一种腔体介质移相器制造技术

技术编号:18958388 阅读:79 留言:0更新日期:2018-09-15 16:26
本实用新型专利技术涉及一种腔体介质移相器,包括具有纵长状容置空间的腔体和内置入该容置空间的移相电路以及可滑动地安装于该容置空间且与该移相电路平行设置的纳米陶瓷填充聚合物基高频树脂介质元件;其中,所述腔体的长度为390mm,宽度为40mm,高度为13mm;所述移相电路的长度为390mm,宽度为33.5mm。本实用新型专利技术的优点在于:本实用新型专利技术腔体介质移相器,通过对移相电路及腔体尺寸的调整,同时通过对介质元件结构及材料的调整,能够有效提高移相器的稳定性和一致性,且该结构的腔体介质移相器,其频带能达1.71‑2.17GHz。

【技术实现步骤摘要】
一种腔体介质移相器
本技术涉及通信器件领域,特别涉及一种腔体介质移相器。
技术介绍
在移动通信网络覆盖中,电调基站天线是覆盖网络的关键设备之一,而移相器又是电调基站天线的最核心部件,移相器性能的优劣直接决定了电调天线性能,进而影响到网络覆盖质量,故移相器在移动基站天线领域的重要性是不言而喻的。移相器由于其特殊性,各部件尺寸对于天线的各项性能指标有着重要的影响;因此在已知移相器结构的基础上对移相器的结构、尺寸进行优化,以便获得更好的性能参数是目前通讯行业的研究课题。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种结构合理、性能优异的腔体介质移相器。为解决上述技术问题,本技术的技术方案为:一种腔体介质移相器,其创新点在于:包括具有纵长状容置空间的腔体和内置入该容置空间的移相电路以及可滑动地安装于该容置空间且与该移相电路平行设置的纳米陶瓷填充聚合物基高频树脂介质元件;其中,所述腔体的长度为390mm,宽度为40mm,高度为13mm;所述移相电路的长度为390mm,宽度为33.5mm。进一步地,所述移相电路由一PCB板以及布置于PCB板上表面的金属带线构成。进一步地,所述纳米陶瓷填充聚合物基高频树脂介质元件包括一可沿预设轨迹移动的凸字型介质板以及设置于凸字型介质板输入端口一端的阻抗匹配部。本技术的优点在于:(1)本技术腔体介质移相器,通过对移相电路及腔体尺寸的调整,同时通过对介质元件结构及材料的调整,能够有效提高移相器的稳定性和一致性,且该结构的腔体介质移相器,其频带能达1.71-2.17GHz;(2)本技术腔体介质移相器,其中,介质元件中由于所述介质板上的阻抗匹配部设于输入端口的一端,其在移相过程中,相关线路段只需进行一次不连续的阻抗匹配,不仅可减少阻抗变化,且可减少阻抗失配及回波损耗。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。图1为本技术腔体介质移相器的结构示意图。具体实施方式下面的实施例可以使本专业的技术人员更全面地理解本技术,但并不因此将本技术限制在所述的实施例范围之中。实施例本实施例腔体介质移相器,如图1所示,包括具有纵长状容置空间的腔体1和内置入该容置空间的移相电路2以及可滑动地安装于该容置空间且与该移相电路2平行设置的纳米陶瓷填充聚合物基高频树脂介质元件3;其中,腔体1的长度为390mm,宽度为40mm,高度为13mm;移相电路2的长度为390mm,宽度为33.5mm,且移相电路2由一PCB板21以及布置于PCB板21上表面的金属带线22构成,纳米陶瓷填充聚合物基高频树脂介质元件3包括一可沿预设轨迹移动的凸字型介质板31以及设置于凸字型介质板31输入端口一端的阻抗匹配部32;介质元件3中由于所述介质板31上的阻抗匹配部32设于输入端口的一端,其在移相过程中,相关线路段只需进行一次不连续的阻抗匹配,不仅可减少阻抗变化,且可减少阻抗失配及回波损耗。本实施例腔体介质移相器,滑动介质元件3使金属带线22的介电常数改变,其对应辐射单元的相位发生变化,达到调节天线波束下倾角度的目的;此外,通过对移相电路及腔体尺寸的调整,同时通过对介质元件结构及材料的调整,能够有效提高移相器的稳定性和一致性,且该结构的腔体介质移相器,其频带能达1.71-2.17GHz。以上显示和描述了本技术的基本原理和主要特征以及本技术的优点。本行业的技术人员应该了解,本技术不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本技术的原理,在不脱离本技术精神和范围的前提下,本技术还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种腔体介质移相器,其特征在于:包括具有纵长状容置空间的腔体和内置入该容置空间的移相电路以及可滑动地安装于该容置空间且与该移相电路平行设置的纳米陶瓷填充聚合物基高频树脂介质元件;其中,所述腔体的长度为390mm,宽度为40mm,高度为13mm;所述移相电路的长度为390mm,宽度为33.5mm。

【技术特征摘要】
1.一种腔体介质移相器,其特征在于:包括具有纵长状容置空间的腔体和内置入该容置空间的移相电路以及可滑动地安装于该容置空间且与该移相电路平行设置的纳米陶瓷填充聚合物基高频树脂介质元件;其中,所述腔体的长度为390mm,宽度为40mm,高度为13mm;所述移相电路的长度为390mm,宽度为33.5m...

【专利技术属性】
技术研发人员:卢培林郭培培吴树峰
申请(专利权)人:江苏华灿电讯股份有限公司
类型:新型
国别省市:江苏,32

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