移相器制造技术

本发明专利技术公开了一种移相器，包括第一层介质板、第二层介质板、倒置微带结构以及第三层金属板，第一层介质板、第二层介质板以及第三层金属板由上到下依次设置，倒置微带结构设置在第一层介质板的下表面，第二层介质板的中部设置有矩形槽，第一层介质板放置在第二层介质板上时，第一层介质板上的倒置微带结构放置在矩形槽内，向列型液晶设置在由第二层介质板上的矩形槽配合第一层介质板以及第三层金属板围城的空腔内，连接头安装在第二层介质板以及第三层金属板上对应位置的安装缺口处。本发明专利技术提供的移相器，利用了向列型液晶的性能，能够在微波频段下工作,具有小型化、造价低廉、移相度高以及工作电压较低等优势，具有很高的实用性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微波和光电元器件领域，特别涉及一种微波移相器。
技术介绍
移相器是对波的相位进行调节的一种装置，在雷达、导弹姿态控制、加速器、通信以及仪器仪表领域都有着广泛的应用。目前有多种移相器在使用，例如：1、PIN二极管移相器，是通过二极管正偏和反偏的状态来实现不同开关特性和阻抗特性；2、铁氧体(YIG)移相器，是通过波导外加磁场,从而使铁氧体的磁导率变化,进而使电磁波的相速变化,以此来获得不同相移量；3、BST铁电移相器，是通过调节外加电场,BST薄膜相对介电常数也随之改变,从而使电路的等效相对介电常数发生变化,进而通过进一步控制电磁波的波速实现相移；4、射频微机电系统(RF MEMS)移相器，是通过设计RF MEMS电路的移相器来实现移相；5、单片微波集成电路(MMIC)移相器，是通过设计单片微波电路的移相器来实现移相，但是，现有的这些移相器在品质因数、调谐比、调谐速度、线性度等方面存在或多或少的技术问题。从表中可以看出，无论是哪一种可调谐方式，其实现的器件均存在不同程度的缺点。YIG的各项性能都比较好，但是调谐速度慢、体积大成了限制其应用的最大问题；BST的大部分指标均处于中间水平，但是线性度很差；RF MEMS性能指标比较好，但调谐比小，而且成本太高；二极管和MMIC的调谐速度都很快，但同样是线性度不好。显然，基于传统结构的微波可调滤波器和移相器的性能指标已经不能满r>足要求技术发展的要求。所以运用新材料、新技术、新工艺、新方法制备性能更优良的微波可调移相器是发展的趋势。本文将应用于光学系统的液晶材料首次应用于微波频段，从而克服了先有移相器的不足。
技术实现思路
本专利技术要解决的是基于传统结构的微波可调移相器的性能指标不能满足技术发展要求的技术问题。为解决上述技术问题，本专利技术所采取的技术方案是：提供一种移相器，包括第一层介质板、第二层介质板、倒置微带结构以及第三层金属板，第一层介质板、第二层介质板以及第三层金属板由上到下依次设置，并且相邻层之间通过导电胶粘合，倒置微带结构设置在第一层介质板的下表面，第二层介质板的中部设置有矩形槽，第一层介质板上设置有两个用于注入向列型液晶的通孔，向列型液晶通过第一层介质板上的通孔注入到由第二层介质板上的矩形槽配合所述第一层介质板围成的空腔内；第二层介质板以及第三层金属板上对应倒置微带结构入线端和出线端的位置设置有用于安装连接头的安装缺口，连接头安装在对应的安装缺口内。较优的，在上述技术方案中，连接头为SMA接头，通过焊接的方式固定在对应的安装缺口处，并且连接头安装在安装缺口处时，连接头与倒置微带结构的入线端和出线端紧密接触。较优的，在上述技术方案中，第一层介质板和第二层介质板选用罗杰斯5880制成，第三层金属板由铜材料制成。较优的，在上述技术方案中，第一层介质板、第二层介质板以及第三层金属板的形状大小相同。较优的，在上述技术方案中，第一层介质板的厚度为0.508mm。较优的，在上述技术方案中，倒置微带结构上金属带线厚度为0.017mm。较优的，在上述技术方案中，第二层介质板的厚度为0.127mm。本专利技术提供的移相器，采用了向列型液晶作为电光材料,利用向列型液晶在不加偏压和加偏压时,产生的介电各向异性变化来实现移相的目的。该移相器能够在微波频段下工作,相比传统方式的移相器,具有小型化、造价低廉、移相度高以及工作电压较低等优势，并且工作频率高和制作方法方便。采用高精度可变介电常数的液晶和数控电压调制加电电压的情况下，能够制成高精度数控移相器，在未来液晶技术成熟的情况下，能够制成高精度模拟和数控高速移相器，具有很高的实用性。附图说明下面结合附图对本专利技术作进一步说明：图1是本专利技术提供的移相器的示意图；图2是图1中移相器的立体图；图3是图1中移相器的截面图；图4是图1中第一层介质板的正面示意图；图5是图1中第一层介质板的背面示意图；图6是图1中第二层介质板的示意图；图7是图1中第三层介质板的示意图。具体实施方式如图1制至图7所示，本专利技术提供的移相器100，包括第一层介质板130、第二层介质板120、倒置微带结构135以及第三层金属板110，第一层介质板130、第二层介质板120以及第三层金属板110由上到下依次设置，并且相邻层之间通过导电胶粘合，倒置微带结构135设置在第一层介质板130的下表面，第二层介质板120的中部设置有矩形槽125，第一层介质板130上设置有两个用于注入向列型液晶的通孔136，向列型液晶126通过第一层介质板130上的通孔136注入到由第二层介质板120上矩形槽125配合第一层介质板130围成的空腔内，在向列型液晶126在注入完成后用胶水将通孔136密封，避免向列型液晶126从移相器100内溢出；第二层介质板120以及第三层金属板110上对应倒置微带结构135入线端和出线端的位置设置有用于安装连接头140的安装缺口115，连接头140安装在对应的安装缺口115内。作为一种可实施方式，连接头140为SMA接头，通过焊接的方式固定在对应的安装缺口115处，并且连接头140安装在安装缺口115处时，连接头140与倒置微带结构135的入线端和出线端紧密接触。连接头140与倒置微带结构135紧密接触，为移相器100内电压及电流的传导提供了便利，同时，在一定程度上减少了加工的工序。作为一种可实施方式，第一层介质板130和第二层介质板120选用罗杰斯5880制成，第三层金属板110由铜材料制成。选用低损耗的罗杰斯5880材料在一定程度上减少了移相器100对能量的损耗，起到了节能的作用，同时，第三层介质板110由铜材质制成，能起到更好的导电效果以及接地效果，同时，也为其上的介质层提供了支持。作为一种可实施方式，第一层介质板130、第二层介质板120以及第三层金属板110的形状大小相同。三层板的形状大小相同，使得组装后的移相器100形状更加规则，外观更为美观，同时在批量生产时也更加的方便，减少了组装加工时的流程。作为一种可实施方式，第一层介质板130的厚度为0.508mm，倒置微带结构135上金属带线的厚度为0.017mm，第二层介质板120的厚度为0.127mm。选用以上大小及厚度的材质，使得加工出来的移相器100更加的小巧，并且功能和效率等方面没有任何的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种移相器，其特征在于：包括第一层介质板、第二层介质板、倒置微带结构以及第三层金属板，所述第一层介质板、所述第二层介质板以及所述第三层金属板由上到下依次设置，并且相邻层之间通过导电胶粘合，所述倒置微带结构设置在所述第一层介质板的下表面，所述第二层介质板的中部设置有矩形槽，所述第一层介质板上设置有两个用于注入向列型液晶的通孔，向列型液晶通过所述第一层介质板上的通孔注入到由所述第二层介质板上的矩形槽配合所述第一层介质板围成的空腔内；所述第二层介质板上以及所述第三层金属板上对应所述倒置微带结构入线端和出线端的位置设置有用于安装连接头的安装缺口，所述连接头安装在对应的所述安装缺口内。

【技术特征摘要】
1.一种移相器，其特征在于：包括第一层介质板、第二层介质
板、倒置微带结构以及第三层金属板，所述第一层介质板、所述第二
层介质板以及所述第三层金属板由上到下依次设置，并且相邻层之间
通过导电胶粘合，所述倒置微带结构设置在所述第一层介质板的下表
面，所述第二层介质板的中部设置有矩形槽，所述第一层介质板上设
置有两个用于注入向列型液晶的通孔，向列型液晶通过所述第一层介
质板上的通孔注入到由所述第二层介质板上的矩形槽配合所述第一
层介质板围成的空腔内；
所述第二层介质板上以及所述第三层金属板上对应所述倒置微
带结构入线端和出线端的位置设置有用于安装连接头的安装缺口，所
述连接头安装在对应的所述安装缺口内。
2.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于：所述连接头为
SMA接头，通...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋迪，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51