n M level pulse width transformed. The controller circuit also has a balanced circuit. The equalization circuit equalizer the signals read out from the recording medium into symbols of n M values.

【技术实现步骤摘要】
存储装置、控制器电路以及记录再现方法本申请以日本专利申请2017-3169号(申请日：2017年1月12日)为在先申请而享有优先权。本申请通过参照该在先申请而包括该在先申请的全部内容。
本实施方式涉及存储装置、控制器电路以及记录再现方法。
技术介绍
在磁盘装置等存储装置中，在各磁道(track)，由记录介质上的磁化方向表示信息位(bit，比特)的值。此时，希望提高信息的记录密度。
技术实现思路
一个实施方式提供能够提高信息的记录密度的存储装置、控制器电路以及记录再现方法。根据一个实施方式，提供具有控制器电路和记录介质的存储装置。控制器电路具有第1变换电路和第2变换电路。第1变换电路在将M设为3以上的整数时，将数据变换成M值的符号。第2变换电路在将n设为2以上的整数时，将变换出的n个M值的符号的每一个变换成M级脉冲宽度的信号。记录介质记录变换出的n个M级脉冲宽度的信号。控制器电路还具有均衡电路。均衡电路将从记录介质读出的信号均衡成n个M值的符号。附图说明图1是表示实施方式所涉及的存储装置的构成的图。图2是表示实施方式中的控制器电路的构成的图。图3的(a)～(c)是表示实施方式中的变换规则的一例的图。图4是表示实施方式中的存储装置的工作(动作)的波形图。图5是表示实施方式中的记录比特密度以及误比特率的关系的图。图6的(a)～(c)是表示实施方式的第1变形例中的变换规则的一例的图。图7是表示实施方式的第1变形例中的存储装置的工作的波形图。图8是表示实施方式的第2变形例中的控制器电路的构成的图。图9是表示实施方式的第3变形例中的控制器电路的构成的图。图10是表示实施方式的第4变形例中的控制器电路的工作的波形图。图11的(a)以及(b)是表示实施方式的第4变形例中的控制器电路的构成的图。具体实施方式以下，参照附图，详细地说明实施方式所涉及的存储装置。此外，本专利技术不由这些实施方式所限定。(实施方式)对实施方式所涉及的存储装置1进行说明。存储装置1具有记录介质，根据来自主机40的请求将信息记录于记录介质。记录介质例如包括盘介质(例如磁盘、光盘、光磁盘)、半导体存储器等。存储装置1例如是磁盘装置、SSD、光磁盘装置、光盘装置等。以下，对记录介质是盘介质(磁盘)、存储装置1是磁盘装置的情况进行示例，但本实施方式也可以适用于其他情况。存储装置1例如经由头22将信息记录于记录介质11，经由头22从记录介质11读出信号。具体而言，存储装置1具备记录介质11、主轴马达12、马达驱动器21、头22、致动器臂15、音圈马达(VCM)16、斜坡23、头放大器24、读写通道(RWC)25、硬盘控制器(HDC)31、缓冲存储器29以及控制电路26。记录介质11通过主轴马达12，以旋转轴为中心按预定的转速旋转。主轴马达12的旋转通过马达驱动器21驱动。记录介质11例如也可以是磁盘或者光磁盘等盘介质。记录介质11例如具有垂直磁记录层。例如，在记录介质11的表背面，规定了从记录介质11的中心附近沿放射方向延伸的多个伺服区域。伺服区域能够在圆周方向上等间隔地配置。例如，在伺服区域记录有包含伺服图形(servopattern)的伺服信息。另外，通过伺服图形，在记录介质11的表背面，从记录介质11的中心附近呈同心圆状规定了多个磁道。另外，在各磁道，反复配置有伺服区域和包括同步标记、数据区域的扇区区域。同步标记表示数据区域的开头。头22通过其具备的记录头22a以及再现头22b，对记录介质11进行数据的写入和/或读出。另外，头22位于致动器臂15的前端，通过由马达驱动器21驱动的VCM16，沿着记录介质11的半径方向(磁道宽度方向)移动。在记录介质11的旋转停止等时，头22退避到斜坡23上。头放大器24具有记录放大器24a以及再现放大器24b。再现放大器24b将头22从记录介质11读取的信号进行放大并输出，供给到RWC25。另外，记录放大器24a将从RWC25供给的用于将数据写入记录介质11的信号进行放大，供给到头22。HDC31进行对经由I/F总线在与主机40之间所进行的数据的收发的控制、和/或缓冲存储器29的控制、以及对于记录数据的数据纠错处理等。缓冲存储器29作为在与主机40之间收发的数据的高速缓存(cache)来使用。再者，缓冲存储器29用于暂时存储从记录介质11读出的数据、写入记录介质11的数据或者从记录介质11读出的控制用固件等。RWC25将从HDC31供给的用于写入记录介质11的数据进行码调制并供给到头放大器24。另外，RWC25将从记录介质11读取且由头放大器24供给的信号进行码解调并作为数字数据向HDC31输出。对控制电路26连接有工作用存储器27(例如SRAM：StaticRandomAccessMemory，静态随机存取存储器)、非易失性存储器28(例如FlashROM：FlashReadOnlyMemory，闪速只读存储器)以及暂时存储用的缓冲存储器29(例如DRAM：DynamicRandomAccessMemory，动态随机存取存储器)。控制电路26按照预先存储于非易失性存储器28以及记录介质11的固件，进行该存储装置1整体的控制。控制电路26例如是CPU等处理器，作为IC(电路)来安装。固件包括初始固件以及通常工作所使用的控制用固件。启动时最初所执行的初始固件例如存储于非易失性存储器28。如后所述，在控制用固件中，也可以含有控制器电路50(参照图2)的功能的一部分。另外，通常工作所使用的控制用固件记录于记录介质11，通过按照初始固件的控制，暂时从记录介质11读出到缓冲存储器29，之后保存于工作用存储器27。在存储装置1中，由记录介质11上的磁化方向表示信息位的值，因此若增高记录介质11上的记录密度，有时会产生符号间干扰从而导致再现信号的品质劣化。例如，在将2值符号记录于记录介质11的信息记录方式中，若增高记录密度，则易于产生符号间干扰，因此难以兼顾抑制再现信号的品质的劣化与提高信息的记录密度。对此，考虑在存储装置1中，在磁道内设置相邻的两个子磁道。在该情况下，为了通过相邻的两个子磁道的2值振幅值的信号的组合来实现3值的符号的记录，以使从相邻的两个子磁道所再现的信号的合成结果成为3值振幅值的信号的方式进行控制。然而，为了使相邻的两个子磁道的合成结果(所期望的信号)采取所期望的3值振幅值，要求在检测所期望的信号时，在构成1个扇区的相邻的子磁道间取得记录比特的定时(timing)同步。在具有一个记录头的存储装置1中，可能难以实现相邻的两个子磁道间的同步记录，另外即使能够实现，记录时间的吞吐(throughput)性能也可能会劣化。于是，根据本实施方式，在存储装置1中，将用户数据(位组合)变换成n个(n是2以上的整数)M值(M是3以上的整数)的符号。通过将n个M值的符号的每一个变换成M级脉冲宽度的信号并记录于记录介质11，无需在磁道内设置多个子磁道就能够实现向记录介质11的多值记录。即，存储装置1具有用于能够进行多值记录的对记录信号的调制解调功能。处理与均衡处理后的再现信号相对的M值振幅值的存储装置1对具有2值振幅值的记录脉冲的时间宽度和相位进行控制(脉冲宽度调制：PWM：PulseWidthModulation)。由此本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储装置，具备：控制器电路，具有第1变换电路和第2变换电路，所述第1变换电路在将M设为3以上的整数时，将数据变换成M值的符号，所述第2变换电路在将n设为2以上的整数时，将所述变换出的n个M值的符号的每一个变换成M级脉冲宽度的信号；以及记录介质，记录所述变换出的n个M级脉冲宽度的信号，所述控制器电路还具有均衡电路，所述均衡电路将从所述记录介质读出的信号均衡成所述n个M值的符号。

【技术特征摘要】
2017.01.12 JP 2017-0031691.一种存储装置，具备：控制器电路，具有第1变换电路和第2变换电路，所述第1变换电路在将M设为3以上的整数时，将数据变换成M值的符号，所述第2变换电路在将n设为2以上的整数时，将所述变换出的n个M值的符号的每一个变换成M级脉冲宽度的信号；以及记录介质，记录所述变换出的n个M级脉冲宽度的信号，所述控制器电路还具有均衡电路，所述均衡电路将从所述记录介质读出的信号均衡成所述n个M值的符号。2.根据权利要求1所述的存储装置，所述控制器电路还具有对数据进行编码的编码器，所述第1变换电路将由所述编码器编码得到的数据变换成M值的符号。3.根据权利要求2所述的存储装置，所述控制器电路还具有解码器，该解码器根据由所述均衡电路得到的均衡结果，进行对从所述记录介质读出的信号的解码。4.根据权利要求1所述的存储装置，所述第2变换电路具有：调制电路，根据所述变换出的n个M值的符号，生成与能够表现所述M级脉冲宽度的比特数对应的第1比特序列；以及调整电路，变更所述第1比特序列的比特顺序，生成第2比特序列。5.根据权利要求1所述的存储装置，在所述第2变换电路中，输出的信号的频率高于所输入的信号的频率。6.根据权利要求1所述的存储装置，所述均衡电路包括低通滤波器，所述低通滤波器具有比从所述第2变换电路输出的信号的频率低并且与输入所述第2变换电路的M值的符号的频率对应的截止频率。7.根据权利要求6所述的存储装置，所述低通滤波器将从所述记录介质读出的信号的频率降频转换成M值的符号的频率。8.根据权利要求1所述的存储装置，还具备将信息记录于所述记录介质的头，所述控制器电路还具有记录信号控制电路，所述记录信号控制电路根据应该由所述头记录的模式，控制所述变换出的n个M级脉冲宽度的信号的电平。9.根据权利要求1所述的存储装置，所述第2变换电路具有：时钟生成电路，生成相对于基准时钟具有互不相同的相移的多个时钟；以及信号生成电路，根据所述变换出的n个M值的符号的每一个的值，从所述多个时钟中选择1个以上的时钟，使用选择出的1个以上的时钟来生成所述M级脉冲宽度的信号。10.根据权利要求9所述的存储装置，还具备将信息记录于所述记录介质的头，所述控制器电路还具有记录信号控制电路，...

【专利技术属性】
技术研发人员：原田康祐，山崎昭广，前东信宏，
申请(专利权)人：株式会社东芝，东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP