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本实用新型公开了一种双通道变掺杂LDMOS器件，该器件包括P型衬底，P型衬底中形成有相邻的深N阱和P阱，深N阱的顶部形成多段深度相同且相互间隔的P型帽层，在多段P型帽层下方的深N阱中形成有至少一层注入埋层，深N阱远离P阱的一侧形成有N+漏极...
该专利属于成都信息工程大学所有，仅供学习研究参考，未经过成都信息工程大学授权不得商用。

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