移相器制造技术

本发明专利技术公开了一种移相器，包括第一层介质板、第二层介质板、倒置微带结构以及第三层金属板，第一层介质板、第二层介质板以及第三层金属板由上到下依次设置，倒置微带结构设置在第一层介质板的下表面，第二层介质板的中部设置有矩形槽，第一层介质板放置在第二层介质板上时，第一层介质板上的倒置微带结构放置在矩形槽内，向列型液晶设置在由第二层介质板上的矩形槽配合第一层介质板以及第三层金属板围城的空腔内，连接头安装在第二层介质板以及第三层金属板上对应位置的安装缺口处。本发明专利技术提供的移相器，利用了向列型液晶的性能，能够在微波频段下工作,具有小型化、造价低廉、移相度高以及工作电压较低等优势，具有很高的实用性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微波和光电元器件领域，特别涉及一种微波移相器。
技术介绍
移相器是对波的相位进行调节的一种装置，在雷达、导弹姿态控制、加速器、通信以及仪器仪表领域都有着广泛的应用。目前有多种移相器在使用，例如：1、PIN二极管移相器，是通过二极管正偏和反偏的状态来实现不同开关特性和阻抗特性；2、铁氧体(YIG)移相器，是通过波导外加磁场,从而使铁氧体的磁导率变化,进而使电磁波的相速变化,以此来获得不同相移量；3、BST铁电移相器，是通过调节外加电场,BST薄膜相对介电常数也随之改变,从而使电路的等效相对介电常数发生变化,进而通过进一步控制电磁波的波速实现相移；4、射频微机电系统(RF MEMS)移相器，是通过设计RF MEMS电路的移相器来实现移相；5、单片微波集成电路(MMIC)移相器，是通过设计单片微波电路的移相器来实现移相，但是，现有的这些移相器在品质因数、调谐比、调谐速度、线性度等方面存在或多或少的技术问题。从表中可以看出，无论是哪一种可调谐本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种移相器，其特征在于：包括第一层介质板、第二层介质板、倒置微带结构以及第三层金属板，所述第一层介质板、所述第二层介质板以及所述第三层金属板由上到下依次设置，并且相邻层之间通过导电胶粘合，所述倒置微带结构设置在所述第一层介质板的下表面，所述第二层介质板的中部设置有矩形槽，所述第一层介质板上设置有两个用于注入向列型液晶的通孔，向列型液晶通过所述第一层介质板上的通孔注入到由所述第二层介质板上的矩形槽配合所述第一层介质板围成的空腔内；所述第二层介质板上以及所述第三层金属板上对应所述倒置微带结构入线端和出线端的位置设置有用于安装连接头的安装缺口，所述连接头安装在对应的所述安装缺口内。

【技术特征摘要】
1.一种移相器，其特征在于：包括第一层介质板、第二层介质
板、倒置微带结构以及第三层金属板，所述第一层介质板、所述第二
层介质板以及所述第三层金属板由上到下依次设置，并且相邻层之间
通过导电胶粘合，所述倒置微带结构设置在所述第一层介质板的下表
面，所述第二层介质板的中部设置有矩形槽，所述第一层介质板上设
置有两个用于注入向列型液晶的通孔，向列型液晶通过所述第一层介
质板上的通孔注入到由所述第二层介质板上的矩形槽配合所述第一
层介质板围成的空腔内；
所述第二层介质板上以及所述第三层金属板上对应所述倒置微
带结构入线端和出线端的位置设置有用于安装连接头的安装缺口，所
述连接头安装在对应的所述安装缺口内。
2.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于：所述连接头为
SMA接头，通...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋迪，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51