一种双通道变掺杂LDMOS器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种双通道变掺杂LDMOS器件，该器件包括P型衬底，P型衬底中形成有相邻的深N阱和P阱，深N阱的顶部形成多段深度相同且相互间隔的P型帽层，在多段P型帽层下方的深N阱中形成有至少一层注入埋层，深N阱远离P阱的一侧形成有N+漏极，P阱上形成有N+源极和P+源极，在深N阱与P阱交界区域上方的P型衬底上形成有多晶硅栅，多晶硅栅与深N阱和P阱绝缘隔离，其中，注入埋层包括由上至下的N型埋层和P型埋层，多段P型帽层的掺杂浓度互不相同。本实用新型专利技术能够在同样击穿电压前提下，获得更低的比导通电阻。

【技术实现步骤摘要】
一种双通道变掺杂LDMOS器件
本技术涉及半导体
，尤其是一种双通道变掺杂LDMOS器件。
技术介绍
横向高压DMOS(LDMOS，LaterallyDiffusedMetalOxideSemiconductor，横向扩散金属氧化物半导体)器件，广泛应用于AC-DC电源管理、LED驱动和马达驱动芯片中。LDMOS器件要获得高的击穿电压，通常要增大比导通电阻(导通电阻×面积)，但这两个参数之间是矛盾的。现有的LDMOS器件主要采用降低表面电场(RESURF)技术，来减小因增加击穿电压而导致的导通电阻增加幅度，其核心思想在于引入额外的P型层次来辅助耗尽N型导电区(漂移区)，使得N型漂移区可以用于更高的浓度，从而获得更低的比导通电阻。但是，由于P型层次不易实现，因此传统的RESURF技术只能实现1倍(Single)RESURF、2倍(Double)RESURF和3倍(Triple)RESURF，即N型漂移区的上限浓度被限制在3×1012/cm2。电场分布只有两个电场峰值，离理想的矩形电场仍有差距。这样，在同样击穿电压下，LDMOS的比导通电阻仍然较大，限制了其应用。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种双通道变掺杂LDMOS器件，其特征在于，包括P型衬底，所述P型衬底中形成有相邻的深N阱和P阱，所述深N阱的顶部形成多段深度相同且相互间隔的P型帽层，在多段所述P型帽层下方的深N阱中形成有至少一层注入埋层，所述深N阱远离所述P阱的一侧形成有N+漏极，所述P阱上形成有N+源极和P+源极，在所述深N阱与P阱交界区域上方的所述P型衬底上形成有多晶硅栅，所述多晶硅栅与所述深N阱和P阱绝缘隔离，其中，所述注入埋层包括由上至下的N型埋层和P型埋层，多段所述P型帽层的掺杂浓度互不相同。

【技术特征摘要】
1.一种双通道变掺杂LDMOS器件，其特征在于，包括P型衬底，所述P型衬底中形成有相邻的深N阱和P阱，所述深N阱的顶部形成多段深度相同且相互间隔的P型帽层，在多段所述P型帽层下方的深N阱中形成有至少一层注入埋层，所述深N阱远离所述P阱的一侧形成有N+漏极，所述P阱上形成有N+源极和P+源极，在所述深N阱与P阱交界区域上方的所述P型衬底上形成有多晶硅栅，所述多晶硅栅与所述深N阱和P阱绝缘隔离，其中，所述注入埋层包括由上至下的N型埋层和P型埋层，多段所述P型帽层的掺杂浓度互不相同。2.根据权利要求1所述的双通道变掺杂LDMOS器件，其特征在于，所述多晶硅栅呈阶梯形，且所述多晶硅栅较高的一端位于所述深N阱上方，所述多晶硅栅较低的一端位于所述P阱上方。3.根据权利要求1或2所述的双通道变掺杂LDMOS器件，其特征在于，所述P型衬底上还形成有绝缘介质...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛焜，姚尧，
申请(专利权)人：成都信息工程大学，
类型：新型
国别省市：四川,51