LED芯片及LED光源模组制造技术

本实用新型专利技术涉及一种LED芯片，该LED芯片包括衬底和设置在衬底上的LED晶圆，该LED晶圆具有发光区域，通过减小发光区域表面面积使发光区域的面积和LED芯片的面积比的范围为0.2～0.9，可以保证在LED芯片整体尺寸不变的情况下，使LED芯片工作在小电流下工况下，如50‑200μA，达到最佳电光转换效率，而无需在封装时减小焊盘尺寸和芯片之间的间距。

【技术实现步骤摘要】
LED芯片及LED光源模组
本技术涉及LED芯片
，特别是涉及一种LED芯片及LED光源模组。
技术介绍
随着技术的逐步成熟，LED(LightEmittingDiode，发光二极管)芯片的尺寸越来越小，甚至减小至微型LED芯片，通常传统LED芯片在应用时工作电流较小，约为10～90mA，这样的传统LED芯片在应用在更小的工作电流下，例如50～200μA，芯片尺寸仍然较大，所以在使用时无法达到最佳WEP(电光转换效率，WallPlugEfficiency)。为了使LED芯片在使用时达到最佳电光转换效率，传统技术通过减小芯片整体尺寸来实现，但是整体减小尺寸后的芯片在封装时对应的焊盘尺寸以及芯片之间的间距相应也需要减小，导致现有焊盘尺寸和芯片之间的间距无法满足封装要求。
技术实现思路
基于此，有必要针对LED芯片在达到最佳电光转换效率时，现有焊盘尺寸和芯片之间的间距无法满足封装要求的问题，提供一种LED芯片及LED光源模组。根据本技术实施例的第一方面，提供一种LED芯片，包括：衬底；设置在所述衬底上的LED晶圆，所述LED晶圆具有发光区域，所述发光区域的面积和所述LED芯片的面积比的范围为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED芯片，包括：衬底；设置在所述衬底上的LED晶圆，所述LED晶圆具有发光区域，其特征在于，所述发光区域的面积和所述LED芯片的面积比的范围为0.2～0.9。

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片，包括：衬底；设置在所述衬底上的LED晶圆，所述LED晶圆具有发光区域，其特征在于，所述发光区域的面积和所述LED芯片的面积比的范围为0.2～0.9。2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述发光区域的面积和所述LED芯片的面积比的范围为0.2～0.4。3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述发光区域的面积和所述LED芯片的面积比为0.3。4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED晶圆包括依次设置的N型半导体层、发光层以及P型半导体层，所述N型半导体层部分延伸至所述发光层以及所述P型半导体层外围形成N型半导体台面。5.根据权利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括：第一电流阻挡层，形成于所述P型半导体层表面；导电层，覆盖所述P型半导体层及所述第一电流阻挡层；P电极，设置在所述导电层上对应所述第一电流阻挡层位置处；以及设置于所述N型半导体台面上的N电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟芳芳，王思博，简弘安，刘宇轩，陈顺利，丁逸圣，
申请(专利权)人：大连德豪光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：辽宁,21