一种垂直结构p-金刚石/i-SiC/n-金刚石LED制造技术

本实用新型专利技术公开了一种垂直结构p‑金刚石/i‑SiC/n‑金刚石LED，包括依次层叠设置的单晶金刚石衬底、p型硼高掺杂金刚石层、i型碳化硅层和n型磷高掺杂金刚石层，所述单晶金刚石衬底向外依次设置欧姆接触电极和保护金属层，所述n型磷高掺杂金刚石层向外依次设置欧姆接触电极和保护金属层,解决了金刚石LED发光效率问题。

【技术实现步骤摘要】
一种垂直结构p-金刚石/i-SiC/n-金刚石LED
本技术属于半导体器件
，具体涉及一种垂直结构p-金刚石/i-SiC/n-金刚石LED。
技术介绍
发光二极管(LED)具有高效率、长寿命、节能和环保等优点，目前广泛应用于指示灯、数码管、显示屏、信号灯和固态照明等领域。作为一种全新的照明技术，LED是利用半导体芯片作为发光材料、直接将电能转换为光能的发光器件。自20世纪60年代世界第一个半导体发光二极管诞生以来，LED照明由于具有寿命长、节能、色彩丰富、安全、环保的特性，被誉为人类照明的第三次革命。2014年诺贝尔物理学奖就授予给了蓝光LED的技术者，其所用材料为GaN。目前，LED的研究向着紫外和深紫外延伸。深紫外光是指波长100纳米到280纳米之间的光波，半导体深紫外光源在照明、杀菌、医疗、印刷、生化检测、高密度的信息储存和保密通讯等领域具有重大应用价值。深紫外LED除菌净化功能已日渐被广泛应用在医疗和健康领域，作为新一代紫外杀菌技术，具有无汞、安全环保和广泛的环境适应性等特点，属于物理广谱杀菌，无化学残留特性。与常见的用于照明的LED相比，深紫外LED在材料、工本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种垂直结构p‑金刚石/i‑SiC/n‑金刚石LED，其特征在于，包括依次层叠设置的单晶金刚石衬底(1)、p型硼高掺杂金刚石层(2)、i型碳化硅层(3)和n型磷高掺杂金刚石层(4)，所述单晶金刚石衬底(1)向外依次设置欧姆接触电极(5)和保护金属层(6)，所述n型磷高掺杂金刚石层(4)向外依次设置欧姆接触电极(5)和保护金属层(6)。

【技术特征摘要】
1.一种垂直结构p-金刚石/i-SiC/n-金刚石LED，其特征在于，包括依次层叠设置的单晶金刚石衬底(1)、p型硼高掺杂金刚石层(2)、i型碳化硅层(3)和n型磷高掺杂金刚石层(4)，所述单晶金刚石衬底(1)向外依次设置欧姆接触电极(5)和保护金属层(6)，所述n型磷高掺杂金刚石层(4)向外依次设置欧姆接触电极(5)和保护金属层(6)。2.如权利要求1所述的一种垂直结构p-金刚石/i-SiC/n-金刚石LED，其特征在于，所述i型碳化硅层(3)的厚度为1-100nm，缺陷密度小于1010cm-2。3.如权利要求1或2所述的一种垂直结构p-金刚石/i-SiC/n-金刚石LED，其特征在于，所述p型硼高掺杂金刚石层(2)为硼掺杂层，掺杂浓度NA>1019cm...

【专利技术属性】
技术研发人员：王宏兴，刘璋成，赵丹，张明辉，王玮，问峰，卜忍安，侯洵，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：新型
国别省市：陕西,61